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公开(公告)号：CN114429884B
公开(公告)日：2023-08-25
申请号：CN202111531871.2
申请日：2021-12-14
Applicant: 上海精密计量测试研究所
IPC: H01H49/00
Abstract: 本发明实施例提供了一种矩形密封电磁继电器的开封方法，包括步骤：将继电器牢固的固定在精密铣床夹具上后，启动铣床后旋转手柄缓慢推进切割片，当切割片触碰到外壳后记录手柄位置，以每次不超过0.1mm的切削量推进切割片。罩壳四边切削完成后，用锉刀将罩壳四边激光熔焊凸起部分修挫平整。用锉刀修搓棱边距离底板约2mm处，修锉深度至罩壳与底板间露出一条密实的焊缝。将继电器移至洁净室进行最后的洁净检查，采用胶带清除切削面周围散落的所有多余物。放大30倍检查确认槽口及熔焊部位没有散落的多余物。用斜口钳在修锉的棱角处沿着露出的焊缝将罩壳撕开一个小口。用尖嘴钳夹紧撕开部分，沿着底板四周卷动罩壳激光熔焊处和槽口处的金属，将罩壳启封。
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公开(公告)号：CN109580305B
公开(公告)日：2021-06-18
申请号：CN201811509557.2
申请日：2018-12-11
Applicant: 上海精密计量测试研究所 , 上海航天信息研究所
IPC: G01N1/28
Abstract: 一种横向元器件制样研磨的方法，该方法步骤如下：步骤一、根据元器件的高度首先确定样品高度，并在制样前于模具内侧标记第一高度，以及第二高度，确保元器件位于样品高度上的中心；步骤二、按要求配置环氧树脂，并将环氧树脂加至模具内的第一高度处；步骤三、待环氧树脂固化后，将元器件横向置于其表面的正中心处；步骤四、再次将环氧树脂加至第二高度，此时元器件位于样品高度上的中心；步骤五、固化后完成制样，新方法与传统制样方法相比，样品体积会有效减小；步骤六、粗磨；步骤七、精磨：使用细砂纸进行精磨，直至形貌达到最佳观测效果；步骤八、抛光：用抛光液及相匹配的抛光布抛光，直至形貌达到最佳观测效果。
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公开(公告)号：CN111392250A
公开(公告)日：2020-07-10
申请号：CN202010207806.3
申请日：2020-03-23
Applicant: 上海精密计量测试研究所
Abstract: 本发明实施例提供了一种模块化危险化学品存储装置，其特征在于，包括至少两个存储盒，每两个存储盒之间通过连接件拼接成整体；其中，存储盒为长方体或正方体，由底板以及四个侧板围绕形成的放置腔(3)，放置腔(3)的上盖开设有孔，形成放置槽(2)，所述放置槽(2)的个数根据使用环境确定。
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公开(公告)号：CN111999626A
公开(公告)日：2020-11-27
申请号：CN202010764233.4
申请日：2020-08-02
Applicant: 上海精密计量测试研究所
IPC: G01R31/26
Abstract: 本发明提供一种可配置的半导体器件I-V特性测试装置及其测试方法，由PCB基板、电源端口、悬空端口、接地端口、第一夹具、第二夹具、单刀三掷开关组和单刀双掷开关组组成；电源端口、悬空端口和接地端口通过PCB基板引出，所述电源端口连接图示仪的电源端；接地端口连接图示仪的接地端；第一夹具和第二夹具分别用于安装失效器件和正常器件。本发明采用通用的双列直插夹具，可以较为简单地实现双列直插封装的半导体器件I-V特性测试，同样能够针对可转换为双列直插的其它形式封装半导体器件的I-V特性进行测试；通过单刀三掷开关切换选择需要进行I-V特性测试的管脚，通过双掷开关组实现失效器件和正常器件的I-V特性曲线快速对比。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN114429884A
公开(公告)日：2022-05-03
申请号：CN202111531871.2
申请日：2021-12-14
Applicant: 上海精密计量测试研究所
IPC: H01H49/00
Abstract: 本发明实施例提供了一种矩形密封电磁继电器的开封方法，包括步骤：将继电器牢固的固定在精密铣床夹具上后，启动铣床后旋转手柄缓慢推进切割片，当切割片触碰到外壳后记录手柄位置，以每次不超过0.1mm的切削量推进切割片。罩壳四边切削完成后，用锉刀将罩壳四边激光熔焊凸起部分修挫平整。用锉刀修搓棱边距离底板约2mm处，修锉深度至罩壳与底板间露出一条密实的焊缝。将继电器移至洁净室进行最后的洁净检查，采用胶带清除切削面周围散落的所有多余物。放大30倍检查确认槽口及熔焊部位没有散落的多余物。用斜口钳在修锉的棱角处沿着露出的焊缝将罩壳撕开一个小口。用尖嘴钳夹紧撕开部分，沿着底板四周卷动罩壳激光熔焊处和槽口处的金属，将罩壳启封。
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公开(公告)号：CN109580305A
公开(公告)日：2019-04-05
申请号：CN201811509557.2
申请日：2018-12-11
Applicant: 上海精密计量测试研究所 , 上海航天信息研究所
IPC: G01N1/28
Abstract: 一种横向元器件制样研磨的方法，该方法步骤如下：步骤一、根据元器件的高度首先确定样品高度，并在制样前于模具内侧标记第一高度，以及第二高度，确保元器件位于样品高度上的中心；步骤二、按要求配置环氧树脂，并将环氧树脂加至模具内的第一高度处；步骤三、待环氧树脂固化后，将元器件横向置于其表面的正中心处；步骤四、再次将环氧树脂加至第二高度，此时元器件位于样品高度上的中心；步骤五、固化后完成制样，新方法与传统制样方法相比，样品体积会有效减小；步骤六、粗磨；步骤七、精磨：使用细砂纸进行精磨，直至形貌达到最佳观测效果；步骤八、抛光：用抛光液及相匹配的抛光布抛光，直至形貌达到最佳观测效果。
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公开(公告)号：CN212667962U
公开(公告)日：2021-03-09
申请号：CN202020374239.6
申请日：2020-03-23
Applicant: 上海精密计量测试研究所
IPC: B65D21/028 , B65D25/04 , B65D25/34 , B65D25/10
Abstract: 本实用新型实施例提供了一种模块化危险化学品存储装置，其特征在于，包括至少两个存储盒，每两个存储盒之间通过连接件拼接成整体；其中，存储盒为长方体或正方体，由底板以及四个侧板围绕形成的放置腔(3)，放置腔(3)的上盖开设有孔，形成放置槽(2)，所述放置槽(2)的个数根据使用环境确定。
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公开(公告)号：CN213041949U
公开(公告)日：2021-04-23
申请号：CN202020379893.6
申请日：2020-03-23
Applicant: 上海精密计量测试研究所
IPC: G01R31/26
Abstract: 本实用新型提供一种F型封装功率器件的热阻测试装置，其特征在于，由散热基板、固定压块和电极引出组件组成；所述散热基板上设置有与各F型封装功率器件尺寸相匹配的多组测试工位，所述电极引出组件包括电极插座和电极引出端，所述电极插座通过电线与所述电极引出端连接；所述电极插座插入各组测试工位中，所述电极引出端与外置电阻测试仪连接。本实用新型提供的F型封装功率器件的热阻测试装置通过散热基板对被测功率器件散热引出端的压紧接触，满足了热量沿一维方向向下传导的要求，可准确地测试出F型封装功率半导体器件的结壳热阻值，对于优化功率器件封装设计、提高器件的可靠性和使用寿命都具有重大意义。
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公开(公告)号：CN213041950U
公开(公告)日：2021-04-23
申请号：CN202021568979.X
申请日：2020-08-02
Applicant: 上海精密计量测试研究所
Abstract: 本实用新型提供一种可配置的半导体器件I‑V特性测试装置，由PCB基板、电源端口、悬空端口、接地端口、第一夹具、第二夹具、单刀三掷开关组和单刀双掷开关组组成；电源端口、悬空端口和接地端口通过PCB基板引出，电源端口连接图示仪的电源端，接地端口连接图示仪的接地端；第一夹具和第二夹具分别用于安装失效器件和正常器件。本实用新型采用通用的双列直插夹具，可以较为简单地实现双列直插封装的半导体器件I‑V特性测试，同样能够针对可转换为双列直插的其它形式封装半导体器件的I‑V特性进行测试；通过单刀三掷开关选择需要进行I‑V特性测试的管脚，通过双掷开关组实现失效器件和正常器件的I‑V特性曲线快速对比。
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