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公开(公告)号：CN103389508A
公开(公告)日：2013-11-13
申请号：CN201210140602.8
申请日：2012-05-09
Applicant: 上海精密计量测试研究所
IPC: G01T1/29
Abstract: 本发明涉及一种用于电子加速器束流强度实时监测的装置，包括真空室，位于真空室内的探头，向所述探头提供高压的高压单元，以及收集所述探头所产生次级电子的束流强度显示系统。真空室为高能电子与探头的相互作用提供真空环境；探头与高能电子相互作用产生次级电子；高压单元为次级电子的收集提供高压，微电流计和显示系统对探头输出的次级电子束流进行收集，实时显示束流强度。本发明解决了电子加速器在辐照过程中束流强度变化情况的实时监测问题，对高能电子不会产生阻挡作用，高能电子可以穿过所述用于电子加速器束流强度实时监控的装置。该装置使用方便、可操作性强、稳定性好，对束流强度无损失。
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公开(公告)号：CN103389507A
公开(公告)日：2013-11-13
申请号：CN201210140601.3
申请日：2012-05-09
Applicant: 上海精密计量测试研究所
IPC: G01T1/29
Abstract: 本发明涉及一种用于电子加速器束流强度实时监测的探头，包括至少两个骨架，贯穿所述骨架的开口，覆盖所述开口的金属箔，与所述金属箔电连接的导线。使用本发明的优点在于：厚度小于5μm的金属铝箔对高能电子能损较小，高能电子穿过铝箔时不会产生阻挡作用，使用方便、可操作性强、稳定性好，可以实现束流强度无损监测。采用陶瓷材料制作绝缘环骨架的优点是：高能电子穿过金属箔时会产生高热量，陶瓷材料绝缘性能好，热传导率高，可以快速散热，并且不易发生形变。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN117894818A
公开(公告)日：2024-04-16
申请号：CN202311763529.4
申请日：2023-12-21
Applicant: 上海精密计量测试研究所
IPC: H01L29/06 , G06F30/20 , H01L29/78 , H01L21/336 , G06F111/10
Abstract: 本发明公开了一种基于SIC‑VDMOSFET器件的单粒子烧毁加固结构及其制备方法，通过识别出器件中SEB的敏感区域，针对该位置在N型漂移区结构中合理设置二氧化硅阻挡区，在牺牲少量电特性的前提下，通过阻止出现需要同时承受高电应力与热应力的超高瞬时体积功率区域，提高SEB敏感区域的抗单粒子烧毁能力，进而提高器件整体的抗单粒子烧毁能力。本发明聚焦于电场峰值以及碰撞电离过程，绕开了当前SiC器件的单粒子烧毁机制不明的问题，并具有加固方案相对简单，方案实施更为明确，加固效果受流片工艺线的限制相对较小的特点。
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公开(公告)号：CN117723921A
公开(公告)日：2024-03-19
申请号：CN202311508010.1
申请日：2023-11-14
Applicant: 上海精密计量测试研究所
IPC: G01R31/26
Abstract: 本发明的基于栅源电压表征SiC MOSFET功率器件结温和热阻的方法，其步骤包括：设计SiC MOSFET器件瞬态热阻测试电路，使漏极电流Id和漏源电压Vds维持恒定值。通过恒温油槽使SiC MOSFET器件升温，在热稳态下校准其栅源电压Vgs和结温Tj关系曲线。通过恒定的漏电流Id和漏源电压Vds使SiC MOSFET器件升温，实时监测栅源电压Vgs曲线，结合栅源电压Vgs‑结温Tj关系公式，反推结温Tj曲线。对SiC MOSFET器件结温曲线Tj进行变换，得到瞬态热阻曲线Zth(t)。对SiC MOSFET器件瞬态热阻曲线Zth(t)进行变换，得到微分结构函数曲线，提取各封装结构单元热阻参数。针对SiC基和Si基器件的差异，本发明设计了适用电路，构建了栅源电压Vgs和结温Tj的对应关系，解决了无法通过寄生二极管电压降实时监测SiC MOSFET器件结温的不足。
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公开(公告)号：CN117648902A
公开(公告)日：2024-03-05
申请号：CN202311486006.X
申请日：2023-11-09
Applicant: 上海精密计量测试研究所
IPC: G06F30/398 , G16C60/00 , G06F111/08 , G06F111/10 , G06F119/06 , G06F119/08 , G06F119/14
Abstract: 一种基于SiC‑VDMOSFET器件的单粒子烧毁的仿真方法，其步骤：a、获得所针对建模的SiC‑VDMOSFET器件元胞的结构参数及掺杂参数；b、对三维器件模型合理划分网格；c、采用TCAD中SiC材料专用的物理模型对所建立的三维器件模型先进行电参数校准；d、通过SRIM蒙特卡罗计算所仿真的重离子对象在SiC材料中不同透射深度下的LET值；e、建立三维圆柱状单粒子轰击模型解决了在传统二维单粒子仿真中的第三维度相当于二维形状的延展；f、在TCAD仿真中添加通过源漏界面处晶格温度不超过Ni熔点，作为单粒子烧毁的判据之一；g、沿着离子入射轨迹采集其不同时间下沿着入射深度电场强度以及电流密度的分布曲线，并将同一时刻两者相乘来表征在该时刻下不同位置所承受体积功率密度冲击的强度。
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公开(公告)号：CN202649475U
公开(公告)日：2013-01-02
申请号：CN201220204111.0
申请日：2012-05-09
Applicant: 上海精密计量测试研究所
IPC: G01T1/29
Abstract: 本实用新型涉及一种用于电子加速器束流强度实时监测的装置，包括真空室，位于真空室内的探头，向所述探头提供高压的高压单元，以及收集所述探头所产生次级电子的束流强度显示系统。真空室为高能电子与探头的相互作用提供真空环境；探头与高能电子相互作用产生次级电子；高压单元为次级电子的收集提供高压，微电流记和显示系统对探头输出的次级电子束流进行收集，实时显示束流强度。本实用新型解决了电子加速器在辐照过程中束流强度变化情况的实时监测问题，对高能电子不会产生阻挡作用，高能电子可以穿过所述用于电子加速器束流强度实时监控的装置。该装置使用方便、可操作性强、稳定性好，对束流强度无损失。
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公开(公告)号：CN202649474U
公开(公告)日：2013-01-02
申请号：CN201220204083.2
申请日：2012-05-09
Applicant: 上海精密计量测试研究所
IPC: G01T1/29
Abstract: 本实用新型涉及一种用于电子加速器束流强度实时监测的探头，包括至少两个骨架，贯穿所述骨架的开口，覆盖所述开口的金属箔，与所述金属箔电连接的导线。使用本实用新型的优点在于：厚度小于5μm的金属铝箔对高能电子能损较小，高能电子穿过铝箔时不会产生阻挡作用，使用方便、可操作性强、稳定性好，可以实现束流强度无损监测。采用陶瓷材料制作绝缘环骨架的优点是：高能电子穿过金属箔时会产生高热量，陶瓷材料绝缘性能好，热传导率高，可以快速散热，并且不易发生形变。
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