公开(公告)号：CN1275176C

公开(公告)日：2006-09-13

申请号：CN03119489.3

申请日：2003-03-12

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 小谷敏也 ,  田中聪 ,  桥本耕治 ,  井上壮一 ,  森一郎

IPC: G06F17/50 ,  H01L21/82

CPC classification number: H01L22/20 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 一种用来决定在半导体集成电路器件的制造中使用的加工参数的方法，具备：根据加工参数信息对与半导体集成电路的设计布图对应的第1图案进行修正，得到第2图案的步骤；用上述加工参数信息，预测与上述第2图案对应而且应当用刻蚀加工在半导体晶片上边形成的第3图案的步骤；通过将上述第3图案与上述第1图案进行比较，得到评价值的步骤；判断上述评价值是否满足规定的条件的步骤；在上述评价值被判断为不满足规定的条件的情况下，变更上述加工参数信息的步骤。

公开(公告)号：CN1444268A

公开(公告)日：2003-09-24

申请号：CN03119489.3

申请日：2003-03-12

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 小谷敏也 ,  田中聪 ,  桥本耕治 ,  井上壮一 ,  森一郎

IPC: H01L21/82

CPC classification number: H01L22/20 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 一种用来决定在半导体集成电路器件的制造中使用的加工参数的方法，具备：根据加工参数信息对与半导体集成电路的设计布图对应的第1图案进行修正，得到第2图案的步骤；用上述加工参数信息，预测与上述第2图案对应而且应当用刻蚀加工在半导体晶片上边形成的第3图案的步骤；通过将上述第3图案与上述第1图案进行比较，得到评价值的步骤；判断上述评价值是否满足规定的条件的步骤；在上述评价值被判断为不满足规定的条件的情况下，变更上述加工参数信息的步骤。