公开(公告)号：CN112687791A

公开(公告)日：2021-04-20

申请号：CN202010411079.2

申请日：2020-05-15

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 金海光 ,  江法伸 ,  林杏莲 ,  吴启明

IPC: H01L45/00

Abstract: 本发明实施例涉及半导体装置及其制作方法。本发明实施例提供一种半导体装置，其包含扩散势垒结构、底部电极、所述底部电极上方的顶部电极、切换层及罩盖层。所述底部电极在所述扩散势垒结构上方。所述顶部电极在所述底部电极上方。所述切换层在所述底部电极与所述顶部电极之间，且经配置以存储数据。所述罩盖层在所述顶部电极与所述切换层之间。所述扩散势垒结构的热导率大于近似20W/mK。

公开(公告)号：CN109802034A

公开(公告)日：2019-05-24

申请号：CN201810661636.9

申请日：2018-06-25

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 金海光 ,  林杏莲 ,  吴启明 ,  蔡正原

IPC: H01L45/00

Abstract: 一种半导体装置结构包括：一半导体基底及一下电极位于半导体基底上。半导体装置结构还包括：一第一氧化层位于下电极上；一第二氧化层位于第一氧化层上；及一第三氧化层位于第二氧化层上。第二氧化层内的氧离子键合较第一氧化层内的氧离子键合更为紧密。半导体装置结构还包括一上电极位于第三氧化层上。

公开(公告)号：CN103165675B

公开(公告)日：2016-08-17

申请号：CN201210143200.3

申请日：2012-05-09

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 蔡俊雄 ,  王参群 ,  刘书豪 ,  郭紫微 ,  吴启明

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/06 ,  H01L29/08 ,  H01L29/32 ,  H01L27/092

CPC classification number: H01L21/22 ,  H01L21/26506 ,  H01L21/823412 ,  H01L21/823418 ,  H01L21/823425 ,  H01L29/0688 ,  H01L29/0847 ,  H01L29/32 ,  H01L29/78 ,  H01L29/7843 ,  H01L29/7848

Abstract: 本发明描述的工艺和结构的实施例提供用于改善载流子迁移率的机制。在晶体管沟道区附近的由掺杂的外延材料生成的在源极区和漏极区内的位错和产生的应变均对沟道区内的应变起作用。因此，提高了器件性能。本发明还公开了用于在半导体器件中形成应激源区的机制。

公开(公告)号：CN102969233B

公开(公告)日：2016-01-20

申请号：CN201210048831.7

申请日：2012-02-28

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 蔡雯琪 ,  赖加瀚 ,  陈永君 ,  王美匀 ,  吴启明 ,  陈方正 ,  陈煌明 ,  雷明达

IPC: H01L21/28 ,  H01L21/335

CPC classification number: H01L29/78 ,  H01L21/02063 ,  H01L21/28512 ,  H01L21/28518 ,  H01L21/76802 ,  H01L21/76805 ,  H01L21/76814 ,  H01L21/76825 ,  H01L21/76831 ,  H01L21/76844 ,  H01L21/76855 ,  H01L23/485 ,  H01L23/535 ,  H01L29/41775 ,  H01L29/45 ,  H01L29/6659 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 提供了半导体器件及其形成方法，具体公开了用于形成和使用衬垫的系统和方法。一个实施例包括：在衬底之上的层间电介质中形成开口；以及沿着开口的侧壁形成衬垫。从开口的底部去除衬垫的一部分，并且可以穿过衬垫执行清洁工艺。通过使用衬垫，可以减小或消除由清洁工艺引起的对开口侧壁的损伤。此外，衬垫可用于帮助将离子注入衬底。

公开(公告)号：CN102456628B

公开(公告)日：2014-04-30

申请号：CN201110135863.6

申请日：2011-05-20

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 聂俊峰 ,  蔡明桓 ,  范玮寒 ,  黄益民 ,  郑振辉 ,  蔡瀚霆 ,  吴启明

IPC: H01L21/8238 ,  H01L21/266 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L21/823814 ,  H01L21/26586 ,  H01L21/30604 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/76224 ,  H01L21/823807 ,  H01L21/823878 ,  H01L29/66492 ,  H01L29/6659 ,  H01L29/66636 ,  H01L29/7834 ,  H01L29/7848

Abstract: 本发明揭露一种应变源/漏极结构的制造方法。揭露的方法对集成电路组件的近面和尖端深度提供改善的控制。在一个实施方式中，这个方法通过在该组件的源极和漏极区域内形成一个掺杂区域与一个轻掺杂源极和漏极(LDD)区域来达成控制的改善。在掺杂区域植入与轻掺杂源极和漏极(LDD)区域相反类型的杂质。

公开(公告)号：CN100552904C

公开(公告)日：2009-10-21

申请号：CN200710109025.5

申请日：2007-06-12

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 吴启明 ,  林正堂 ,  张志维 ,  眭晓林

IPC: H01L21/336 ,  H01L21/28 ,  H01L21/3205 ,  H01L29/78 ,  H01L29/43 ,  H01L29/49

CPC classification number: H01L21/26506 ,  H01L21/2658 ,  H01L29/665 ,  H01L29/6656 ,  H01L29/66628 ,  H01L29/66636 ,  H01L29/7848 ,  H01L29/78654

Abstract: 本发明提供一种半导体结构及其形成方法，包括：提供半导体衬底；在该半导体衬底上形成栅极叠层；在邻接于该栅极叠层处形成含硅化合物应力源，其中该含硅化合物应力源还包括额外元素，该额外元素可与硅形成化合物；将在低温下不会形成硅化物的离子注入至该含硅化合物应力源内，以对该含硅化合物应力源的上部进行非晶化；当该含硅化合物应力源的上部为非晶化态时，在该含硅化合物应力源上形成金属层；以及进行退火工艺，使得该金属层与该含硅化合物应力源反应而形成硅化物区。本发明利用具有分散锗的功能的PAI工艺，能够避免漏电流增加，减少不同硅化合物之间的厚度差异。

公开(公告)号：CN101350308A

公开(公告)日：2009-01-21

申请号：CN200710166451.2

申请日：2007-11-13

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 罗加聘 ,  赖隽仁 ,  吴启明 ,  王美匀 ,  林大文

IPC: H01L21/336 ,  H01L21/265 ,  H01L21/24 ,  H01L29/78

CPC classification number: H01L21/26506 ,  H01L21/268 ,  H01L21/28052 ,  H01L21/324 ,  H01L29/665 ,  H01L29/6659 ,  H01L29/7833

Abstract: 一种在金氧半导体场效应电晶体(MOSFET)的源/漏极区中降低损坏形成的方法，该方法包含：提供一基板，该基板具有至少一栅极结构，该栅极结构包含：一栅极氧化层；一栅极电极层；及一源/漏极区，具有不纯物离子掺杂；植入一离子种类以产生非晶硅层；沉积一金属层在该源/漏极区中并进行反应；以及快闪退火处理该基板。本发明还公开了一种金氧半导体场效应电晶体和一种半导体元件的制造方法。本发明借由利用非晶硅化布植工艺、硅化镍工艺和快闪退火处理的系统和方法来减轻源/漏极区缺陷。

公开(公告)号：CN100452386C

公开(公告)日：2009-01-14

申请号：CN200510074901.6

申请日：2005-06-03

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 王俊杰 ,  彭兆贤 ,  吴启明 ,  张志维 ,  眭晓林

IPC: H01L23/52 ,  H01L21/318 ,  H01L21/3205 ,  H01L21/768 ,  H01L21/336 ,  H01L21/8234

CPC classification number: H01L21/76843 ,  H01L21/02129 ,  H01L21/022 ,  H01L21/0228 ,  H01L21/28562 ,  H01L21/31625 ,  H01L23/482 ,  H01L29/78 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明是关于一种半导体装置及其制造方法，所述半导体装置包括：一基底；至少一晶体管，位于该基底上；一介电层，覆盖该晶体管且具有一开口，露出该晶体管的一有源区；一氮化钽阻障层，顺应地衬覆于该开口内，其中该氮化钽阻障层是原子层沉积而成且具有少于20埃的厚度；以及一铜层，位于该氮化钽阻障层上并填入于该开口。本发明所述半导体装置及其制造方法可有效防止如铜扩散的金属扩散问题。

公开(公告)号：CN101150070A

公开(公告)日：2008-03-26

申请号：CN200710109025.5

申请日：2007-06-12

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 吴启明 ,  林正堂 ,  张志维 ,  眭晓林

IPC: H01L21/336 ,  H01L21/28 ,  H01L21/3205 ,  H01L29/78 ,  H01L29/43 ,  H01L29/49

CPC classification number: H01L21/26506 ,  H01L21/2658 ,  H01L29/665 ,  H01L29/6656 ,  H01L29/66628 ,  H01L29/66636 ,  H01L29/7848 ,  H01L29/78654

Abstract: 本发明提供一种半导体结构及其形成方法，包括：提供半导体衬底；在该半导体衬底上形成栅极叠层；在邻接于该栅极叠层处形成含硅化合物应力源，其中该含硅化合物应力源还包括额外元素，该额外元素可与硅形成化合物；将在低温下不会形成硅化物的离子注入至该含硅化合物应力源内，以对该含硅化合物应力源的上部进行非晶化；当该含硅化合物应力源的上部为晶化态时，在该含硅化合物应力源上形成金属层；以及进行退火工艺，使得该金属层与该含硅化合物应力源反应而形成硅化物区。本发明利用具有分散锗的功能的PAI工艺，能够避免漏电流增加，减少不同硅化合物之间的厚度差异。

公开(公告)号：CN1436876A

公开(公告)日：2003-08-20

申请号：CN02103508.3

申请日：2002-02-05

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 吴启明 ,  眭晓林

IPC: C23C16/06 ,  C23C16/44

Abstract: 一种钨金属化学气相沉积法中原子层沉积的方法，包括下列步骤：(a)使用一第一反应气体进行化学气相沉积制程，以形成一第一反应气体原子沉积层；(b)将该第一反应气体作用完的剩余气体抽除；(c)使用一第二含钨反应气体进行化学气相沉积制程，以形成一相对于该第一反应气体原子沉积层的第二含钨反应气体原子沉积层；(d)将该第二含钨反应气体作用完的剩余气体抽除；(e)重复上述(a)至(d)步骤至少一次，形成循环周期；(f)在上述循环周期中，选择于部分周期重复实施步骤(c)和(d)至少一次。