公开(公告)号：CN118393245A

公开(公告)日：2024-07-26

申请号：CN202410348251.2

申请日：2024-03-26

Applicant: 上海精密计量测试研究所

Inventor： 汪波 ,  金森磊 ,  马林东 ,  刘元 ,  江芸 ,  孔泽斌 ,  王昆黍 ,  秦林生 ,  琚安安 ,  陈凡

IPC: G01R31/00 ,  G01M11/02

Abstract: 本发明公开了一种光电探测器光、热、电综合应力下寿命考核试验装置，包括：光源、拆换法兰盘、导光筒、高温试验箱、隔热玻璃、滑轨、遮光板、测试子板、子母板连接线、测试母板、操作台、电控柜、环境控制装置、氮气瓶，高温试验箱内部底座上安装滑轨，测试子板与滑轨相连接，遮光板能实现测试过程中高温试验箱光场的均匀、可控，隔热玻璃密封安装在高温试验箱左侧，导光筒通过拆换法兰盘安装光源。本发明解决了高温试验条件下，温度导致的光源性能漂移，以及传统测试装置难以实现对光电探测器件试验过程中实际受到的光源辐照量进行标定和控制的问题，创新性设计了能为光电探测器实现光、热、电综合应力试验环境的装置。

公开(公告)号：CN117648902A

公开(公告)日：2024-03-05

申请号：CN202311486006.X

申请日：2023-11-09

Applicant: 上海精密计量测试研究所

Inventor： 金森磊 ,  马林东 ,  汪波 ,  张丹 ,  秦林生 ,  王昆黍 ,  孔泽斌 ,  刘元 ,  陈凡 ,  余学峰 ,  郭旗

IPC: G06F30/398 ,  G16C60/00 ,  G06F111/08 ,  G06F111/10 ,  G06F119/06 ,  G06F119/08 ,  G06F119/14

Abstract: 一种基于SiC‑VDMOSFET器件的单粒子烧毁的仿真方法，其步骤：a、获得所针对建模的SiC‑VDMOSFET器件元胞的结构参数及掺杂参数；b、对三维器件模型合理划分网格；c、采用TCAD中SiC材料专用的物理模型对所建立的三维器件模型先进行电参数校准；d、通过SRIM蒙特卡罗计算所仿真的重离子对象在SiC材料中不同透射深度下的LET值；e、建立三维圆柱状单粒子轰击模型解决了在传统二维单粒子仿真中的第三维度相当于二维形状的延展；f、在TCAD仿真中添加通过源漏界面处晶格温度不超过Ni熔点，作为单粒子烧毁的判据之一；g、沿着离子入射轨迹采集其不同时间下沿着入射深度电场强度以及电流密度的分布曲线，并将同一时刻两者相乘来表征在该时刻下不同位置所承受体积功率密度冲击的强度。

公开(公告)号：CN117894818A

公开(公告)日：2024-04-16

申请号：CN202311763529.4

申请日：2023-12-21

Applicant: 上海精密计量测试研究所

Inventor： 秦林生 ,  金森磊 ,  马林东 ,  王昆黍 ,  汪波 ,  梁晓雯 ,  孔泽斌 ,  刘元 ,  琚安安 ,  陈凡 ,  祝伟明 ,  余学峰 ,  郭旗

IPC: H01L29/06 ,  G06F30/20 ,  H01L29/78 ,  H01L21/336 ,  G06F111/10

Abstract: 本发明公开了一种基于SIC‑VDMOSFET器件的单粒子烧毁加固结构及其制备方法，通过识别出器件中SEB的敏感区域，针对该位置在N型漂移区结构中合理设置二氧化硅阻挡区，在牺牲少量电特性的前提下，通过阻止出现需要同时承受高电应力与热应力的超高瞬时体积功率区域，提高SEB敏感区域的抗单粒子烧毁能力，进而提高器件整体的抗单粒子烧毁能力。本发明聚焦于电场峰值以及碰撞电离过程，绕开了当前SiC器件的单粒子烧毁机制不明的问题，并具有加固方案相对简单，方案实施更为明确，加固效果受流片工艺线的限制相对较小的特点。

公开(公告)号：CN118209149A

公开(公告)日：2024-06-18

申请号：CN202410373385.X

申请日：2024-03-29

Applicant: 上海精密计量测试研究所

Inventor： 汪波 ,  金森磊 ,  马林东 ,  刘元 ,  朱敏蔚 ,  孔泽斌 ,  琚安安 ,  王昆黍 ,  秦林生

IPC: G01D18/00

Abstract: 本发明公开了批量化光电探测器宽温域下参数原位测试装置及试验方法，测试装置包括：光源、拆换法兰盘、滤波轮、隔热玻璃、高低温试验箱、测试板、三维运动模组、Y轴伺服电机、环境控制装置、X轴伺服电机、操作台。三维运动模组安装在高低温试验箱内部底座上，X轴伺服电机和Y轴伺服电机组分别与三维运动模组连接，测试板安装在三维运动模组的平台上。本发明通过创新性试验装置的设计，实现了宽温域试验条件下的原位测试，解决了传统光电探测器在进行宽温域变化的试验项目时，需要在多台设备间转移的问题；同时实现了测试板对待测光电器件一对多的控制，降低了试验成本，并通过试验方法设计，保证了对光电探测器批量化试验中测试条件的一致性。

公开(公告)号：CN221959548U

公开(公告)日：2024-11-05

申请号：CN202420643610.2

申请日：2024-03-29

Applicant: 上海精密计量测试研究所

Inventor： 汪波 ,  金森磊 ,  马林东 ,  刘元 ,  朱敏蔚 ,  孔泽斌 ,  琚安安 ,  王昆黍 ,  秦林生

IPC: G01D18/00

Abstract: 本实用新型公开了批量化光电探测器宽温域下参数原位测试装置及试验方法，测试装置包括：光源、拆换法兰盘、滤波轮、隔热玻璃、高低温试验箱、测试板、三维运动模组、Y轴伺服电机、环境控制装置、X轴伺服电机、操作台。三维运动模组安装在高低温试验箱内部底座上，X轴伺服电机和Y轴伺服电机组分别与三维运动模组连接，测试板安装在三维运动模组的平台上。本实用新型通过创新性试验装置的设计，实现了宽温域试验条件下的原位测试，解决了传统光电探测器在进行宽温域变化的试验项目时，需要在多台设备间转移的问题；同时实现了测试板对待测光电器件一对多的控制，降低了试验成本。