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公开(公告)号：CN105551528A
公开(公告)日：2016-05-04
申请号：CN201510906033.7
申请日：2015-12-10
Applicant: 上海精密计量测试研究所
IPC: G11C29/56
CPC classification number: G11C29/56016
Abstract: 本发明提供了基于ATE的高速大容量多芯片Flash模块的测试装置及方法，本发明提供的基于ATE的高速大容量多芯片Flash模块的测试装置包括：自动测试设备、测试转接电路、测试控制机；所述转接电路用于连接自动测试设备与待测Flash模块，通过所述测试控制机控制自动测试设备测试。
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公开(公告)号：CN117890758A
公开(公告)日：2024-04-16
申请号：CN202311757259.6
申请日：2023-12-20
Applicant: 上海精密计量测试研究所
Abstract: 本发明提供一种FPGA芯片高温筛选测试装置，包括工装socket、温控板、接口板和ATE设备；所述工装socket内设置有热敏电阻、大功率加热电阻和风扇；所述接口板上设置有信号接口；所述温控板通过金手指接插件与接口板进行信号交互，温控板通过接口板和ATE设备在硬件上形成通讯链路；通过所述温控板进行FPGA芯片的温度控制，并将温控效果自动反馈给所述ATE设备，当检测到芯片温度达到测试要求时，机台端自动开始测试。本发明提供的FPGA芯片高温筛选测试装置及其测试方法减少了人工操作，简化了测试流程，节省了占地面积。
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公开(公告)号：CN114894838A
公开(公告)日：2022-08-12
申请号：CN202210477014.7
申请日：2022-05-02
Applicant: 上海精密计量测试研究所
Abstract: 本发明的定量评估NMOS晶体管焊料层孔隙安全分布区域的方法包括：制备一系列焊料层孔隙率相同、孔隙分布位置不同的标定样品；通过超声波扫描显微镜验证各标定样品焊料层孔隙分布情况；采用瞬态热阻法获得孔隙位置与热阻参数的关系；根据孔隙位置与热阻参数的关系，确定焊料层孔隙的安全分布范围。本发明根据焊料孔隙‑芯片焊盘中心点间距，定量确定焊料层孔隙的安全分布区域，剔除含有显著影响散热性能孔隙的器件，保留含有不显著影响散热性能孔隙的器件，减少NMOS晶体管不必要的批退、返厂和报废，提升NMOS晶体管的利用率，解决了传统方法无法定量评估焊料孔隙位置对NMOS晶体管散热性能影响程度的不足。
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公开(公告)号：CN111337810A
公开(公告)日：2020-06-26
申请号：CN202010207223.0
申请日：2020-03-23
Applicant: 上海精密计量测试研究所
IPC: G01R31/26
Abstract: 本发明的SMD-3封装功率器件热阻测试装置包括散热基板、环氧框架和电极引出组件；所述环氧框架安装在所述散热基板上；待测SMD-3封装功率器件置于所述环氧框架内，待测SMD-3封装功率器件的第二引出端电极与所述散热基板接触，该第二引出端电极两侧的第一引出端电极和第三引出端电极通过所述电极引出组件与所述热阻测试仪连接；第一引出端电极和第三引出端电极与所述散热基板隔开。本发明的SMD-3封装功率器件热阻测试装置解决了SMD-3封装功率半导体器件热阻测试的问题。
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公开(公告)号：CN106847343A
公开(公告)日：2017-06-13
申请号：CN201611122146.9
申请日：2016-12-08
Applicant: 上海精密计量测试研究所 , 上海航天信息研究所
IPC: G11C29/56
CPC classification number: G11C29/56 , G11C2029/5606
Abstract: 本发明提供一种基于自动测试设备的MARM存储器的测试方法，所述测试方法包括：步骤S1，将自动测试设备与MARM 存储器电连接；步骤S2，对MRAM存储器进行全芯片存储单元读写功能验证；步骤S3，根据MARM存储器工作参数设定要求，对MARM存储器进行直流参数验证和交流参数验证。本发明提供的方法利用自动测试设备针对MARM存储器进行测试，能够发现MARM存储器的故障，所述测试方法能够检测MARM存在的各种可能的失效模式，包括：全芯片存储单元读写功能验证；直流参数验证和交流参数验证。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN106526454A
公开(公告)日：2017-03-22
申请号：CN201611042197.0
申请日：2016-11-24
Applicant: 上海精密计量测试研究所 , 上海航天信息研究所
IPC: G01R31/28
CPC classification number: G01R31/2834 , G01R31/2868
Abstract: 本发明提供一种基于ATE的FPGA配置芯片的测试方法，其特征在于，包括：设定器件工作电源、输入电平、输出电平、参考电平、负载电流的值，设定器件的上电次序，设定器件的地址信号、控制信号和数据信号的数据格式、时序、通道和控制寄存器的分配，分别进行全芯片的擦除与验证、单个扇区的擦除与验证、写状态寄存器验证、读芯片ID验证、全芯片存储单元的读写功能验证、写保护验证、直流参数验证以及交流参数验证。本发明提出的基于ATE的FPGA配置芯片的测试方法，基于T5385ES超大规模集成电路存储器测试系统，针对EPCS16SI8N编写专用的测试图形，完成对EPCS16SI8N的测试，检测其可能存在的失效模式。
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公开(公告)号：CN114894838B
公开(公告)日：2025-02-18
申请号：CN202210477014.7
申请日：2022-05-02
Applicant: 上海精密计量测试研究所
Abstract: 本发明的定量评估NMOS晶体管焊料层孔隙安全分布区域的方法包括：制备一系列焊料层孔隙率相同、孔隙分布位置不同的标定样品；通过超声波扫描显微镜验证各标定样品焊料层孔隙分布情况；采用瞬态热阻法获得孔隙位置与热阻参数的关系；根据孔隙位置与热阻参数的关系，确定焊料层孔隙的安全分布范围。本发明根据焊料孔隙‑芯片焊盘中心点间距，定量确定焊料层孔隙的安全分布区域，剔除含有显著影响散热性能孔隙的器件，保留含有不显著影响散热性能孔隙的器件，减少NMOS晶体管不必要的批退、返厂和报废，提升NMOS晶体管的利用率，解决了传统方法无法定量评估焊料孔隙位置对NMOS晶体管散热性能影响程度的不足。
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公开(公告)号：CN115900985A
公开(公告)日：2023-04-04
申请号：CN202211113585.9
申请日：2022-09-14
Applicant: 上海精密计量测试研究所
Abstract: 本发明提供了一种结构差异法获取LED荧光胶最高温度的方法，其特征在于，包括下述步骤：S1，制备三种封装结构的LED器件，LED器件I芯片裸露，LED器件II芯片表面覆盖硅胶，LED器件III芯片表面覆盖荧光胶；S2，与三种器件对应分别建立三种光学和热学结构不同的模型；S3，积分球分别测试LED器件II和LED器件III的光辐射功率，分别获得LED器件III的芯片发热功率和荧光胶发热功率；S4：使用瞬态热阻法测试三种器件的芯片结温和芯片PN结‑环境整体热阻；S5，根据结构差异法，获得LED器件III的荧光胶最高温度。本发明获得LED器件III的荧光胶最高温度，解决了传统方法无法测试LED芯片表面荧光胶最高温度的不足，避免了荧光胶温度过高对LED发光效率和封装可靠性的影响。
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公开(公告)号：CN105548859A
公开(公告)日：2016-05-04
申请号：CN201510906021.4
申请日：2015-12-09
Applicant: 上海精密计量测试研究所
IPC: G01R31/28
CPC classification number: G01R31/28 , G01R31/003
Abstract: 本发明公开了一种用于环境测试的测试设备及测试方法，本发明公开的用于环境测试的测试设备包括：设备板和转接板，所述设备板包括第一直插接口和第一线缆接口，所述转接板包括第二直插接口和第二线缆接口。本发明提供的方案可以用于严酷的环境测试。
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公开(公告)号：CN213042271U
公开(公告)日：2021-04-23
申请号：CN202021356576.9
申请日：2020-07-10
Applicant: 上海精密计量测试研究所
IPC: G06F11/22
Abstract: 本实用新型提供一种V4型FPGA在线配置测试接口板，所述接口板上设置有I/O接口、电源接口和配置接口；I/O接口连接被测FPGA的I/O引脚与测试设备的数字通道，对FPGA输入信号以及对输出信号进行比较判断；电源接口连接被测FPGA的电源引脚与测试设备的电源模块，对FPGA电源进行供电；配置接口与测试设备的数字通道直接连接。本实用新型解决的问题是提供一种在线配置FPGA的测试接口板，以解决配置程序容量有限的问题，以及每次配置程序加载，操作复杂、无法自动测试、效率不高的问题和减少硬件资源配置，降低测试接口板成本的问题，并且解决J750‑EX测试设备硬件资源与FPGA电源驱动电流无法匹配的问题。
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