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公开(公告)号：CN111123184A
公开(公告)日：2020-05-08
申请号：CN201911081428.2
申请日：2019-11-07
Applicant: 上海精密计量测试研究所
Abstract: 本发明实施例提供了一种FPGA结温测试的校准装置，其特征在于，包括设置在高低温箱内的待结温测试的FPGA，和与FPGA的结温测试管脚连接的温度AD转换器；以及设置在高低温箱外的第一数字处理单元，所述第一数字处理单元用于解析并显示所述温度AD转换器输出的表征温度的数字信号；以及第一电源组和第二电源组，其中，第一电源组为FPGA模块供电，所述第二电源组为该校准装置的其他元件供电；当测试时，电源组A停止对FPGA供电，电源组B持续供电。
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公开(公告)号：CN103389507A
公开(公告)日：2013-11-13
申请号：CN201210140601.3
申请日：2012-05-09
Applicant: 上海精密计量测试研究所
IPC: G01T1/29
Abstract: 本发明涉及一种用于电子加速器束流强度实时监测的探头，包括至少两个骨架，贯穿所述骨架的开口，覆盖所述开口的金属箔，与所述金属箔电连接的导线。使用本发明的优点在于：厚度小于5μm的金属铝箔对高能电子能损较小，高能电子穿过铝箔时不会产生阻挡作用，使用方便、可操作性强、稳定性好，可以实现束流强度无损监测。采用陶瓷材料制作绝缘环骨架的优点是：高能电子穿过金属箔时会产生高热量，陶瓷材料绝缘性能好，热传导率高，可以快速散热，并且不易发生形变。
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公开(公告)号：CN118131020A
公开(公告)日：2024-06-04
申请号：CN202410398464.6
申请日：2024-04-03
Applicant: 上海精密计量测试研究所
IPC: G01R31/28
Abstract: 本发明提供一种预测BGA塑封器件焊球温度循环寿命的方法，包括：选取通过车规级AEC认证的BGA塑封器件，获得温度循环失效器件序数和失效周期；定位BGA焊球失效区域，结合X射线和剖面研磨确定其失效模式；计算特定次数温度循环试验条件下发生失效的器件数量；给出通过车规级AEC认证的BGA塑封器件温度循环本征寿命区间[Bmin，Bmax]；计算通过车规级AEC认证的BGA塑封器件温度循环本征平均寿命区间[Pmin，Pmax]；比较后给出未经AEC认证试验器件是否能满足AEC温度循环试验可靠性的结论。本发明解决了传统方法无法基于有限的实验数据准确预测特定置信度下BGA塑封器件温度循环寿命的问题。
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公开(公告)号：CN117890758A
公开(公告)日：2024-04-16
申请号：CN202311757259.6
申请日：2023-12-20
Applicant: 上海精密计量测试研究所
Abstract: 本发明提供一种FPGA芯片高温筛选测试装置，包括工装socket、温控板、接口板和ATE设备；所述工装socket内设置有热敏电阻、大功率加热电阻和风扇；所述接口板上设置有信号接口；所述温控板通过金手指接插件与接口板进行信号交互，温控板通过接口板和ATE设备在硬件上形成通讯链路；通过所述温控板进行FPGA芯片的温度控制，并将温控效果自动反馈给所述ATE设备，当检测到芯片温度达到测试要求时，机台端自动开始测试。本发明提供的FPGA芯片高温筛选测试装置及其测试方法减少了人工操作，简化了测试流程，节省了占地面积。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN117648902A
公开(公告)日：2024-03-05
申请号：CN202311486006.X
申请日：2023-11-09
Applicant: 上海精密计量测试研究所
IPC: G06F30/398 , G16C60/00 , G06F111/08 , G06F111/10 , G06F119/06 , G06F119/08 , G06F119/14
Abstract: 一种基于SiC‑VDMOSFET器件的单粒子烧毁的仿真方法，其步骤：a、获得所针对建模的SiC‑VDMOSFET器件元胞的结构参数及掺杂参数；b、对三维器件模型合理划分网格；c、采用TCAD中SiC材料专用的物理模型对所建立的三维器件模型先进行电参数校准；d、通过SRIM蒙特卡罗计算所仿真的重离子对象在SiC材料中不同透射深度下的LET值；e、建立三维圆柱状单粒子轰击模型解决了在传统二维单粒子仿真中的第三维度相当于二维形状的延展；f、在TCAD仿真中添加通过源漏界面处晶格温度不超过Ni熔点，作为单粒子烧毁的判据之一；g、沿着离子入射轨迹采集其不同时间下沿着入射深度电场强度以及电流密度的分布曲线，并将同一时刻两者相乘来表征在该时刻下不同位置所承受体积功率密度冲击的强度。
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公开(公告)号：CN117113894A
公开(公告)日：2023-11-24
申请号：CN202311049359.3
申请日：2023-08-18
Applicant: 上海精密计量测试研究所
IPC: G06F30/3308 , G06F30/337 , G06F30/398
Abstract: 本发明的一种电路结构的单粒子效应数值仿真方法，能够在不开展地面辐照试验的情况下，通过数值仿真得到电路结构中的单粒子效应响应情况。该方法主要利用计算机辅助仿真工具对电路结构进行结构和物理建模，并辅助以半导体测试方法提取真实电路结构的电学参数信息，完成对实际物理过程的仿真。首先测量集成电阻的物理尺寸，根据实际尺寸对集成电阻进行结构建模；接着为模型添加物理过程，使数值仿真根据物理模型求解；然后测量集成电阻电阻的实际电阻值，根据实际电阻值为建立的模型进行校准。最后优化模型的数值仿真求解过程，提高数值仿真的精度和速度，不需要对电阻器开展价格昂贵的辐照试验，避免了试验过程中的试验误差，成本低、操作简单。
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公开(公告)号：CN116990650A
公开(公告)日：2023-11-03
申请号：CN202310537408.1
申请日：2023-05-15
Applicant: 上海精密计量测试研究所
IPC: G01R31/26
Abstract: 本发明实施例提供了一种瞬态热阻曲线优化TSV转接板散热性能的结构分析方法包括：制备TSV结构单元中心点间距不同的TSV转接板；测试TSV转接板击穿电压曲线；将二极管芯片封装在TSV转接板上，获得TSV结构单元中心点间距不同的二极管器件；采用瞬态热阻法测试二极管器件微分结构函数曲线，获得TSV结构单元中心点间距与热阻参数关系；根据TSV转接板击穿电压曲线和热阻曲线，确定最佳TSV结构单元中心点间距范围。本发明采用瞬态热阻法将TSV转接板的散热性能从二极管器件的散热性能中孤立出来，结合TSV转接板的绝缘性能，确定了TSV结构单元中心点安全间距范围，解决了传统方法无法从实验角度量化TSV转接板内硅通孔密度对二极管器件散热性能和绝缘性能的影响。
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公开(公告)号：CN114408309B
公开(公告)日：2023-08-25
申请号：CN202111536195.8
申请日：2021-12-14
Applicant: 上海精密计量测试研究所
Abstract: 本发明提供了一种带交联乙烯‑四氟乙烯导线的组件的防腐蚀包装方法，其特征在于，其包括以下步骤：S1、导线前处理：包括将剪好的导线放入烘箱中进行热处理；S2、导线组件包装：包括将热处理过的导线组装成导线组件后进行单元包装，所述单元包装采用自封袋打孔包装或者真空干燥包装。本发明通过对X‑ETFE导线进行前处理将氟元素提前释放，并通过采用自封袋打孔的包装方法，使得包装内含氟物质通过打孔向外散发，从而降低电连接器金属零件的腐蚀速率；或者采用真空干燥包装方法，除去空气中的水气，以有利于延长贮存时间，有效解决了腐蚀的问题。
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公开(公告)号：CN116295845A
公开(公告)日：2023-06-23
申请号：CN202211184228.1
申请日：2022-09-27
Applicant: 上海精密计量测试研究所
Abstract: 本发明提供一种倒装封装的GaN基LED芯片温度实时监测方法，包括：制备倒装封装的GaN基LED器件；积分球透射法测试蓝宝石基片红外透射率；红外相机间接表征YAG:Ce3+荧光胶的红外透射状态；积分球反射计法测试GaN基LED芯片的红外发射率；特定光谱波长的锑化铟红外透射法和瞬态热阻法分别测试GaN基LED芯片温度，验证锑化铟红外透射法的测温准确性；GaN基LED器件接入老化电路，特定光谱波长的锑化铟红外透射法实时监测GaN基LED芯片温度。本发明验证了特定波长红外光在蓝宝石基片和YAG:Ce3+荧光胶的透射性，解决现有技术无法实时监测倒装封装的GaN基LED芯片温度的问题。
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