一种红外实时监测功率二极管芯片温度的方法

    公开(公告)号:CN115524008A

    公开(公告)日:2022-12-27

    申请号:CN202211113584.4

    申请日:2022-09-14

    Abstract: 本发明提供了一种红外实时监测功率二极管芯片温度的方法,其特征在于,包括:在待测功率二极管芯片表面制备碳化硼‑聚酰亚胺涂层;将功率二极管芯片接入老化电路,采用发射率校准红外法实时监测功率二极管芯片温度。本发明通过在芯片表面制备发射率ε均匀一致的碳化硼‑聚酰亚胺涂层,解决了因芯片表面材料发射率ε不一致而无法采用传统红外法准确测试芯片温度的问题,同时验证了涂层不会影响芯片表面电流和温度的分布状态。

    定量评估铝基板表面微弧氧化膜散热性和绝缘性的方法

    公开(公告)号:CN114894837A

    公开(公告)日:2022-08-12

    申请号:CN202210477013.2

    申请日:2022-05-02

    Abstract: 本发明的定量评估铝基板表面微弧氧化膜散热性和绝缘性的方法包括:制备微弧氧化膜厚度不同的铝合金基板作为标定基板;表征铝合金基板表面微弧氧化膜厚度与铝合金基板绝缘性能的关系;在各标定基板上封装LED芯片制得标定样品;采用瞬态热阻法测试各标定样品的热阻;根据微分函数曲线确定微弧氧化膜厚度与微弧氧化膜热阻的独立关系;根据微弧氧化膜厚度、微弧氧化膜热阻和铝合金基板绝缘性能的关系,判定微弧氧化膜的安全厚度范围。本发明解决了现有技术既无法独立评估铝基板表面微弧氧化膜厚度对微弧氧化膜热阻的影响,又没有确定微弧氧化膜最小临界厚度的问题。

    微动开关自动检测系统
    3.
    发明公开

    公开(公告)号:CN112557009A

    公开(公告)日:2021-03-26

    申请号:CN202011388436.4

    申请日:2020-12-01

    Abstract: 本发明提供了一种微动开关自动检测系统,由控制软件和设备硬件组成。系统的软件主要为测试程序及相关的操作界面程序;设备硬件通过模块化设计,具备可拆卸、再次柔性组合的特点,主要由行程测试装置、控制器、启动开关、接触电阻测试仪、耐压绝缘测试仪、测试机台和电气箱组成。本发明可以解决开关检测手动测试效率低下及综合参数无法单机测试问题,达到通过一台设备完成多类综合参数测试的目的,实现微动开关机械性能参数的自动测试,提高测试效率。

    微波器件电热应力施加自动化测试评价系统

    公开(公告)号:CN113820152B

    公开(公告)日:2023-08-11

    申请号:CN202110972644.7

    申请日:2021-08-24

    Abstract: 本发明的微波器件电热应力自动化测试评价系统包括应力施加、检测控制、电源和数据处理等子系统;应力施加子系统搁置在鱼骨式支撑架上的隔热板上,由隔热板与风扇板构成可变风道;检测控制子系统和电源子系统位于隔热板下方,且与隔热板有间隔;电源与应力施加子系统用电源线互连,电源线上串有电流传感器;检测控制子系统中夹具与热台上设有温度传感器;检测控制子系统采集温度和电流的数据和并发送给数据处理子系统;数据处理子系统分析测量数据并发送反馈指令,由检测控制子系统控制电源、风扇和热台。本发明解决现有微波器件电热应力测试效率低、准确度低和可靠性低等问题。

    定量评估NMOS晶体管焊料层孔隙安全分布区域的方法

    公开(公告)号:CN114894838A

    公开(公告)日:2022-08-12

    申请号:CN202210477014.7

    申请日:2022-05-02

    Abstract: 本发明的定量评估NMOS晶体管焊料层孔隙安全分布区域的方法包括:制备一系列焊料层孔隙率相同、孔隙分布位置不同的标定样品;通过超声波扫描显微镜验证各标定样品焊料层孔隙分布情况;采用瞬态热阻法获得孔隙位置与热阻参数的关系;根据孔隙位置与热阻参数的关系,确定焊料层孔隙的安全分布范围。本发明根据焊料孔隙‑芯片焊盘中心点间距,定量确定焊料层孔隙的安全分布区域,剔除含有显著影响散热性能孔隙的器件,保留含有不显著影响散热性能孔隙的器件,减少NMOS晶体管不必要的批退、返厂和报废,提升NMOS晶体管的利用率,解决了传统方法无法定量评估焊料孔隙位置对NMOS晶体管散热性能影响程度的不足。

    一种微动开关自动检测装置

    公开(公告)号:CN109580198A

    公开(公告)日:2019-04-05

    申请号:CN201811515336.6

    申请日:2018-12-12

    Abstract: 本发明的一种微动开关自动检测装置,由移动工作台、精密伺服传动系统、微动开关对中装置、力传感器、位移传感器组成;所述移动工作平台承载力传感器工装,并作为精密伺服传动系统的导轨可在一维方向上进行往复运动;所述微动开关对中装置通过调整将微动开关与传感器进行轴向对中;所述力传感器和位移传感器通过实时力和位移信号的输出实现装置运动的双闭环控制。由于本装置的丝杆输入端采用伺服电机、谐波减速、丝杆相连接的传动方式,鉴于谐波减速比足够大,对其前端误差进行大幅削减,在不考虑装配误差的情况下,机械传动理论精度可达0.001mm,在理论上确保了机械传动精度控制合理。

    倒装封装的GaN基LED芯片温度实时监测方法

    公开(公告)号:CN116295845A

    公开(公告)日:2023-06-23

    申请号:CN202211184228.1

    申请日:2022-09-27

    Abstract: 本发明提供一种倒装封装的GaN基LED芯片温度实时监测方法,包括:制备倒装封装的GaN基LED器件;积分球透射法测试蓝宝石基片红外透射率;红外相机间接表征YAG:Ce3+荧光胶的红外透射状态;积分球反射计法测试GaN基LED芯片的红外发射率;特定光谱波长的锑化铟红外透射法和瞬态热阻法分别测试GaN基LED芯片温度,验证锑化铟红外透射法的测温准确性;GaN基LED器件接入老化电路,特定光谱波长的锑化铟红外透射法实时监测GaN基LED芯片温度。本发明验证了特定波长红外光在蓝宝石基片和YAG:Ce3+荧光胶的透射性,解决现有技术无法实时监测倒装封装的GaN基LED芯片温度的问题。

    一种矩形密封电磁继电器的开封方法

    公开(公告)号:CN114429884B

    公开(公告)日:2023-08-25

    申请号:CN202111531871.2

    申请日:2021-12-14

    Abstract: 本发明实施例提供了一种矩形密封电磁继电器的开封方法,包括步骤:将继电器牢固的固定在精密铣床夹具上后,启动铣床后旋转手柄缓慢推进切割片,当切割片触碰到外壳后记录手柄位置,以每次不超过0.1mm的切削量推进切割片。罩壳四边切削完成后,用锉刀将罩壳四边激光熔焊凸起部分修挫平整。用锉刀修搓棱边距离底板约2mm处,修锉深度至罩壳与底板间露出一条密实的焊缝。将继电器移至洁净室进行最后的洁净检查,采用胶带清除切削面周围散落的所有多余物。放大30倍检查确认槽口及熔焊部位没有散落的多余物。用斜口钳在修锉的棱角处沿着露出的焊缝将罩壳撕开一个小口。用尖嘴钳夹紧撕开部分,沿着底板四周卷动罩壳激光熔焊处和槽口处的金属,将罩壳启封。

    定量评估NMOS晶体管焊料层孔隙安全分布区域的方法

    公开(公告)号:CN114894838B

    公开(公告)日:2025-02-18

    申请号:CN202210477014.7

    申请日:2022-05-02

    Abstract: 本发明的定量评估NMOS晶体管焊料层孔隙安全分布区域的方法包括:制备一系列焊料层孔隙率相同、孔隙分布位置不同的标定样品;通过超声波扫描显微镜验证各标定样品焊料层孔隙分布情况;采用瞬态热阻法获得孔隙位置与热阻参数的关系;根据孔隙位置与热阻参数的关系,确定焊料层孔隙的安全分布范围。本发明根据焊料孔隙‑芯片焊盘中心点间距,定量确定焊料层孔隙的安全分布区域,剔除含有显著影响散热性能孔隙的器件,保留含有不显著影响散热性能孔隙的器件,减少NMOS晶体管不必要的批退、返厂和报废,提升NMOS晶体管的利用率,解决了传统方法无法定量评估焊料孔隙位置对NMOS晶体管散热性能影响程度的不足。

    一种基于微分函数定量估算二极管焊料层孔隙率的方法

    公开(公告)号:CN115824914A

    公开(公告)日:2023-03-21

    申请号:CN202211184592.8

    申请日:2022-09-27

    Abstract: 本发明提供一种基于微分函数定量估算二极管焊料层孔隙率的方法,首先制备不同孔隙率的二极管器件作为标定样品,采用瞬态热阻测试法获得标定样品的微分函数曲线和热阻值,确定热阻和孔隙率的关系;再将未知焊料孔隙率二极管作为待测样品,测试其微分函数曲线和热阻值;最后将标定样品和待测样品的热特性信息进行对比,确定待测二极管样品的孔隙率范围。通过该方法可准确反映待测样品焊料层的孔隙率特征,提高出厂器件的可靠性和产品良率。本发明解决了现有瞬态热阻测试方法无法定量确定焊料层孔隙率范围的难题,可定量分析多个未知焊料孔隙率的待测样品,并对多个待测样品的焊料孔隙率结果进行统计分析,有助于深入分析该批次产品的焊料工艺情况。

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