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公开(公告)号：CN114894837A
公开(公告)日：2022-08-12
申请号：CN202210477013.2
申请日：2022-05-02
Applicant: 上海精密计量测试研究所
Abstract: 本发明的定量评估铝基板表面微弧氧化膜散热性和绝缘性的方法包括：制备微弧氧化膜厚度不同的铝合金基板作为标定基板；表征铝合金基板表面微弧氧化膜厚度与铝合金基板绝缘性能的关系；在各标定基板上封装LED芯片制得标定样品；采用瞬态热阻法测试各标定样品的热阻；根据微分函数曲线确定微弧氧化膜厚度与微弧氧化膜热阻的独立关系；根据微弧氧化膜厚度、微弧氧化膜热阻和铝合金基板绝缘性能的关系，判定微弧氧化膜的安全厚度范围。本发明解决了现有技术既无法独立评估铝基板表面微弧氧化膜厚度对微弧氧化膜热阻的影响，又没有确定微弧氧化膜最小临界厚度的问题。
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公开(公告)号：CN111007078A
公开(公告)日：2020-04-14
申请号：CN201911091011.4
申请日：2019-11-09
Applicant: 上海精密计量测试研究所
Abstract: 本发明涉及片式钽电容器及其阴极二氧化锰层质量控制方法，包括对样品进行剖面制样，再对制样剖面镜检；剖面镜检中对阴极二氧化锰层质量进行检查，检查是否满足如下要求：阴极二氧化锰层内无尺寸大于钽芯短边1/4的局部分层或空洞；对于A壳或B壳尺寸产品，阴极二氧化锰层内尺寸小于钽芯短边1/4、大于钽芯短边1/6的局部分层或空洞的数量＜4，且不集中在一边；对于C壳及以上尺寸产品，阴极二氧化锰层内尺寸小于钽芯短边1/4、大于钽芯短边1/8的局部分层或空洞的数量＜4，且不集中在一边。本发明增加阴极二氧化锰层质量控制要求，避免存在类似“固有局部电应力集中”的片式钽电容器用于产品，保证产品装机后的可靠性。
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公开(公告)号：CN117872073A
公开(公告)日：2024-04-12
申请号：CN202311695083.6
申请日：2023-12-11
Applicant: 上海精密计量测试研究所
IPC: G01R31/26 , G01R1/36 , G05B19/042
Abstract: 本发明公开了一种绝缘栅极双极性晶体管环境试验的高压偏置系统，系统采用集成化设计，将开关电路控制模块，开关指令模块和保护电路模块集成于一体。实现在IGBT器件环境可靠性试验过程中对试验系统的保护；实现在线对高压偏置下受试器件的切换功能，避免了因为对受试验器件偏置切换而中环境试验，提高了功率半导体器件环境可靠性试验的效率和安全性。该技术提高了IGBT器件环境可靠性试验的效率，同时保证了IGBT器件在环境可靠性试验中高压偏置下的安全性。本发明的设计方法简单易懂，工程实现容易，对功率半导体器件环境可靠性试验偏置电路的设计具有重要的工程应用价值。
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公开(公告)号：CN114414322A
公开(公告)日：2022-04-29
申请号：CN202111504593.1
申请日：2021-12-10
Applicant: 上海精密计量测试研究所
Abstract: 本发明实施例提供了一种浇注可逆元器件制样研磨方法，其特征在于，包括步骤：步骤1：将在80℃熔化成液体的石蜡引流致放置有样品的模具中；步骤2：将冷却固化的石蜡连同其中的样品从模具中取下，开展研磨、抛光，对抛光后的制样进行镜检、拍照；步骤3：采用对样品无损的方式将石蜡熔化成液态，从液状石蜡中取出完成镜检、拍照流程的样品，并对样品进行清洗。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN114429884A
公开(公告)日：2022-05-03
申请号：CN202111531871.2
申请日：2021-12-14
Applicant: 上海精密计量测试研究所
IPC: H01H49/00
Abstract: 本发明实施例提供了一种矩形密封电磁继电器的开封方法，包括步骤：将继电器牢固的固定在精密铣床夹具上后，启动铣床后旋转手柄缓慢推进切割片，当切割片触碰到外壳后记录手柄位置，以每次不超过0.1mm的切削量推进切割片。罩壳四边切削完成后，用锉刀将罩壳四边激光熔焊凸起部分修挫平整。用锉刀修搓棱边距离底板约2mm处，修锉深度至罩壳与底板间露出一条密实的焊缝。将继电器移至洁净室进行最后的洁净检查，采用胶带清除切削面周围散落的所有多余物。放大30倍检查确认槽口及熔焊部位没有散落的多余物。用斜口钳在修锉的棱角处沿着露出的焊缝将罩壳撕开一个小口。用尖嘴钳夹紧撕开部分，沿着底板四周卷动罩壳激光熔焊处和槽口处的金属，将罩壳启封。
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公开(公告)号：CN114429884B
公开(公告)日：2023-08-25
申请号：CN202111531871.2
申请日：2021-12-14
Applicant: 上海精密计量测试研究所
IPC: H01H49/00
Abstract: 本发明实施例提供了一种矩形密封电磁继电器的开封方法，包括步骤：将继电器牢固的固定在精密铣床夹具上后，启动铣床后旋转手柄缓慢推进切割片，当切割片触碰到外壳后记录手柄位置，以每次不超过0.1mm的切削量推进切割片。罩壳四边切削完成后，用锉刀将罩壳四边激光熔焊凸起部分修挫平整。用锉刀修搓棱边距离底板约2mm处，修锉深度至罩壳与底板间露出一条密实的焊缝。将继电器移至洁净室进行最后的洁净检查，采用胶带清除切削面周围散落的所有多余物。放大30倍检查确认槽口及熔焊部位没有散落的多余物。用斜口钳在修锉的棱角处沿着露出的焊缝将罩壳撕开一个小口。用尖嘴钳夹紧撕开部分，沿着底板四周卷动罩壳激光熔焊处和槽口处的金属，将罩壳启封。
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公开(公告)号：CN111007078B
公开(公告)日：2022-06-24
申请号：CN201911091011.4
申请日：2019-11-09
Applicant: 上海精密计量测试研究所
Abstract: 本发明涉及片式钽电容器及其阴极二氧化锰层质量控制方法，包括对样品进行剖面制样，再对制样剖面镜检；剖面镜检中对阴极二氧化锰层质量进行检查，检查是否满足如下要求：阴极二氧化锰层内无尺寸大于钽芯短边1/4的局部分层或空洞；对于A壳或B壳尺寸产品，阴极二氧化锰层内尺寸小于钽芯短边1/4、大于钽芯短边1/6的局部分层或空洞的数量＜4，且不集中在一边；对于C壳及以上尺寸产品，阴极二氧化锰层内尺寸小于钽芯短边1/4、大于钽芯短边1/8的局部分层或空洞的数量＜4，且不集中在一边。本发明增加阴极二氧化锰层质量控制要求，避免存在类似“固有局部电应力集中”的片式钽电容器用于产品，保证产品装机后的可靠性。
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公开(公告)号：CN111337810A
公开(公告)日：2020-06-26
申请号：CN202010207223.0
申请日：2020-03-23
Applicant: 上海精密计量测试研究所
IPC: G01R31/26
Abstract: 本发明的SMD-3封装功率器件热阻测试装置包括散热基板、环氧框架和电极引出组件；所述环氧框架安装在所述散热基板上；待测SMD-3封装功率器件置于所述环氧框架内，待测SMD-3封装功率器件的第二引出端电极与所述散热基板接触，该第二引出端电极两侧的第一引出端电极和第三引出端电极通过所述电极引出组件与所述热阻测试仪连接；第一引出端电极和第三引出端电极与所述散热基板隔开。本发明的SMD-3封装功率器件热阻测试装置解决了SMD-3封装功率半导体器件热阻测试的问题。
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公开(公告)号：CN212207568U
公开(公告)日：2020-12-22
申请号：CN202020374303.0
申请日：2020-03-23
Applicant: 上海精密计量测试研究所
IPC: G01R31/26
Abstract: 本实用新型的SMD‑3封装功率器件热阻测试装置包括散热基板、环氧框架和电极引出组件；所述环氧框架安装在所述散热基板上；待测SMD‑3封装功率器件置于所述环氧框架内，待测SMD‑3封装功率器件的第二引出端电极与所述散热基板接触，满足散热同时形成电连接；该第二引出端电极两侧的第一引出端电极和第三引出端电极通过所述电极引出组件与热阻测试仪连接；第一引出端电极和第三引出端电极与所述散热基板隔开。本实用新型的SMD‑3封装功率器件热阻测试装置解决了SMD‑3封装功率半导体器件热阻测试的问题。
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