下位机FPGA软件通用框架
    1.
    发明授权

    公开(公告)号:CN113961243B

    公开(公告)日:2024-11-05

    申请号:CN202111037489.6

    申请日:2021-09-06

    Abstract: 本发明公开了下位机FPGA软件通用框架,包括:通讯模块、执行模块;通讯模块向上经通讯接口芯片与上位机通讯,向下与软件内部的用于控制执行部件的执行模块通讯,进而控制各执行部件;通讯模块与通讯接口芯片的交互协议是底层协议,底层协议由通讯接口芯片与FPGA的交互时序决定;通讯模块与执行模块的交互协议属于顶层协议;上位机经过通讯接口芯片向FPGA发送的指令数据包由通讯模块解析,解析后的指令分发到相应执行模块执行,通讯模块从执行模块获得指令执行结果,由通讯模块组建回复数据包后通过通讯接口芯片向上位机的指令进行回复,每一条指令都对应一条回复。采用本发明使FPGA软件的具有统一的架构,增强了软件的可移植性,加速了研发。

    批量化光电探测器宽温域下参数原位测试装置及试验方法

    公开(公告)号:CN118209149A

    公开(公告)日:2024-06-18

    申请号:CN202410373385.X

    申请日:2024-03-29

    Abstract: 本发明公开了批量化光电探测器宽温域下参数原位测试装置及试验方法,测试装置包括:光源、拆换法兰盘、滤波轮、隔热玻璃、高低温试验箱、测试板、三维运动模组、Y轴伺服电机、环境控制装置、X轴伺服电机、操作台。三维运动模组安装在高低温试验箱内部底座上,X轴伺服电机和Y轴伺服电机组分别与三维运动模组连接,测试板安装在三维运动模组的平台上。本发明通过创新性试验装置的设计,实现了宽温域试验条件下的原位测试,解决了传统光电探测器在进行宽温域变化的试验项目时,需要在多台设备间转移的问题;同时实现了测试板对待测光电器件一对多的控制,降低了试验成本,并通过试验方法设计,保证了对光电探测器批量化试验中测试条件的一致性。

    一种基于CMOS图像传感器暗电流来定量质子电离损伤的方法

    公开(公告)号:CN114414971B

    公开(公告)日:2024-05-28

    申请号:CN202111530294.5

    申请日:2021-12-14

    Abstract: 本发明提供了一种基于CMOS图像传感器暗电流来定量质子电离损伤的方法,包括第一步,选取2只同晶圆批的CMOS图像传感器,分为A组、B组,第二步,对A组的CMOS图像传感器进行70MeV质子辐照试验;第三步,对A组CMOS图像传感器进行结构分析;第四步,采用粒子输运软件Geant4计算非电离能损,计算出位移损伤剂量;第五步,采用粒子输运软件Geant4计算非电离能损,根据位移损伤剂量计算出对应的中子注量Fni;第六步,对B组的CMOS图像传感器进行反应堆中子辐照试验;第七步,计算空间质子电离损伤△μi,△μi=μAi‑μBi;第八步,拟合△μi‑Fpi的变化曲线。本发明消除位移损伤的影响、定量评价质子电离损伤,精准预判器件在轨性能退化趋势,提前做好防护措施,对航天器在轨安全运行具有重要意义。

    一种基于CMOS图像传感器暗电流来定量质子电离损伤的方法

    公开(公告)号:CN114414971A

    公开(公告)日:2022-04-29

    申请号:CN202111530294.5

    申请日:2021-12-14

    Abstract: 本发明提供了一种基于CMOS图像传感器暗电流来定量质子电离损伤的方法,包括第一步,选取2只同晶圆批的CMOS图像传感器,分为A组、B组,第二步,对A组的CMOS图像传感器进行70MeV质子辐照试验;第三步,对A组CMOS图像传感器进行结构分析;第四步,采用粒子输运软件Geant4计算非电离能损,计算出位移损伤剂量;第五步,采用粒子输运软件Geant4计算非电离能损,根据位移损伤剂量计算出对应的中子注量Fni;第六步,对B组的CMOS图像传感器进行反应堆中子辐照试验;第七步,计算空间质子电离损伤△μi,△μi=μAi‑μBi;第八步,拟合△μi‑Fpi的变化曲线。本发明消除位移损伤的影响、定量评价质子电离损伤,精准预判器件在轨性能退化趋势,提前做好防护措施,对航天器在轨安全运行具有重要意义。

    一种带交联乙烯-四氟乙烯导线的组件的防腐蚀包装方法

    公开(公告)号:CN114408309A

    公开(公告)日:2022-04-29

    申请号:CN202111536195.8

    申请日:2021-12-14

    Abstract: 本发明提供了一种带交联乙烯‑四氟乙烯导线的组件的防腐蚀包装方法,其特征在于,其包括以下步骤:S1、导线前处理:包括将剪好的导线放入烘箱中进行热处理;S2、导线组件包装:包括将热处理过的导线组装成导线组件后进行单元包装,所述单元包装采用自封袋打孔包装或者真空干燥包装。本发明通过对X‑ETFE导线进行前处理将氟元素提前释放,并通过采用自封袋打孔的包装方法,使得包装内含氟物质通过打孔向外散发,从而降低电连接器金属零件的腐蚀速率;或者采用真空干燥包装方法,除去空气中的水气,以有利于延长贮存时间,有效解决了腐蚀的问题。

    用于EMMI分析的扁平封装半导体器件夹具及分析方法

    公开(公告)号:CN111474465A

    公开(公告)日:2020-07-31

    申请号:CN202010341888.0

    申请日:2020-04-27

    Abstract: 本发明涉及用于EMMI分析的扁平封装半导体器件夹具及分析方法,夹具包括PCB基板、排针、底座、底座插针、簧片阵列、压杆和杆套;底座设置在PCB基板上;底座上设有两列所述簧片阵列;杆套设置在PCB基板上,压杆与杆套连接;待分析扁平封装半导体器件置于底座上,器件两侧的两管脚阵列分别与两列簧片阵列对接,压杆一端部紧压在器件的边框上,使器件管脚阵列与簧片阵列压紧连接;PCB基板上排布有微带引线,簧片阵列通过底座插针与微带引线连接,微带引线与排针连接。本发明的用于EMMI分析的扁平封装半导体器件夹具及分析方法,既能保证扁平封装半导体器件管脚与夹具良好连接,又能使扁平封装半导体器件的芯片充分暴露。

    可3D封装集成毫米波双腔滤波装置构建和耦合方法

    公开(公告)号:CN117810668A

    公开(公告)日:2024-04-02

    申请号:CN202311797555.9

    申请日:2023-12-26

    Abstract: 本发明提出一种可3D集成毫米波双腔滤波装置和耦合方法。与现有技术相比,本发明解决了传统开放式传输线构建的毫米波器件在自由空间内易辐射和损耗高的问题;同时基于将二维电路堆叠成三维滤波装置的方法,与传统金属波导滤波装置相比较,降低了制备成本,准圆波导谐振腔的可调谐参数更丰富,适用于灵活构建耦合窗口。采用了多种隔离方法来降低高密度SIP集成中的电磁波互耦合问题,激励了正交模式的准TE和TM模,构建了独立的正负耦合路径。本滤波装置的双零点灵活可调,端口适配于多种电磁波传输和耦合,既可以单独构建器件,也可用于毫米波器件的测试,或直接与SIP器件集成。

    一种用于光敏三级管空间位移效应检测方法

    公开(公告)号:CN111060796B

    公开(公告)日:2022-06-24

    申请号:CN201911262362.7

    申请日:2019-12-11

    Abstract: 本发明实施例提供了一种用于光敏三级管空间位移效应检测方法,其特征在于,包括步骤:步骤1:将辐照电路单元送入位于质子加速器束流出口处;其中,辐照电路单元包括:光电转换单元、电压采集单元、偏置电路以及至少两个光敏三级管;步骤2:加工作电压对辐照电路单元进行辐照前通电测试,确保其能正常工作;步骤3:开始质子辐照试验,试验过程中通过路径选通切换单元实时记录采样电压;步骤4:改变试验条件,测试光敏三级管质子辐射下的测试数据。

    高隔离度微波不等分功分器的设计方法

    公开(公告)号:CN108258376B

    公开(公告)日:2021-04-23

    申请号:CN201711223117.6

    申请日:2017-11-29

    Abstract: 本发明提供了一种微波不等分功率分配器的设计方法。当工作频率升高,微带线的物理长度变小,高隔离度不等分功分器利用传统方式难以实现。本发明利用低温共烧陶瓷工艺将微波电路和隔离电阻一次烧成,功分器由T型枝节、隔离电阻、弯折的360°电压传递微带线、阻抗变换微带线和测试端口组成。本发明通过增加电长度为360°传输线解决了功分器和电阻的连接问题和隔离问题,与现有的电长度为270°的微带功分器技术方案相比较,电路尺寸减小且减少了插入损耗;与现有的不附加隔离电阻的技术方案相比较,本发明设计的微波/毫米波不等分功分器提供了较高的隔离度。

    毫米波3D同轴传输线设计制造方法

    公开(公告)号:CN108258379B

    公开(公告)日:2020-12-22

    申请号:CN201711201252.0

    申请日:2017-11-27

    Abstract: 本发明提供了一种基于LTCC技术的毫米波3D同轴传输线设计制造方法,LTCC技术是一种多层布线、立体互连技术,可实现100层的陶瓷基片烧结。本发明采用在毫米波频段内低损耗的Ferro A6M陶瓷材料作为基片,在单层基片上利用激光工艺加工准直度和形貌均良好的通孔,利用激光对准技术将多个通孔进行高精度对准,利用圆形保护焊盘将多个填充了金属浆料单层的通孔互连,叠加成所需要的高度的长通孔;利用环形保护焊盘将外围的长通孔互连,两者围绕成网状结构充当外导体,从而构建3D结构的毫米波同轴传输线。仿真结果显示,新型高可靠性同轴传输线可工作至300 GHz。

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