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公开(公告)号：CN111999626A
公开(公告)日：2020-11-27
申请号：CN202010764233.4
申请日：2020-08-02
Applicant: 上海精密计量测试研究所
IPC: G01R31/26
Abstract: 本发明提供一种可配置的半导体器件I-V特性测试装置及其测试方法，由PCB基板、电源端口、悬空端口、接地端口、第一夹具、第二夹具、单刀三掷开关组和单刀双掷开关组组成；电源端口、悬空端口和接地端口通过PCB基板引出，所述电源端口连接图示仪的电源端；接地端口连接图示仪的接地端；第一夹具和第二夹具分别用于安装失效器件和正常器件。本发明采用通用的双列直插夹具，可以较为简单地实现双列直插封装的半导体器件I-V特性测试，同样能够针对可转换为双列直插的其它形式封装半导体器件的I-V特性进行测试；通过单刀三掷开关切换选择需要进行I-V特性测试的管脚，通过双掷开关组实现失效器件和正常器件的I-V特性曲线快速对比。
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公开(公告)号：CN111273164A
公开(公告)日：2020-06-12
申请号：CN202010165155.6
申请日：2020-03-11
Applicant: 上海精密计量测试研究所
IPC: G01R31/311 , G01R31/28
Abstract: 本发明公开了一种电压调整器动态EMMI分析系统及分析方法,包括：EMMI平台、PCB基板、外部电源、信号发生器、V-I源。PCB基板置于EMMI平台上，PCB基板上通过插针安装有夹具一和夹具二，PCB基板包括信号端、电源端、公共地、负载端4个端口，4个端口分别与信号发生器、外部电源、系统地、V-I源相连，夹具一和夹具二分别用以安装失效电压调器和正常电压调整器。通过包含外部电源、信号发生器、V-I源在内的动态EMMI分析系统，能够使电压调整器内部器件进入工作状态，从而有效激发能够被微光显微镜获所取的缺陷。将失效电压调整器和正常电压调整器进行相同方式的加电，并且通过开关进行统一切换，能够快速实现动态EMMI图像的对比。
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公开(公告)号：CN111007078A
公开(公告)日：2020-04-14
申请号：CN201911091011.4
申请日：2019-11-09
Applicant: 上海精密计量测试研究所
Abstract: 本发明涉及片式钽电容器及其阴极二氧化锰层质量控制方法，包括对样品进行剖面制样，再对制样剖面镜检；剖面镜检中对阴极二氧化锰层质量进行检查，检查是否满足如下要求：阴极二氧化锰层内无尺寸大于钽芯短边1/4的局部分层或空洞；对于A壳或B壳尺寸产品，阴极二氧化锰层内尺寸小于钽芯短边1/4、大于钽芯短边1/6的局部分层或空洞的数量＜4，且不集中在一边；对于C壳及以上尺寸产品，阴极二氧化锰层内尺寸小于钽芯短边1/4、大于钽芯短边1/8的局部分层或空洞的数量＜4，且不集中在一边。本发明增加阴极二氧化锰层质量控制要求，避免存在类似“固有局部电应力集中”的片式钽电容器用于产品，保证产品装机后的可靠性。
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公开(公告)号：CN111579956B
公开(公告)日：2022-09-20
申请号：CN202010267509.8
申请日：2020-04-08
Applicant: 上海精密计量测试研究所
Abstract: 本发明涉及可调节表贴封装半导体器件夹具及测试方法，夹具包括第一PCB基板、第二PCB基板、可调节连接组件、底座、簧片、底座插针、插针和弹力带；第一PCB基板和第二PCB基板上均排布有微带线；第一PCB基板和所述第二PCB基板上各设置一底座；两底座上均设有簧片，簧片通过底座插针与微带线连接，微带线与插针连接；第一PCB基板通过所述可调节连接组件与第二PCB基板连接，调节可调节连接组件改变第一PCB基板与第二PCB基板之间的相对位置，从而改变两底座之间的相对位置；待测表贴封装半导体器件两侧的管脚分别与两底座上的簧片接触，并通过弹力带将待测表贴封装半导体器件绑定在两底座上，使管脚与簧片紧压。
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公开(公告)号：CN111579956A
公开(公告)日：2020-08-25
申请号：CN202010267509.8
申请日：2020-04-08
Applicant: 上海精密计量测试研究所
Abstract: 本发明涉及可调节表贴封装半导体器件夹具及测试方法，夹具包括第一PCB基板、第二PCB基板、可调节连接组件、底座、簧片、底座插针、插针和弹力带；第一PCB基板和第二PCB基板上均排布有微带线；第一PCB基板和所述第二PCB基板上各设置一底座；两底座上均设有簧片，簧片通过底座插针与微带线连接，微带线与插针连接；第一PCB基板通过所述可调节连接组件与第二PCB基板连接，调节可调节连接组件改变第一PCB基板与第二PCB基板之间的相对位置，从而改变两底座之间的相对位置；待测表贴封装半导体器件两侧的管脚分别与两底座上的簧片接触，并通过弹力带将待测表贴封装半导体器件绑定在两底座上，使管脚与簧片紧压。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN111392250A
公开(公告)日：2020-07-10
申请号：CN202010207806.3
申请日：2020-03-23
Applicant: 上海精密计量测试研究所
Abstract: 本发明实施例提供了一种模块化危险化学品存储装置，其特征在于，包括至少两个存储盒，每两个存储盒之间通过连接件拼接成整体；其中，存储盒为长方体或正方体，由底板以及四个侧板围绕形成的放置腔(3)，放置腔(3)的上盖开设有孔，形成放置槽(2)，所述放置槽(2)的个数根据使用环境确定。
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公开(公告)号：CN114976810B
公开(公告)日：2025-02-14
申请号：CN202210047734.X
申请日：2022-01-17
Applicant: 上海精密计量测试研究所
Abstract: 本发明提供了一种超微矩形电连接器0.28mm弹性绞线插针的加工工艺方法，其特征在于，包括下述步骤：步骤一、进行铜丝清洗除油、铜丝预镀、绞线、校直工序；步骤二、进行激光切割、激光焊接工序；步骤三、进行鼓腰、整形、挑选、清洗除油、时效工序；步骤四、进行镀金及镀后检查工序；步骤五、进行检查外观工序；步骤六、进行插拔试力、挑选和检验入库工序。本发明可适用于0.635mm接点间距超微矩形电连接器0.28mm弹性绞线插针的加工，解决了针头熔焊点塌陷、褶皱、变形的问题，显著提升了针头表面镀层质量，采用本发明工艺方法加工的针头熔焊点饱满、圆润光滑，镀层连续致密且光亮，且耐硝酸腐蚀能力从原状态5min提升到17min，能满足宇航使用含氟导线等耐环境要求。
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公开(公告)号：CN114894838A
公开(公告)日：2022-08-12
申请号：CN202210477014.7
申请日：2022-05-02
Applicant: 上海精密计量测试研究所
Abstract: 本发明的定量评估NMOS晶体管焊料层孔隙安全分布区域的方法包括：制备一系列焊料层孔隙率相同、孔隙分布位置不同的标定样品；通过超声波扫描显微镜验证各标定样品焊料层孔隙分布情况；采用瞬态热阻法获得孔隙位置与热阻参数的关系；根据孔隙位置与热阻参数的关系，确定焊料层孔隙的安全分布范围。本发明根据焊料孔隙‑芯片焊盘中心点间距，定量确定焊料层孔隙的安全分布区域，剔除含有显著影响散热性能孔隙的器件，保留含有不显著影响散热性能孔隙的器件，减少NMOS晶体管不必要的批退、返厂和报废，提升NMOS晶体管的利用率，解决了传统方法无法定量评估焊料孔隙位置对NMOS晶体管散热性能影响程度的不足。
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公开(公告)号：CN111474465A
公开(公告)日：2020-07-31
申请号：CN202010341888.0
申请日：2020-04-27
Applicant: 上海精密计量测试研究所
IPC: G01R31/311 , G01R1/04
Abstract: 本发明涉及用于EMMI分析的扁平封装半导体器件夹具及分析方法，夹具包括PCB基板、排针、底座、底座插针、簧片阵列、压杆和杆套；底座设置在PCB基板上；底座上设有两列所述簧片阵列；杆套设置在PCB基板上，压杆与杆套连接；待分析扁平封装半导体器件置于底座上，器件两侧的两管脚阵列分别与两列簧片阵列对接，压杆一端部紧压在器件的边框上，使器件管脚阵列与簧片阵列压紧连接；PCB基板上排布有微带引线，簧片阵列通过底座插针与微带引线连接，微带引线与排针连接。本发明的用于EMMI分析的扁平封装半导体器件夹具及分析方法，既能保证扁平封装半导体器件管脚与夹具良好连接，又能使扁平封装半导体器件的芯片充分暴露。
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公开(公告)号：CN114966362A
公开(公告)日：2022-08-30
申请号：CN202210156115.4
申请日：2022-02-21
Applicant: 上海精密计量测试研究所
Abstract: 本发明公开了一种塑封倒装焊芯片凸点可靠性评估方法，包括：一、将封装好的倒装焊芯片进行电性能测试，测试完成后抽取样品进行超声波扫描检查；二、保留一定样品作为对照，对其余样品进行预处理；三、预处理完成后对样品进行超声波扫描检查；四、对样品进行电性能测试；五、将样品分为A、B、C三组，A组进行温度循环、B组进行UHAST、C组进行HAST试验；六、试验完成后对样品进行电性能测试；七、抽部分温度循环后的样品用3DXRAY观察指定凸点；八、对3DXRAY发现异常的凸点切片观察截面；九、结合3DXRAY的俯视图、侧视图和截面观察，判断凸点是空洞还是开裂，如果是空洞，在判据范围内是合格，如果是裂纹且有延伸趋势，则凸点不能保证长期应用的可靠性。
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