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公开(公告)号：CN106611766B
公开(公告)日：2020-12-08
申请号：CN201610715454.6
申请日：2016-08-24
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L27/146
Abstract: 在一些实施例中，本发明涉及包括具有反射材料的全局快门像素的背照式(BSI)图像传感器，该反射材料防止像素级存储节点的污染。在一些实施例中，BSI图像传感器包括布置在半导体衬底内的图像感测元件和在半导体衬底内布置于横向偏离图像感测元件的位置处的像素级存储节点。反射材料还在半导体衬底内布置于介于像素级存储节点与半导体衬底的背侧之间的位置处。反射材料具有位于图像感测元件上面的孔口(aperture)。反射材料允许入射辐射到达图像感测元件同时防止入射辐射到达像素级存储节点，从而防止像素级存储节点的污染。本发明的实施例还涉及形成背照式图像传感器的方法。
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公开(公告)号：CN104600084B
公开(公告)日：2018-04-20
申请号：CN201410534556.9
申请日：2014-10-11
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L27/146
CPC classification number: H01L27/14645 , H01L21/02164 , H01L21/02274 , H01L21/31144 , H01L27/1462 , H01L27/14621 , H01L27/14627 , H01L27/14629 , H01L27/1463 , H01L27/1464 , H01L27/14685 , H01L27/14689
Abstract: 本发明提供了包括反射引导层的图像传感器及其制造方法。公开了多种图像传感器结构以及形成图像传感器的方法。根据一个实施例，结构包括：衬底，包括光电二极管；衬底上的氧化物层，位于氧化物层中并与光电二极管相对应的凹槽；反射引导材料，位于每个凹槽的侧壁上；以及滤色片，均设置在相应的一个凹槽中。氧化物层和反射引导材料在滤色片之间形成栅格，至少氧化物层的一部分和反射引导材料的一部分设置在相邻的滤色片之间。
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公开(公告)号：CN106611766A
公开(公告)日：2017-05-03
申请号：CN201610715454.6
申请日：2016-08-24
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L27/146
CPC classification number: H01L27/14629 , H01L27/14609 , H01L27/14621 , H01L27/14623 , H01L27/14627 , H01L27/14636 , H01L27/1464 , H01L27/14645 , H01L27/14685 , H01L27/14689 , H01L27/146 , H01L27/1462 , H01L27/14643 , H01L27/14683
Abstract: 在一些实施例中，本发明涉及包括具有反射材料的全局快门像素的背照式(BSI)图像传感器，该反射材料防止像素级存储节点的污染。在一些实施例中，BSI图像传感器包括布置在半导体衬底内的图像感测元件和在半导体衬底内布置于横向偏离图像感测元件的位置处的像素级存储节点。反射材料还在半导体衬底内布置于介于像素级存储节点与半导体衬底的背侧之间的位置处。反射材料具有位于图像感测元件上面的孔口(aperture)。反射材料允许入射辐射到达图像感测元件同时防止入射辐射到达像素级存储节点，从而防止像素级存储节点的污染。本发明的实施例还涉及形成背照式图像传感器的方法。
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公开(公告)号：CN106611765A
公开(公告)日：2017-05-03
申请号：CN201610711927.5
申请日：2016-08-24
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L27/146
Abstract: 本发明的实施例涉及CMOS图像传感器及相关的形成方法，该图像传感器具有布置在深沟槽隔离结构与图像感测元件之间的掺杂区域。在一些实施例中，CMOS图像传感器具有设置在半导体衬底内的像素区域。像素区域具有配置为将辐射转换为电信号的图像感测元件。多个背侧深沟槽隔离(BDTI)结构在像素区域的相对侧上延伸进半导体衬底。掺杂区域横向布置在BDTI结构之间并且使图像感测元件与BDTI结构和半导体衬底的背侧分离。图像感测元件与BDTI结构的分离防止图像感测元件与BDTI结构的边缘附近的界面缺陷相互作用，并且从而减少暗电流和白像素数量。
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公开(公告)号：CN106611755A
公开(公告)日：2017-05-03
申请号：CN201610768323.4
申请日：2016-08-30
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L23/498 , H01L21/48 , H01L27/146
Abstract: 本发明实施例涉及具有接合焊盘的集成电路，该焊盘具有减轻对下部各层损伤的相对平坦的表面形貌。在一些实施例中，集成电路具有在衬底上方的介电结构内的多个金属互连层。钝化结构布置在半导体衬底上方。所述钝化结构具有凹槽，该凹槽具有连接所述钝化结构的水平面到所述钝化结构的上表面的侧壁。接合焊盘布置在凹槽内，并且具有覆盖水平面的下表面。一个或多个突起从所述下表面向外延伸穿过所述钝化结构的开口，以接触金属互连层中的一个。将接合焊盘布置在所述凹槽内和所述钝化结构的上方减小了接合过程中对下方各层的应力而不会对在衬底内的图像感测元件的效率有负面影响。本发明的实施例还提供了一种形成接合焊盘的方法。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103681704B
公开(公告)日：2016-12-28
申请号：CN201310053026.8
申请日：2013-02-18
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L27/146
CPC classification number: H01L27/1464 , H01L21/76838 , H01L27/14623 , H01L27/14687
Abstract: 本发明公开了BSI芯片中的多金属膜堆叠件，其中形成方法包括：形成从半导体衬底的背面延伸到半导体衬底正面上的金属焊盘的开口；以及形成第一导电层，其包括与半导体衬底中的有源图像传感器重叠的第一部分、与半导体衬底中的黑色参考图像传感器重叠的第二部分以及位于开口中以接触金属焊盘的第三部分。第二导电层形成在第一导电层上方并与其接触。执行第一图案化步骤以去除第二导电层的第一和第二部分，其中第一导电层被用作蚀刻停止层。执行第二图案化步骤以去除第一导电层的第一部分的一部分。在第二图案化步骤之后保留第一导电层的第二和第三部分。
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公开(公告)号：CN106252323A
公开(公告)日：2016-12-21
申请号：CN201510736308.7
申请日：2015-11-03
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L23/498 , H01L21/48
CPC classification number: H01L23/4824 , H01L21/76898 , H01L23/48 , H01L23/481 , H01L23/485 , H01L23/5283 , H01L27/1463 , H01L27/14636 , H01L27/1464 , H01L27/14643 , H01L27/14687 , H01L31/0224 , H01L31/05 , H01L31/0508 , H01L23/49811 , H01L21/4853
Abstract: 本公开提供了一种互补金属氧化物半导体(CMOS)图像传感器的焊盘结构。半导体衬底布置在后道工序(BEOL)金属化堆叠件上方，并且包括划线开口。缓冲层衬垫划线开口。导电焊盘包括基区和突出区。基区布置在划线开口中的缓冲层上方，并且突出区从基区伸至BEOL金属化堆叠件中。介电层填充导电焊盘上方的划线开口，并且与半导体衬底的上表面大致齐平。此外，本公开提供了一种制造焊盘结构的方法以及CMOS图像传感器。
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公开(公告)号：CN105990384A
公开(公告)日：2016-10-05
申请号：CN201510759939.0
申请日：2015-11-10
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L27/146
CPC classification number: H01L27/14645 , H01L27/14621 , H01L27/14625 , H01L27/14627 , H01L27/14629 , H01L27/1463 , H01L27/14636 , H01L27/1464 , H01L27/14685 , H01L27/146 , H01L27/14683
Abstract: 本发明提供了一种用于背照式(BSI)像素传感器的半导体结构。光电二极管布置在半导体衬底内。金属栅格位于半导体衬底上面并且由金属栅格部分组成，金属栅格部分分别围绕光电二极管的外围，从而使得金属栅格内的第一开口分别位于光电二极管上面。低-n栅格由低-n栅格部分组成，低-n栅格部分分别围绕光电二极管的相应的外围，从而使得低-n栅格内的第二开口分别位于光电二极管上面。滤色镜布置在光电二极管的第一开口和第二开口中，并且滤色镜的折射率大于低-n栅格的折射率。衬底隔离栅格延伸至半导体衬底中并且由隔离栅格部分组成，隔离栅格部分分别围绕光电二极管的外围。本发明还提供了一种用于制造BSI像素传感器的方法。
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公开(公告)号：CN103489884B
公开(公告)日：2016-08-10
申请号：CN201310175434.0
申请日：2013-05-13
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L27/146 , H01L21/8238
CPC classification number: H01L31/02164 , H01L27/14623 , H01L27/14632 , H01L27/1464 , H01L27/14643 , H01L27/14687 , H01L27/148 , H01L51/4273
Abstract: 一种包含半导体衬底的图像传感器器件，该半导体衬底包括阵列区和暗电平校正区。该阵列区包含多个辐射感应像素。该暗电平校正区包含一个或多个参考像素。该衬底具有正面和背面。该图像传感器器件包括在衬底背面上形成的第一压缩应变层。该第一压缩应变层包含氧化硅，且带有负电荷。该第二压缩应变层包含氮化硅，且带有负电荷。在暗电平校正区的至少一部分上方形成金属屏蔽件。图像传感器器件包括在金属屏蔽件上和在第二压缩应变层上形成的第三压缩应变层。该第三压缩应变层包含氧化硅。通过该第三压缩应变层保护金属屏蔽件的侧壁。本发明提供具有压缩层的图像传感器。
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公开(公告)号：CN103681708A
公开(公告)日：2014-03-26
申请号：CN201310236886.5
申请日：2013-06-14
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L27/146
CPC classification number: H01L27/14623 , H01L27/14621 , H01L27/14627 , H01L27/14636 , H01L27/1464 , H01L27/14685
Abstract: 一种器件包括：半导体衬底；位于半导体衬底中的黑色参考电路；金属焊盘，位于半导体衬底的正面以及下方；以及第一和第二导电层。第一导电层包括：第一部分，穿过半导体衬底以连接至金属焊盘；以及第二部分，在半导体衬底的背面上形成金属屏蔽层。金属屏蔽层与黑色参考电路对准，并且互连第一部分和第二部分以形成连续区域。第二导电层包括在第一导电层的第一部分上方并与其接触的部分，其中，第一导电层的第一部分和第二导电层的该部分形成第一金属焊盘。介电层位于第一导电层的第二部分上面并与其接触。本发明还提供了BSI芯片中的多金属膜叠层。
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