公开(公告)号：CN117648902A

公开(公告)日：2024-03-05

申请号：CN202311486006.X

申请日：2023-11-09

Applicant: 上海精密计量测试研究所

Inventor： 金森磊 ,  马林东 ,  汪波 ,  张丹 ,  秦林生 ,  王昆黍 ,  孔泽斌 ,  刘元 ,  陈凡 ,  余学峰 ,  郭旗

IPC: G06F30/398 ,  G16C60/00 ,  G06F111/08 ,  G06F111/10 ,  G06F119/06 ,  G06F119/08 ,  G06F119/14

Abstract: 一种基于SiC‑VDMOSFET器件的单粒子烧毁的仿真方法，其步骤：a、获得所针对建模的SiC‑VDMOSFET器件元胞的结构参数及掺杂参数；b、对三维器件模型合理划分网格；c、采用TCAD中SiC材料专用的物理模型对所建立的三维器件模型先进行电参数校准；d、通过SRIM蒙特卡罗计算所仿真的重离子对象在SiC材料中不同透射深度下的LET值；e、建立三维圆柱状单粒子轰击模型解决了在传统二维单粒子仿真中的第三维度相当于二维形状的延展；f、在TCAD仿真中添加通过源漏界面处晶格温度不超过Ni熔点，作为单粒子烧毁的判据之一；g、沿着离子入射轨迹采集其不同时间下沿着入射深度电场强度以及电流密度的分布曲线，并将同一时刻两者相乘来表征在该时刻下不同位置所承受体积功率密度冲击的强度。

公开(公告)号：CN117894818A

公开(公告)日：2024-04-16

申请号：CN202311763529.4

申请日：2023-12-21

Applicant: 上海精密计量测试研究所

Inventor： 秦林生 ,  金森磊 ,  马林东 ,  王昆黍 ,  汪波 ,  梁晓雯 ,  孔泽斌 ,  刘元 ,  琚安安 ,  陈凡 ,  祝伟明 ,  余学峰 ,  郭旗

IPC: H01L29/06 ,  G06F30/20 ,  H01L29/78 ,  H01L21/336 ,  G06F111/10

Abstract: 本发明公开了一种基于SIC‑VDMOSFET器件的单粒子烧毁加固结构及其制备方法，通过识别出器件中SEB的敏感区域，针对该位置在N型漂移区结构中合理设置二氧化硅阻挡区，在牺牲少量电特性的前提下，通过阻止出现需要同时承受高电应力与热应力的超高瞬时体积功率区域，提高SEB敏感区域的抗单粒子烧毁能力，进而提高器件整体的抗单粒子烧毁能力。本发明聚焦于电场峰值以及碰撞电离过程，绕开了当前SiC器件的单粒子烧毁机制不明的问题，并具有加固方案相对简单，方案实施更为明确，加固效果受流片工艺线的限制相对较小的特点。

公开(公告)号：CN117723921A

公开(公告)日：2024-03-19

申请号：CN202311508010.1

申请日：2023-11-14

Applicant: 上海精密计量测试研究所

Inventor： 陈凡 ,  孔泽斌 ,  张丹 ,  琚安安 ,  刘元 ,  王昆黍 ,  祝伟明 ,  余学峰 ,  郭旗

IPC: G01R31/26

Abstract: 本发明的基于栅源电压表征SiC MOSFET功率器件结温和热阻的方法，其步骤包括：设计SiC MOSFET器件瞬态热阻测试电路，使漏极电流Id和漏源电压Vds维持恒定值。通过恒温油槽使SiC MOSFET器件升温，在热稳态下校准其栅源电压Vgs和结温Tj关系曲线。通过恒定的漏电流Id和漏源电压Vds使SiC MOSFET器件升温，实时监测栅源电压Vgs曲线，结合栅源电压Vgs‑结温Tj关系公式，反推结温Tj曲线。对SiC MOSFET器件结温曲线Tj进行变换，得到瞬态热阻曲线Zth(t)。对SiC MOSFET器件瞬态热阻曲线Zth(t)进行变换，得到微分结构函数曲线，提取各封装结构单元热阻参数。针对SiC基和Si基器件的差异，本发明设计了适用电路，构建了栅源电压Vgs和结温Tj的对应关系，解决了无法通过寄生二极管电压降实时监测SiC MOSFET器件结温的不足。