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公开(公告)号：CN114355228B
公开(公告)日：2024-12-31
申请号：CN202111512529.8
申请日：2021-12-11
Applicant: 上海精密计量测试研究所
IPC: G01R31/40
Abstract: 本发明涉及光纤通信模块单粒子效应测试系统和方法，移动靶、重离子枪、FPGA和第二中继器均置于真空辐照室内；被测光纤通信模块安装在移动靶上；SMA接头设置在真空辐照室舱壁上；被测光纤通信模块一路通道连接至SMA接头，再连接至误码仪；被测光纤通信模块其余通道连接FPGA，FPGA通过DB9串口连接至数据采集计算机；电源为被测光纤通信模块和FPGA提供直流稳定电压；主控计算机与电源连接；主控计算机、通讯板、第一中继器依次连接，第一中继器又通过DB9串口第二中继器与被测光纤通信模块内部寄存器连接。本发明涉及光纤通信模块单粒子效应测试系统和方法，能够对光纤通信模块的单粒子效应进行测试。
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公开(公告)号：CN117894818A
公开(公告)日：2024-04-16
申请号：CN202311763529.4
申请日：2023-12-21
Applicant: 上海精密计量测试研究所
IPC: H01L29/06 , G06F30/20 , H01L29/78 , H01L21/336 , G06F111/10
Abstract: 本发明公开了一种基于SIC‑VDMOSFET器件的单粒子烧毁加固结构及其制备方法，通过识别出器件中SEB的敏感区域，针对该位置在N型漂移区结构中合理设置二氧化硅阻挡区，在牺牲少量电特性的前提下，通过阻止出现需要同时承受高电应力与热应力的超高瞬时体积功率区域，提高SEB敏感区域的抗单粒子烧毁能力，进而提高器件整体的抗单粒子烧毁能力。本发明聚焦于电场峰值以及碰撞电离过程，绕开了当前SiC器件的单粒子烧毁机制不明的问题，并具有加固方案相对简单，方案实施更为明确，加固效果受流片工艺线的限制相对较小的特点。
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公开(公告)号：CN117176156A
公开(公告)日：2023-12-05
申请号：CN202311048405.8
申请日：2023-08-18
Applicant: 上海精密计量测试研究所
IPC: H03M1/10
Abstract: 一种数模模数转换器单粒子瞬态效应测试装置及其方法，所述装置主要由程控电源、信号发生器、示波器、测试电路板、电流表组成、待测器件DUT和可编程门阵列FPGA模块组成。待测器件DUT焊接在测试电路板上，程控电源为测试电路板和待测器件提供正常工作需要的电流。程控电源的正极通过电线连接电流表输入端口，经过电流表的输出端口连接至电路板，以此来观察器件工作电流的变化情况。信号发生器通过同轴电缆连接测试电路板的SMA接口，为待测器件提供输入信号，输入信号为方波或者正弦波。待测器件的输出信号通过测试电路板的SMA接口利用同轴电缆连接到示波器，来显示输出的数字或模拟信号。FPGA模块同样焊接在测试电路板上，通过电路板上的金属布线与待测器件连接。
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公开(公告)号：CN114966362A
公开(公告)日：2022-08-30
申请号：CN202210156115.4
申请日：2022-02-21
Applicant: 上海精密计量测试研究所
Abstract: 本发明公开了一种塑封倒装焊芯片凸点可靠性评估方法，包括：一、将封装好的倒装焊芯片进行电性能测试，测试完成后抽取样品进行超声波扫描检查；二、保留一定样品作为对照，对其余样品进行预处理；三、预处理完成后对样品进行超声波扫描检查；四、对样品进行电性能测试；五、将样品分为A、B、C三组，A组进行温度循环、B组进行UHAST、C组进行HAST试验；六、试验完成后对样品进行电性能测试；七、抽部分温度循环后的样品用3DXRAY观察指定凸点；八、对3DXRAY发现异常的凸点切片观察截面；九、结合3DXRAY的俯视图、侧视图和截面观察，判断凸点是空洞还是开裂，如果是空洞，在判据范围内是合格，如果是裂纹且有延伸趋势，则凸点不能保证长期应用的可靠性。
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公开(公告)号：CN114414972A
公开(公告)日：2022-04-29
申请号：CN202111530295.X
申请日：2021-12-14
Applicant: 上海精密计量测试研究所
Abstract: 本发明提供了一种基于CMOS图像传感器暗电流来定量质子位移损伤的方法，其特征在于，包括第一步，选取偶数只同晶圆批的CMOS图像传感器，分为两组，计算A组、B组暗电流初值的平均值；第二步，对A组CMOS图像传感器分别进行70MeV质子辐照试验；第三步，取A组中一只器件对其进行结构分析；第四步，采用粒子输运软件Geant4计算电离能损；第五步，对B组的CMOS图像传感器分别进行60Co‑γ射线辐照试验；第六步，计算空间质子位移损伤△μi，△μi＝μAi‑μBi；第七步，拟合△μi‑Fi的变化曲线；第八步，得到定量的空间质子位移损伤。本发明消除电离损伤的影响、定量评价质子位移损伤，结合航天器轨道、倾角、发射年份预估器件抗质子位移损伤能力是否满足要求，对航天器在轨安全运行具有重要意义。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN118393245A
公开(公告)日：2024-07-26
申请号：CN202410348251.2
申请日：2024-03-26
Applicant: 上海精密计量测试研究所
Abstract: 本发明公开了一种光电探测器光、热、电综合应力下寿命考核试验装置，包括：光源、拆换法兰盘、导光筒、高温试验箱、隔热玻璃、滑轨、遮光板、测试子板、子母板连接线、测试母板、操作台、电控柜、环境控制装置、氮气瓶，高温试验箱内部底座上安装滑轨，测试子板与滑轨相连接，遮光板能实现测试过程中高温试验箱光场的均匀、可控，隔热玻璃密封安装在高温试验箱左侧，导光筒通过拆换法兰盘安装光源。本发明解决了高温试验条件下，温度导致的光源性能漂移，以及传统测试装置难以实现对光电探测器件试验过程中实际受到的光源辐照量进行标定和控制的问题，创新性设计了能为光电探测器实现光、热、电综合应力试验环境的装置。
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公开(公告)号：CN114966252B
公开(公告)日：2024-07-02
申请号：CN202111505888.0
申请日：2021-12-10
Applicant: 上海精密计量测试研究所
IPC: G01R31/00
Abstract: 本发明提供了一种数字信号处理电路辐照测试系统，所述数字信号处理电路辐照测试系统包括FPGA母板电路、DSP子板电路、上位机和电源模块，所述数字信号处理电路辐照测试系统置于辐照室中进行辐照测试；所述上位机通过网口与FPGA母板电路连接，上位机通过控制FPGA母板电路来控制DSP子板电路的偏置状态；所述电源模块对FPGA母板电路和DSP子板电路进行供电，所述电源模块采用TPS54310芯片，输入电压为5V，输出电压在0.9V‑3.3V之间调节。本发明通过字母板的设计方案，可以同时对两块DSP进行配置，提高了辐射实验的效率，并且能够进行动态偏置和静态偏置两种偏置实验。
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公开(公告)号：CN114414972B
公开(公告)日：2024-05-28
申请号：CN202111530295.X
申请日：2021-12-14
Applicant: 上海精密计量测试研究所
Abstract: 本发明提供了一种基于CMOS图像传感器暗电流来定量质子位移损伤的方法，其特征在于，包括第一步，选取偶数只同晶圆批的CMOS图像传感器，分为两组，计算A组、B组暗电流初值的平均值；第二步，对A组CMOS图像传感器分别进行70MeV质子辐照试验；第三步，取A组中一只器件对其进行结构分析；第四步，采用粒子输运软件Geant4计算电离能损；第五步，对B组的CMOS图像传感器分别进行60Co‑γ射线辐照试验；第六步，计算空间质子位移损伤△μi，△μi＝μAi‑μBi；第七步，拟合△μi‑Fi的变化曲线；第八步，得到定量的空间质子位移损伤。本发明消除电离损伤的影响、定量评价质子位移损伤，结合航天器轨道、倾角、发射年份预估器件抗质子位移损伤能力是否满足要求，对航天器在轨安全运行具有重要意义。
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公开(公告)号：CN116659810A
公开(公告)日：2023-08-29
申请号：CN202310530699.1
申请日：2023-05-11
Applicant: 上海精密计量测试研究所
IPC: G01M11/00 , G06F30/25 , G06F119/02
Abstract: 本发明提供了一种脉宽调制器中子单粒子效应辐照测试系统，包括辐照测试板、直流稳压电源、电子负载、测控模块、显示模块，所述辐照测试系统置于脉冲反应堆中进行在线辐照测试；所述辐照测试板置于辐照室内；直流稳压电源、电子负载、测控模块、显示模块置于测试间；直流稳压电源通过供电线缆为辐照测试板提供直流供电；电子负载连接辐照测试板的输出端；测控模块读取辐照测试板上监测的信号，并通过显示模块进行显示。本发明能够满足脉宽调制器的脉冲反应堆中子在线辐照试验，以及中子单粒子效应测试和表征，获得脉宽调制器的单粒子效应现象及规律，实现对脉宽调制器抗中子单粒子能力的准确评估，指导器件的抗辐射加固设计与宇航可靠性应用。
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公开(公告)号：CN115824914A
公开(公告)日：2023-03-21
申请号：CN202211184592.8
申请日：2022-09-27
Applicant: 上海精密计量测试研究所
Abstract: 本发明提供一种基于微分函数定量估算二极管焊料层孔隙率的方法，首先制备不同孔隙率的二极管器件作为标定样品，采用瞬态热阻测试法获得标定样品的微分函数曲线和热阻值，确定热阻和孔隙率的关系；再将未知焊料孔隙率二极管作为待测样品，测试其微分函数曲线和热阻值；最后将标定样品和待测样品的热特性信息进行对比，确定待测二极管样品的孔隙率范围。通过该方法可准确反映待测样品焊料层的孔隙率特征，提高出厂器件的可靠性和产品良率。本发明解决了现有瞬态热阻测试方法无法定量确定焊料层孔隙率范围的难题，可定量分析多个未知焊料孔隙率的待测样品，并对多个待测样品的焊料孔隙率结果进行统计分析，有助于深入分析该批次产品的焊料工艺情况。
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