公开(公告)号：CN102163596A

公开(公告)日：2011-08-24

申请号：CN201110034826.6

申请日：2011-01-30

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 胡宪斌 ,  余振华 ,  陈明发 ,  林俊成 ,  赖隽仁 ,  林咏淇

IPC: H01L25/00 ,  H01L25/065 ,  H01L23/48 ,  H01L23/00 ,  H01L21/98

CPC classification number: H01L23/5389 ,  H01L21/563 ,  H01L21/6835 ,  H01L23/147 ,  H01L23/3121 ,  H01L23/49816 ,  H01L23/49822 ,  H01L23/49827 ,  H01L24/16 ,  H01L24/81 ,  H01L24/97 ,  H01L25/0652 ,  H01L2221/68345 ,  H01L2224/73203 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2224/81001 ,  H01L2224/81801 ,  H01L2224/97 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01032 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/01322 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/10329 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/15153 ,  H01L2924/1517 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/19041 ,  H01L2224/81 ,  H01L2924/00012

Abstract: 本发明一实施例提供一种集成电路元件及其形成方法，该集成电路元件包括：一中介层，大抵不具有集成电路元件，其中该中介层包括：一基底，具有一第一侧及相反于该第一侧的一第二侧；多个穿基底导电结构，位于该基底之中；一第一内连线结构，位于该基底的该第一侧上，且电性耦接至至少一所述多个穿基底导电结构；以及一第二内连线结构，位于该基底的该第二侧上，且电性耦接至至少一所述多个穿基底导电结构；一第一芯片，接合于该第一内连线结构之上；以及一第二芯片，接合于该第二内连线结构之上。本发明的实施例可避免可能造成的合格率损失。此外，流程时间可减少。

公开(公告)号：CN102148220A

公开(公告)日：2011-08-10

申请号：CN201110031017.X

申请日：2011-01-25

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 胡宪斌 ,  余振华 ,  赖隽仁 ,  陈明发

IPC: H01L25/00 ,  H01L25/065 ,  H01L23/48

CPC classification number: H01L21/6835 ,  H01L23/3121 ,  H01L23/5389 ,  H01L24/16 ,  H01L25/0657 ,  H01L2221/68345 ,  H01L2224/16145 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/32145 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2225/06513 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01322 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/10271 ,  H01L2924/10272 ,  H01L2924/10329 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/1532 ,  H01L2924/18161 ,  H01L2924/19041 ,  H01L2924/19042 ,  H01L2924/19043 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明提供一种半导体装置，包含一具有一顶部表面的中介物，及一凸块位于此中介物的顶部表面上。一开口，自此中介物的顶部表面延伸至此中介物中。一第一裸片与此凸块接合。一第二裸片，位于此中介物的开口中，并与此第一裸片及此第二裸片接合。本发明可避免因形成硅穿孔所导致的良率损失，并可缩短所需的制造周期。

公开(公告)号：CN102163596B

公开(公告)日：2013-08-21

申请号：CN201110034826.6

申请日：2011-01-30

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 胡宪斌 ,  余振华 ,  陈明发 ,  林俊成 ,  赖隽仁 ,  林咏淇

IPC: H01L25/00 ,  H01L25/065 ,  H01L23/48 ,  H01L23/00 ,  H01L21/98

CPC classification number: H01L23/5389 ,  H01L21/563 ,  H01L21/6835 ,  H01L23/147 ,  H01L23/3121 ,  H01L23/49816 ,  H01L23/49822 ,  H01L23/49827 ,  H01L24/16 ,  H01L24/81 ,  H01L24/97 ,  H01L25/0652 ,  H01L2221/68345 ,  H01L2224/73203 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2224/81001 ,  H01L2224/81801 ,  H01L2224/97 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01032 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/01322 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/10329 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/15153 ,  H01L2924/1517 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/19041 ,  H01L2224/81 ,  H01L2924/00012

Abstract: 本发明一实施例提供一种集成电路元件及其形成方法，该集成电路元件包括：一中介层，大抵不具有集成电路元件，其中该中介层包括：一基底，具有一第一侧及相反于该第一侧的一第二侧；多个穿基底导电结构，位于该基底之中；一第一内连线结构，位于该基底的该第一侧上，且电性耦接至至少一所述多个穿基底导电结构；以及一第二内连线结构，位于该基底的该第二侧上，且电性耦接至至少一所述多个穿基底导电结构；一第一芯片，接合于该第一内连线结构之上；以及一第二芯片，接合于该第二内连线结构之上。本发明的实施例可避免可能造成的合格率损失。此外，流程时间可减少。

公开(公告)号：CN101350308A

公开(公告)日：2009-01-21

申请号：CN200710166451.2

申请日：2007-11-13

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 罗加聘 ,  赖隽仁 ,  吴启明 ,  王美匀 ,  林大文

IPC: H01L21/336 ,  H01L21/265 ,  H01L21/24 ,  H01L29/78

CPC classification number: H01L21/26506 ,  H01L21/268 ,  H01L21/28052 ,  H01L21/324 ,  H01L29/665 ,  H01L29/6659 ,  H01L29/7833

Abstract: 一种在金氧半导体场效应电晶体(MOSFET)的源/漏极区中降低损坏形成的方法，该方法包含：提供一基板，该基板具有至少一栅极结构，该栅极结构包含：一栅极氧化层；一栅极电极层；及一源/漏极区，具有不纯物离子掺杂；植入一离子种类以产生非晶硅层；沉积一金属层在该源/漏极区中并进行反应；以及快闪退火处理该基板。本发明还公开了一种金氧半导体场效应电晶体和一种半导体元件的制造方法。本发明借由利用非晶硅化布植工艺、硅化镍工艺和快闪退火处理的系统和方法来减轻源/漏极区缺陷。