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公开(公告)号：CN111007078A
公开(公告)日：2020-04-14
申请号：CN201911091011.4
申请日：2019-11-09
Applicant: 上海精密计量测试研究所
Abstract: 本发明涉及片式钽电容器及其阴极二氧化锰层质量控制方法，包括对样品进行剖面制样，再对制样剖面镜检；剖面镜检中对阴极二氧化锰层质量进行检查，检查是否满足如下要求：阴极二氧化锰层内无尺寸大于钽芯短边1/4的局部分层或空洞；对于A壳或B壳尺寸产品，阴极二氧化锰层内尺寸小于钽芯短边1/4、大于钽芯短边1/6的局部分层或空洞的数量＜4，且不集中在一边；对于C壳及以上尺寸产品，阴极二氧化锰层内尺寸小于钽芯短边1/4、大于钽芯短边1/8的局部分层或空洞的数量＜4，且不集中在一边。本发明增加阴极二氧化锰层质量控制要求，避免存在类似“固有局部电应力集中”的片式钽电容器用于产品，保证产品装机后的可靠性。
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公开(公告)号：CN118393245A
公开(公告)日：2024-07-26
申请号：CN202410348251.2
申请日：2024-03-26
Applicant: 上海精密计量测试研究所
Abstract: 本发明公开了一种光电探测器光、热、电综合应力下寿命考核试验装置，包括：光源、拆换法兰盘、导光筒、高温试验箱、隔热玻璃、滑轨、遮光板、测试子板、子母板连接线、测试母板、操作台、电控柜、环境控制装置、氮气瓶，高温试验箱内部底座上安装滑轨，测试子板与滑轨相连接，遮光板能实现测试过程中高温试验箱光场的均匀、可控，隔热玻璃密封安装在高温试验箱左侧，导光筒通过拆换法兰盘安装光源。本发明解决了高温试验条件下，温度导致的光源性能漂移，以及传统测试装置难以实现对光电探测器件试验过程中实际受到的光源辐照量进行标定和控制的问题，创新性设计了能为光电探测器实现光、热、电综合应力试验环境的装置。
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公开(公告)号：CN114414972B
公开(公告)日：2024-05-28
申请号：CN202111530295.X
申请日：2021-12-14
Applicant: 上海精密计量测试研究所
Abstract: 本发明提供了一种基于CMOS图像传感器暗电流来定量质子位移损伤的方法，其特征在于，包括第一步，选取偶数只同晶圆批的CMOS图像传感器，分为两组，计算A组、B组暗电流初值的平均值；第二步，对A组CMOS图像传感器分别进行70MeV质子辐照试验；第三步，取A组中一只器件对其进行结构分析；第四步，采用粒子输运软件Geant4计算电离能损；第五步，对B组的CMOS图像传感器分别进行60Co‑γ射线辐照试验；第六步，计算空间质子位移损伤△μi，△μi＝μAi‑μBi；第七步，拟合△μi‑Fi的变化曲线；第八步，得到定量的空间质子位移损伤。本发明消除电离损伤的影响、定量评价质子位移损伤，结合航天器轨道、倾角、发射年份预估器件抗质子位移损伤能力是否满足要求，对航天器在轨安全运行具有重要意义。
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公开(公告)号：CN114136975A
公开(公告)日：2022-03-04
申请号：CN202111298816.3
申请日：2021-11-04
Applicant: 上海精密计量测试研究所
IPC: G01N21/88 , G01N21/95 , G01N21/956 , G01N21/01
Abstract: 本发明提供了一种微波裸芯片表面缺陷智能检测系统，包括相机、光源、工控机、运动平台和平台驱动器；裸芯片固定于运动平台的平面中，通过平台驱动器驱动运动平台的移动，使相机采集到芯片表面图像；相机与工控机连接，将采集到的芯片表面图像送到工控机进行处理；工控机与平台驱动器连接，对相机和平台驱动器进行参数设置。本发明有效避免了漏检情况的发生，大幅提升了缺陷识别检测效率，降低了人工劳动强度。
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公开(公告)号：CN113820152A
公开(公告)日：2021-12-21
申请号：CN202110972644.7
申请日：2021-08-24
Applicant: 上海精密计量测试研究所
IPC: G01M99/00
Abstract: 本发明的微波器件电热应力自动化测试评价系统包括应力施加、检测控制、电源和数据处理等子系统；应力施加子系统搁置在鱼骨式支撑架上的隔热板上，由隔热板与风扇板构成可变风道；检测控制子系统和电源子系统位于隔热板下方，且与隔热板有间隔；电源与应力施加子系统用电源线互连，电源线上串有电流传感器；检测控制子系统中夹具与热台上设有温度传感器；检测控制子系统采集温度和电流的数据和并发送给数据处理子系统；数据处理子系统分析测量数据并发送反馈指令，由检测控制子系统控制电源、风扇和热台。本发明解决现有微波器件电热应力测试效率低、准确度低和可靠性低等问题。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN114414971B
公开(公告)日：2024-05-28
申请号：CN202111530294.5
申请日：2021-12-14
Applicant: 上海精密计量测试研究所
Abstract: 本发明提供了一种基于CMOS图像传感器暗电流来定量质子电离损伤的方法，包括第一步，选取2只同晶圆批的CMOS图像传感器，分为A组、B组，第二步，对A组的CMOS图像传感器进行70MeV质子辐照试验；第三步，对A组CMOS图像传感器进行结构分析；第四步，采用粒子输运软件Geant4计算非电离能损，计算出位移损伤剂量；第五步，采用粒子输运软件Geant4计算非电离能损，根据位移损伤剂量计算出对应的中子注量Fni；第六步，对B组的CMOS图像传感器进行反应堆中子辐照试验；第七步，计算空间质子电离损伤△μi，△μi＝μAi‑μBi；第八步，拟合△μi‑Fpi的变化曲线。本发明消除位移损伤的影响、定量评价质子电离损伤，精准预判器件在轨性能退化趋势，提前做好防护措施，对航天器在轨安全运行具有重要意义。
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公开(公告)号：CN113820152B
公开(公告)日：2023-08-11
申请号：CN202110972644.7
申请日：2021-08-24
Applicant: 上海精密计量测试研究所
IPC: G01M99/00
Abstract: 本发明的微波器件电热应力自动化测试评价系统包括应力施加、检测控制、电源和数据处理等子系统；应力施加子系统搁置在鱼骨式支撑架上的隔热板上，由隔热板与风扇板构成可变风道；检测控制子系统和电源子系统位于隔热板下方，且与隔热板有间隔；电源与应力施加子系统用电源线互连，电源线上串有电流传感器；检测控制子系统中夹具与热台上设有温度传感器；检测控制子系统采集温度和电流的数据和并发送给数据处理子系统；数据处理子系统分析测量数据并发送反馈指令，由检测控制子系统控制电源、风扇和热台。本发明解决现有微波器件电热应力测试效率低、准确度低和可靠性低等问题。
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公开(公告)号：CN114414971A
公开(公告)日：2022-04-29
申请号：CN202111530294.5
申请日：2021-12-14
Applicant: 上海精密计量测试研究所
Abstract: 本发明提供了一种基于CMOS图像传感器暗电流来定量质子电离损伤的方法，包括第一步，选取2只同晶圆批的CMOS图像传感器，分为A组、B组，第二步，对A组的CMOS图像传感器进行70MeV质子辐照试验；第三步，对A组CMOS图像传感器进行结构分析；第四步，采用粒子输运软件Geant4计算非电离能损，计算出位移损伤剂量；第五步，采用粒子输运软件Geant4计算非电离能损，根据位移损伤剂量计算出对应的中子注量Fni；第六步，对B组的CMOS图像传感器进行反应堆中子辐照试验；第七步，计算空间质子电离损伤△μi，△μi＝μAi‑μBi；第八步，拟合△μi‑Fpi的变化曲线。本发明消除位移损伤的影响、定量评价质子电离损伤，精准预判器件在轨性能退化趋势，提前做好防护措施，对航天器在轨安全运行具有重要意义。
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公开(公告)号：CN117890758A
公开(公告)日：2024-04-16
申请号：CN202311757259.6
申请日：2023-12-20
Applicant: 上海精密计量测试研究所
Abstract: 本发明提供一种FPGA芯片高温筛选测试装置，包括工装socket、温控板、接口板和ATE设备；所述工装socket内设置有热敏电阻、大功率加热电阻和风扇；所述接口板上设置有信号接口；所述温控板通过金手指接插件与接口板进行信号交互，温控板通过接口板和ATE设备在硬件上形成通讯链路；通过所述温控板进行FPGA芯片的温度控制，并将温控效果自动反馈给所述ATE设备，当检测到芯片温度达到测试要求时，机台端自动开始测试。本发明提供的FPGA芯片高温筛选测试装置及其测试方法减少了人工操作，简化了测试流程，节省了占地面积。
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公开(公告)号：CN115273958A
公开(公告)日：2022-11-01
申请号：CN202210644934.3
申请日：2022-06-08
Applicant: 上海精密计量测试研究所
Abstract: 本发明提供了一种基于T5385ES测试设备的测试接口装置，其特征在于，其只由一块母板测试板组成，包括测试设备接口、POGO PIN接口，所述POGOPIN接口与测试设备接口采用PCB走线进行连接，所述测试设备接口采用同轴接口模块与T5385ES测试设备硬件资源连接，所述POGO PIN接口与测试接口子板连接，为被测器件DUT提供电源及输入输出信号。本发明提供的T5385ES测试设备改进型接口母板设计，用POGO PIN连接器替代传统的矩形电连接器、印制板电连接器，用印制板走线替代低频线缆、数据线缆，使测试设备接口装置更加小巧、轻薄，更节约空间，简化装配流程，易于维修，而且传输速率更快，更好的发挥T5385ES性能，满足高速存储器测试需求。
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