设计图形、光掩模、光刻胶图形及半导体器件的制造方法

    公开(公告)号:CN1322546C

    公开(公告)日:2007-06-20

    申请号:CN200410070564.9

    申请日:2004-08-06

    CPC classification number: H01L21/0274 G03F7/40

    Abstract: 一种设计图形的制作方法,该方法具备如下的工序:准备含有第1孔图形的第1设计图形的工序;求上述第1孔图形和与第1孔图形相邻的图形之间的距离的工序;根据上述距离和形成在光刻胶膜上的孔图形在加热光刻胶膜时的缩小量,求上述第1孔图形的扩大量的工序;制作具有用上述扩大量扩大了上述第1孔图形的第2孔图形的第2设计图形的工序。

    设计图形、光掩模、光刻胶图形及半导体器件的制造方法

    公开(公告)号:CN1581434A

    公开(公告)日:2005-02-16

    申请号:CN200410070564.9

    申请日:2004-08-06

    CPC classification number: H01L21/0274 G03F7/40

    Abstract: 一种设计图形的制作方法,该方法具备如下的工序:准备含有第1孔图形的第1设计图形的工序;求上述第1孔图形和与第1孔图形相邻的图形之间的距离的工序;根据上述距离和形成在光刻胶膜上的孔图形在加热光刻胶膜时的缩小量,求上述第1孔图形的扩大量的工序;制作具有用上述扩大量扩大了上述第1孔图形的第2孔图形的第2设计图形的工序。

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