公开(公告)号：CN107039394A

公开(公告)日：2017-08-11

申请号：CN201611189878.X

申请日：2016-12-21

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 陈升照 ,  周世培 ,  李名哲 ,  吴国铭 ,  周正贤 ,  蔡正原 ,  杜友伦

IPC: H01L23/498 ,  H01L23/52 ,  H01L23/528

Abstract: 本揭露实施例提供一种半导体结构及其制造方法。所述半导体结构包括半导体衬底；以及互连件结构，其在所述半导体衬底上方。所述半导体结构也包括接垫，所述接垫在所述半导体衬底中且耦合到所述互连件结构。所述接垫包括两个导电层。

公开(公告)号：CN104347349A

公开(公告)日：2015-02-11

申请号：CN201310471415.2

申请日：2013-10-10

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 陈升照 ,  黄志辉 ,  杜友伦 ,  吴政达 ,  蔡嘉雄 ,  陈晓萌

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/60 ,  H01L21/67

CPC classification number: H01L21/67207 ,  H01L21/02041 ,  H01L21/02068 ,  H01L21/02074 ,  H01L21/02334 ,  H01L21/187 ,  H01L21/67017 ,  H01L21/67196 ,  H01L21/68707 ,  H01L33/0079 ,  Y10S438/906

Abstract: 本发明提供了用于清洗用来混合接合的半导体晶圆表面的机制的实施例。一种用于清洗用来混合接合的半导体晶圆的表面方法包括：提供半导体晶圆，并且半导体晶圆具有嵌入在绝缘层中的导电焊盘。该方法还包括：对半导体晶圆的表面实施等离子体工艺，并且在导电结构的表面上形成金属氧化物。该方法还包括：使用清洗液实施清洗工艺，以与金属氧化物进行还原反应，使得在导电结构的表面上形成金属-氢键。该方法还包括：在真空下将半导体晶圆传送至接合室，以用于混合接合。本发明还提供了用于混合接合的机制和集成系统的实施例。

公开(公告)号：CN104051419A

公开(公告)日：2014-09-17

申请号：CN201310463691.4

申请日：2013-10-08

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 蔡纾婷 ,  林政贤 ,  杨敦年 ,  刘人诚 ,  洪丰基 ,  黄志辉 ,  陈升照 ,  周世培 ,  林佳洁

IPC: H01L23/528 ,  H01L21/768

Abstract: 本发明公开了一种堆叠式集成电路（IC）器件及方法。该堆叠式IC器件包括第一半导体元件。第一半导体元件包括第一衬底、第一衬底中的介电块以及形成在第一衬底上方的第一金属间介电层中的多个第一导电部件。该堆叠式IC器件还包括接合至第一半导体元件上的第二半导体元件。第二半导体元件包括第二衬底以及形成在第二衬底上方的第二金属间介电层中的多个第二导电部件。该堆叠式IC器件还包括连接在第一导电部件和第二导电部件之间的导电深互连插塞。导电深互连插塞通过介电块、第一金属间介电层和第二金属间介电层隔离。本发明还公开了用于堆叠式器件的互连结构。