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公开(公告)号：CN102890404A
公开(公告)日：2013-01-23
申请号：CN201210211232.2
申请日：2012-06-21
Applicant: 株式会社东芝
IPC: G03F7/00
CPC classification number: G03F9/7042 , B29C2043/025 , B82Y10/00 , B82Y40/00 , G03F7/0002
Abstract: 本发明涉及压印方法和压印系统。根据一个实施例，一种压印方法包括：在要处理的膜上涂敷光固性有机材料，使模板的凹凸图形接触所述光固性有机材料，在使所述模板接触所述光固性有机材料的状态下向所述模板施加力，通过在使所述模板接触所述光固性有机材料的状态下将光辐射到所述光固性有机材料来固化所述光固性有机材料，以及在光辐射之后将所述模板撤离所述光固性有机材料。施加到所述模板的力对应于在所述要处理的膜的表面和所述模板之间的间隙。
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公开(公告)号：CN100337239C
公开(公告)日：2007-09-12
申请号：CN03153202.0
申请日：2003-08-05
Applicant: 株式会社东芝
CPC classification number: G03F7/705 , G03F7/70525 , G03F7/70541 , G03F7/70591 , G03F7/70991
Abstract: 本发明迅速而且容易判定多台曝光装置是否可应用作为产品开展装置群，提供一种能应用于产品开展的曝光装置判定系统。本曝光装置判定系统具备：计算多台曝光装置相互光学系统误差信息的光学系统误差计算单元10a；按照计算的光学系统误差信息，模拟每台曝光装置所描绘的器件图形的模拟单元10b；以及按照模拟的器件图形，分别对多台曝光装置，判定是否具有可用作产品开展装置群的特性的装置判定单元10c。
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公开(公告)号：CN1637620A
公开(公告)日：2005-07-13
申请号：CN200510000213.5
申请日：2005-01-05
Applicant: 株式会社东芝
CPC classification number: H01L21/67253
Abstract: 一种曝光处理系统，包括：用来对晶片上的抗蚀剂进行曝光的曝光装置；具备多个加热装置单元的加热装置，该加热装置，用从上述多个加热装置单元中选择出来的一个加热装置单元，加热上述晶片上的曝光后的抗蚀剂；具备多个显影装置单元的显影装置，该显影装置，包含用于用从上述多个显影装置单元中选择出来的一个显影装置单元对上述晶片上的曝光且加热后的抗蚀剂进行显影的上述晶片上的曝光后的上述抗蚀剂进行加热的一个加热装置；用于使用修正数据控制上述曝光装置从而对作为处理对象的晶片曝光的控制装置，上述修正数据是用来对起因于作为上述处理对象的上述晶片所使用的加热装置单元·显影装置单元对而产生的晶片面内的抗蚀剂图形的尺寸波动进行修正的数据，上述加热装置单元·显影装置单元对包括上述多个加热装置单元中作为上述处理对象的上述晶片所使用的一个加热装置单元和上述多个显影装置单元中作为上述处理对象的上述晶片所使用的一个显影装置单元。
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公开(公告)号：CN102419512B
公开(公告)日：2013-07-17
申请号：CN201110226018.X
申请日：2011-08-08
Applicant: 株式会社东芝
IPC: G03F7/00 , G03F7/16 , H01L21/312
CPC classification number: G05B19/418 , B82Y10/00 , B82Y40/00 , G03F7/0002 , G03F7/16
Abstract: 本发明提供微细加工方法及微细加工装置。根据一个实施方式，提供利用抗蚀剂的微细加工方法。按图案形成面的第一区域决定所需的抗蚀剂量。决定图案形成面整个区域的抗蚀剂总量。抗蚀剂总量除以抗蚀剂滴的容量。决定抗蚀剂滴的总数，对于该总数个抗蚀剂滴中的每个抗蚀剂滴，决定在图案形成面中的临时位置。按最接近的抗蚀剂滴分配各个第一区域。按第二区域重新划分图案形成面，该第二区域按抗蚀剂滴分配。按第二区域，决定一个抗蚀剂滴的容量除以对属于第二区域内的第一区域中的每个第一区域决定的需要的抗蚀剂量的总计而得到的值。在除法运算得到的值在图案形成面内的分布处于设为目标的范围内时，确定全部抗蚀剂滴的位置。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102419512A
公开(公告)日：2012-04-18
申请号：CN201110226018.X
申请日：2011-08-08
Applicant: 株式会社东芝
IPC: G03F7/00 , G03F7/16 , H01L21/312
CPC classification number: G05B19/418 , B82Y10/00 , B82Y40/00 , G03F7/0002 , G03F7/16
Abstract: 本发明提供微细加工方法及微细加工装置。根据一个实施方式，提供利用抗蚀剂的微细加工方法。按图案形成面的第一区域决定所需的抗蚀剂量。决定图案形成面整个区域的抗蚀剂总量。抗蚀剂总量除以抗蚀剂滴的容量。决定抗蚀剂滴的总数，对于该总数个抗蚀剂滴中的每个抗蚀剂滴，决定在图案形成面中的临时位置。按最接近的抗蚀剂滴分配各个第一区域。按第二区域重新划分图案形成面，该第二区域按抗蚀剂滴分配。按第二区域，决定一个抗蚀剂滴的容量除以对属于第二区域内的第一区域中的每个第一区域决定的需要的抗蚀剂量的总计而得到的值。在除法运算得到的值在图案形成面内的分布处于设为目标的范围内时，确定全部抗蚀剂滴的位置。
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公开(公告)号：CN1480788A
公开(公告)日：2004-03-10
申请号：CN03153202.0
申请日：2003-08-05
Applicant: 株式会社东芝
CPC classification number: G03F7/705 , G03F7/70525 , G03F7/70541 , G03F7/70591 , G03F7/70991
Abstract: 本发明迅速而且容易判定多台曝光装置是否可应用作为产品开展装置群，提供一种能应用于产品开展的曝光装置判定系统。本曝光装置判定系统具备：计算多台曝光装置相互光学系统误差信息的光学系统误差计算单元10a；按照计算的光学系统误差信息，模拟每台曝光装置所描绘的器件图形的模拟单元10b；以及按照模拟的器件图形，分别对多台曝光装置，判定是否具有可用作产品开展装置群的特性的装置判定单元10c。
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公开(公告)号：CN102890404B
公开(公告)日：2015-10-21
申请号：CN201210211232.2
申请日：2012-06-21
Applicant: 株式会社东芝
IPC: G03F7/00
CPC classification number: G03F9/7042 , B29C2043/025 , B82Y10/00 , B82Y40/00 , G03F7/0002
Abstract: 本发明涉及压印方法和压印系统。根据一个实施例，一种压印方法包括：在要处理的膜上涂敷光固性有机材料，使模板的凹凸图形接触所述光固性有机材料，在使所述模板接触所述光固性有机材料的状态下向所述模板施加力，通过在使所述模板接触所述光固性有机材料的状态下将光辐射到所述光固性有机材料来固化所述光固性有机材料，以及在光辐射之后将所述模板撤离所述光固性有机材料。施加到所述模板的力对应于在所述要处理的膜的表面和所述模板之间的间隙。
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公开(公告)号：CN102236251A
公开(公告)日：2011-11-09
申请号：CN201110053265.4
申请日：2011-03-04
Applicant: 株式会社东芝
CPC classification number: G03F7/0002 , B29C33/62 , B29C33/64 , B82Y10/00 , B82Y40/00
Abstract: 本发明提供模板修补方法、图案形成方法及模板修补装置。实施方式的模板修补方法是具备基材和形成于前述基材的图案面的第1脱模层的模板的修补方法，包括：对前述图案面供给相对于前述基材具有亲和性且相对于前述脱模层具有非亲和性的材料。
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公开(公告)号：CN1637620B
公开(公告)日：2010-05-26
申请号：CN200510000213.5
申请日：2005-01-05
Applicant: 株式会社东芝
CPC classification number: H01L21/67253
Abstract: 一种曝光处理系统，包括：用来对晶片上的抗蚀剂进行曝光的曝光装置；具备多个加热装置单元的加热装置，该加热装置，用从上述多个加热装置单元中选择出来的一个加热装置单元，加热上述晶片上的曝光后的抗蚀剂；具备多个显影装置单元的显影装置，该显影装置，包含用于用从上述多个显影装置单元中选择出来的一个显影装置单元对上述晶片上的曝光且加热后的抗蚀剂进行显影的上述晶片上的曝光后的上述抗蚀剂进行加热的一个加热装置；用于使用修正数据控制上述曝光装置从而对作为处理对象的晶片曝光的控制装置，上述修正数据是用来对起因于作为上述处理对象的上述晶片所使用的加热装置单元·显影装置单元对而产生的晶片面内的抗蚀剂图形的尺寸波动进行修正的数据，上述加热装置单元·显影装置单元对包括上述多个加热装置单元中作为上述处理对象的上述晶片所使用的一个加热装置单元和上述多个显影装置单元中作为上述处理对象的上述晶片所使用的一个显影装置单元。
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