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公开(公告)号：CN1702549A
公开(公告)日：2005-11-30
申请号：CN200510073472.0
申请日：2005-05-30
Applicant: 株式会社东芝
IPC: G03F1/08 , G03F7/00 , H01L21/027
CPC classification number: G03F1/36
Abstract: 本发明提供一种图形数据的制作方法，包括：准备含有设计图形的集成电路图形；设定复制所述设计图形时形成在处理基板上的第1图形、或将第1图形用作掩模加工所述处理基板所形成的第2图形的容许误差范围；在所述容许误差范围内，制作目标图形；在考虑到复制所述设计图形时的影响、形成第1图形时的影响及形成第2图形时的影响中的一种或一种以上的影响的预定条件下，对所述目标图形进行修正，制作第1修正图形。
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公开(公告)号：CN1447189A
公开(公告)日：2003-10-08
申请号：CN03121360.X
申请日：2003-03-26
Applicant: 株式会社东芝
IPC: G03F1/16 , G03F7/20 , H01L21/027
CPC classification number: G03F7/70641 , G03F1/44
Abstract: 本发明的目的在于以高灵敏度，高精度，监视曝光光源相对焦点位置的偏离，或曝光量变化。在光掩模上，具有器件图案，该器件图案具有开口部与掩模部；聚焦监视图案，或曝光量监视图案，该聚焦监视图案或曝光量监视图案具有开口部和掩模部，具有与器件图案中的至少一部分区域相同的平面图案形状。聚焦监视图案的开口部与掩模部的透射曝光光的相位差，与上述器件图案的开口部与掩模部的透射曝光光的相位差不同。另外，曝光量监视图案的开口部与器件图案的开口部的曝光光透射率不同。
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公开(公告)号：CN1383187A
公开(公告)日：2002-12-04
申请号：CN02121803.X
申请日：2002-03-29
Applicant: 株式会社东芝
CPC classification number: G03F7/70558 , G03F1/68 , G03F7/70616 , G03F7/70641 , G03F7/70675 , G03F7/70683
Abstract: 一种半导体器件制造方法,在对晶片上的抗蚀剂膜依次进行第一加热处理、第一冷却处理后,把曝光量及聚焦位置设定为预定值,使用至少包含曝光量监视标记和聚焦监视标记之一的掩模,对抗蚀剂膜进行曝光处理,在其上形成与监视标记相对应的潜影,再依次进行第二加热处理、第二冷却处理之后,进行显影处理,在曝光处理后,根据测定一次以上监视标记的潜影或监视图形的状态的测定结果,求出实际的曝光量及聚焦位置的至少一方,并由此算出最佳曝光量值与上述设定值之差以及最佳聚焦值与设定值之差的至少一方,根据所算出的差,来变更曝光条件以及曝光后的处理条件的至少一个。
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公开(公告)号：CN1645377A
公开(公告)日：2005-07-27
申请号：CN200410099747.3
申请日：2004-12-16
Applicant: 株式会社东芝
CPC classification number: G06F17/5081 , H01L21/0271
Abstract: 本发明提供一种通过使设计规则、工艺邻近效应修正(process proximity correction)参数和工艺参数的至少1个最优化制作设计布局的方法，包括：根据设计布局和工艺参数计算加工图形形状(processed pattern shape)的工序；抽取相对于所述加工图形形状的评价值不满足指定的公差(tolerance)的危险部位(dangerous spot)的工序；根据包含在所述危险部位的图形生成所述设计布局的修正指导的工序；根据所述修正指导进行与所述设计布局的所述危险部位对应的部分的修正的工序。
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公开(公告)号：CN100529969C
公开(公告)日：2009-08-19
申请号：CN200610149472.9
申请日：2006-11-21
Applicant: 株式会社东芝
IPC: G03F7/20 , H01L21/027
CPC classification number: G03F7/70441
Abstract: 本发明提供一种光掩模的判定方法，其包括：规定第1曝光装置用的光掩模的掩模图案的工序；规定能够设定在第2曝光装置的多个曝光条件的工序；对于所述多个曝光条件的每一个，预测通过所述第2曝光装置投影到基板上的所述掩模图案的投影像的工序；对于所述多个曝光条件的每一个，预测基于所述投影像形成在基板表面的加工图案的工序；对于所述多个曝光条件的每一个，判断所述加工图案是否满足规定的条件的工序；在对于至少一个所述曝光条件所述加工图案满足规定条件的情况下，判断为能够把所述光掩模用于所述第2曝光装置的工序。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1237574C
公开(公告)日：2006-01-18
申请号：CN02121803.X
申请日：2002-03-29
Applicant: 株式会社东芝
CPC classification number: G03F7/70558 , G03F1/68 , G03F7/70616 , G03F7/70641 , G03F7/70675 , G03F7/70683
Abstract: 一种半导体器件制造方法，在对晶片上的抗蚀剂膜依次进行第一加热处理、第一冷却处理后，把曝光量及聚焦位置设定为预定值，使用至少包含曝光量监视标记和聚焦监视标记之一的掩，对抗蚀剂膜进行曝光处理，在其上形成与监视标记相对应的潜影，再依次进行第二加热处理、第二冷却处理之后，进行显影处理，在曝光处理后，根据测定一次以上监视标记的潜影或监视图形的状态的测定结果，求出实际的曝光量及聚焦位置的至少一方，并由此算出最佳曝光量值与上述设定值之差以及最佳聚焦值与设定值之差的至少一方，根据所算出的差，来变更曝光条件以及曝光后的处理条件的至少一个。
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公开(公告)号：CN1237396C
公开(公告)日：2006-01-18
申请号：CN03121360.X
申请日：2003-03-26
Applicant: 株式会社东芝
IPC: G03F1/16 , G03F7/20 , H01L21/027
CPC classification number: G03F7/70641 , G03F1/44
Abstract: 本发明的目的在于以高灵敏度，高精度，监视曝光光源相对焦点位置的偏离，或曝光量变化。在光掩模上，具有器件图案，该器件图案具有开口部与掩模部；聚焦监视图案，或曝光量监视图案，该聚焦监视图案或曝光量监视图案具有开口部和掩模部，具有与器件图案中的至少一部分区域相同的平面图案形状。聚焦监视图案的开口部与掩模部的透射曝光光的相位差，与上述器件图案的开口部与掩模部的透射曝光光的相位差不同。另外，曝光量监视图案的开口部与器件图案的开口部的曝光光透射率不同。
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公开(公告)号：CN1702549B
公开(公告)日：2011-10-12
申请号：CN200510073472.0
申请日：2005-05-30
Applicant: 株式会社东芝
IPC: G03F1/08 , G03F7/00 , H01L21/027
CPC classification number: G03F1/36
Abstract: 本发明提供一种图形数据的制作方法，包括：准备含有设计图形的集成电路图形；设定复制所述设计图形时形成在处理基板上的第1图形、或将第1图形用作掩模加工所述处理基板所形成的第2图形的容许误差范围；在所述容许误差范围内，制作目标图形；在考虑到复制所述设计图形时的影响、形成第1图形时的影响及形成第2图形时的影响中的一种或一种以上的影响的预定条件下，对所述目标图形进行修正，制作第1修正图形。
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公开(公告)号：CN100392662C
公开(公告)日：2008-06-04
申请号：CN200410099747.3
申请日：2004-12-16
Applicant: 株式会社东芝
CPC classification number: G06F17/5081 , H01L21/0271
Abstract: 本发明提供一种通过使设计规则、工艺邻近效应修正(processproximity correction)参数和工艺参数的至少1个最优化制作设计布局的方法，包括：根据设计布局和工艺参数计算加工图形形状(processed patternshape)的工序；抽取相对于所述加工图形形状的评价值不满足指定的公差(tolerance)的危险部位(dangerous spot)的工序；根据包含在所述危险部位的图形生成所述设计布局的修正指导的工序；根据所述修正指导进行与所述设计布局的所述危险部位对应的部分的修正的工序。
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公开(公告)号：CN1971427A
公开(公告)日：2007-05-30
申请号：CN200610149472.9
申请日：2006-11-21
Applicant: 株式会社东芝
IPC: G03F7/20 , H01L21/027
CPC classification number: G03F7/70441
Abstract: 本发明提供一种光掩模的判定方法，其包括：规定第1曝光装置用的光掩模的掩模图案的工序；规定能够设定在第2曝光装置的多个曝光条件的工序；对于所述多个曝光条件的每一个，预测通过所述第2曝光装置投影到基板上的所述掩模图案的投影像的工序；对于所述多个曝光条件的每一个，预测基于所述投影像形成在基板表面的加工图案的工序；对于所述多个曝光条件的每一个，判断所述加工图案是否满足规定的条件的工序；在对于至少一个所述曝光条件所述加工图案满足规定条件的情况下，判断为能够把所述光掩模用于所述第2曝光装置的工序。
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