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公开(公告)号：CN113820152B
公开(公告)日：2023-08-11
申请号：CN202110972644.7
申请日：2021-08-24
Applicant: 上海精密计量测试研究所
IPC: G01M99/00
Abstract: 本发明的微波器件电热应力自动化测试评价系统包括应力施加、检测控制、电源和数据处理等子系统；应力施加子系统搁置在鱼骨式支撑架上的隔热板上，由隔热板与风扇板构成可变风道；检测控制子系统和电源子系统位于隔热板下方，且与隔热板有间隔；电源与应力施加子系统用电源线互连，电源线上串有电流传感器；检测控制子系统中夹具与热台上设有温度传感器；检测控制子系统采集温度和电流的数据和并发送给数据处理子系统；数据处理子系统分析测量数据并发送反馈指令，由检测控制子系统控制电源、风扇和热台。本发明解决现有微波器件电热应力测试效率低、准确度低和可靠性低等问题。
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公开(公告)号：CN114414322A
公开(公告)日：2022-04-29
申请号：CN202111504593.1
申请日：2021-12-10
Applicant: 上海精密计量测试研究所
Abstract: 本发明实施例提供了一种浇注可逆元器件制样研磨方法，其特征在于，包括步骤：步骤1：将在80℃熔化成液体的石蜡引流致放置有样品的模具中；步骤2：将冷却固化的石蜡连同其中的样品从模具中取下，开展研磨、抛光，对抛光后的制样进行镜检、拍照；步骤3：采用对样品无损的方式将石蜡熔化成液态，从液状石蜡中取出完成镜检、拍照流程的样品，并对样品进行清洗。
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公开(公告)号：CN114408309A
公开(公告)日：2022-04-29
申请号：CN202111536195.8
申请日：2021-12-14
Applicant: 上海精密计量测试研究所
Abstract: 本发明提供了一种带交联乙烯‑四氟乙烯导线的组件的防腐蚀包装方法，其特征在于，其包括以下步骤：S1、导线前处理：包括将剪好的导线放入烘箱中进行热处理；S2、导线组件包装：包括将热处理过的导线组装成导线组件后进行单元包装，所述单元包装采用自封袋打孔包装或者真空干燥包装。本发明通过对X‑ETFE导线进行前处理将氟元素提前释放，并通过采用自封袋打孔的包装方法，使得包装内含氟物质通过打孔向外散发，从而降低电连接器金属零件的腐蚀速率；或者采用真空干燥包装方法，除去空气中的水气，以有利于延长贮存时间，有效解决了腐蚀的问题。
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公开(公告)号：CN111474465A
公开(公告)日：2020-07-31
申请号：CN202010341888.0
申请日：2020-04-27
Applicant: 上海精密计量测试研究所
IPC: G01R31/311 , G01R1/04
Abstract: 本发明涉及用于EMMI分析的扁平封装半导体器件夹具及分析方法，夹具包括PCB基板、排针、底座、底座插针、簧片阵列、压杆和杆套；底座设置在PCB基板上；底座上设有两列所述簧片阵列；杆套设置在PCB基板上，压杆与杆套连接；待分析扁平封装半导体器件置于底座上，器件两侧的两管脚阵列分别与两列簧片阵列对接，压杆一端部紧压在器件的边框上，使器件管脚阵列与簧片阵列压紧连接；PCB基板上排布有微带引线，簧片阵列通过底座插针与微带引线连接，微带引线与排针连接。本发明的用于EMMI分析的扁平封装半导体器件夹具及分析方法，既能保证扁平封装半导体器件管脚与夹具良好连接，又能使扁平封装半导体器件的芯片充分暴露。
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公开(公告)号：CN117176156A
公开(公告)日：2023-12-05
申请号：CN202311048405.8
申请日：2023-08-18
Applicant: 上海精密计量测试研究所
IPC: H03M1/10
Abstract: 一种数模模数转换器单粒子瞬态效应测试装置及其方法，所述装置主要由程控电源、信号发生器、示波器、测试电路板、电流表组成、待测器件DUT和可编程门阵列FPGA模块组成。待测器件DUT焊接在测试电路板上，程控电源为测试电路板和待测器件提供正常工作需要的电流。程控电源的正极通过电线连接电流表输入端口，经过电流表的输出端口连接至电路板，以此来观察器件工作电流的变化情况。信号发生器通过同轴电缆连接测试电路板的SMA接口，为待测器件提供输入信号，输入信号为方波或者正弦波。待测器件的输出信号通过测试电路板的SMA接口利用同轴电缆连接到示波器，来显示输出的数字或模拟信号。FPGA模块同样焊接在测试电路板上，通过电路板上的金属布线与待测器件连接。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN111007078B
公开(公告)日：2022-06-24
申请号：CN201911091011.4
申请日：2019-11-09
Applicant: 上海精密计量测试研究所
Abstract: 本发明涉及片式钽电容器及其阴极二氧化锰层质量控制方法，包括对样品进行剖面制样，再对制样剖面镜检；剖面镜检中对阴极二氧化锰层质量进行检查，检查是否满足如下要求：阴极二氧化锰层内无尺寸大于钽芯短边1/4的局部分层或空洞；对于A壳或B壳尺寸产品，阴极二氧化锰层内尺寸小于钽芯短边1/4、大于钽芯短边1/6的局部分层或空洞的数量＜4，且不集中在一边；对于C壳及以上尺寸产品，阴极二氧化锰层内尺寸小于钽芯短边1/4、大于钽芯短边1/8的局部分层或空洞的数量＜4，且不集中在一边。本发明增加阴极二氧化锰层质量控制要求，避免存在类似“固有局部电应力集中”的片式钽电容器用于产品，保证产品装机后的可靠性。
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公开(公告)号：CN114414972A
公开(公告)日：2022-04-29
申请号：CN202111530295.X
申请日：2021-12-14
Applicant: 上海精密计量测试研究所
Abstract: 本发明提供了一种基于CMOS图像传感器暗电流来定量质子位移损伤的方法，其特征在于，包括第一步，选取偶数只同晶圆批的CMOS图像传感器，分为两组，计算A组、B组暗电流初值的平均值；第二步，对A组CMOS图像传感器分别进行70MeV质子辐照试验；第三步，取A组中一只器件对其进行结构分析；第四步，采用粒子输运软件Geant4计算电离能损；第五步，对B组的CMOS图像传感器分别进行60Co‑γ射线辐照试验；第六步，计算空间质子位移损伤△μi，△μi＝μAi‑μBi；第七步，拟合△μi‑Fi的变化曲线；第八步，得到定量的空间质子位移损伤。本发明消除电离损伤的影响、定量评价质子位移损伤，结合航天器轨道、倾角、发射年份预估器件抗质子位移损伤能力是否满足要求，对航天器在轨安全运行具有重要意义。
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公开(公告)号：CN111337810A
公开(公告)日：2020-06-26
申请号：CN202010207223.0
申请日：2020-03-23
Applicant: 上海精密计量测试研究所
IPC: G01R31/26
Abstract: 本发明的SMD-3封装功率器件热阻测试装置包括散热基板、环氧框架和电极引出组件；所述环氧框架安装在所述散热基板上；待测SMD-3封装功率器件置于所述环氧框架内，待测SMD-3封装功率器件的第二引出端电极与所述散热基板接触，该第二引出端电极两侧的第一引出端电极和第三引出端电极通过所述电极引出组件与所述热阻测试仪连接；第一引出端电极和第三引出端电极与所述散热基板隔开。本发明的SMD-3封装功率器件热阻测试装置解决了SMD-3封装功率半导体器件热阻测试的问题。
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公开(公告)号：CN114355228B
公开(公告)日：2024-12-31
申请号：CN202111512529.8
申请日：2021-12-11
Applicant: 上海精密计量测试研究所
IPC: G01R31/40
Abstract: 本发明涉及光纤通信模块单粒子效应测试系统和方法，移动靶、重离子枪、FPGA和第二中继器均置于真空辐照室内；被测光纤通信模块安装在移动靶上；SMA接头设置在真空辐照室舱壁上；被测光纤通信模块一路通道连接至SMA接头，再连接至误码仪；被测光纤通信模块其余通道连接FPGA，FPGA通过DB9串口连接至数据采集计算机；电源为被测光纤通信模块和FPGA提供直流稳定电压；主控计算机与电源连接；主控计算机、通讯板、第一中继器依次连接，第一中继器又通过DB9串口第二中继器与被测光纤通信模块内部寄存器连接。本发明涉及光纤通信模块单粒子效应测试系统和方法，能够对光纤通信模块的单粒子效应进行测试。
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公开(公告)号：CN111999626A
公开(公告)日：2020-11-27
申请号：CN202010764233.4
申请日：2020-08-02
Applicant: 上海精密计量测试研究所
IPC: G01R31/26
Abstract: 本发明提供一种可配置的半导体器件I-V特性测试装置及其测试方法，由PCB基板、电源端口、悬空端口、接地端口、第一夹具、第二夹具、单刀三掷开关组和单刀双掷开关组组成；电源端口、悬空端口和接地端口通过PCB基板引出，所述电源端口连接图示仪的电源端；接地端口连接图示仪的接地端；第一夹具和第二夹具分别用于安装失效器件和正常器件。本发明采用通用的双列直插夹具，可以较为简单地实现双列直插封装的半导体器件I-V特性测试，同样能够针对可转换为双列直插的其它形式封装半导体器件的I-V特性进行测试；通过单刀三掷开关切换选择需要进行I-V特性测试的管脚，通过双掷开关组实现失效器件和正常器件的I-V特性曲线快速对比。
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