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公开(公告)号：CN114414971B
公开(公告)日：2024-05-28
申请号：CN202111530294.5
申请日：2021-12-14
Applicant: 上海精密计量测试研究所
Abstract: 本发明提供了一种基于CMOS图像传感器暗电流来定量质子电离损伤的方法，包括第一步，选取2只同晶圆批的CMOS图像传感器，分为A组、B组，第二步，对A组的CMOS图像传感器进行70MeV质子辐照试验；第三步，对A组CMOS图像传感器进行结构分析；第四步，采用粒子输运软件Geant4计算非电离能损，计算出位移损伤剂量；第五步，采用粒子输运软件Geant4计算非电离能损，根据位移损伤剂量计算出对应的中子注量Fni；第六步，对B组的CMOS图像传感器进行反应堆中子辐照试验；第七步，计算空间质子电离损伤△μi，△μi＝μAi‑μBi；第八步，拟合△μi‑Fpi的变化曲线。本发明消除位移损伤的影响、定量评价质子电离损伤，精准预判器件在轨性能退化趋势，提前做好防护措施，对航天器在轨安全运行具有重要意义。
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公开(公告)号：CN114414971A
公开(公告)日：2022-04-29
申请号：CN202111530294.5
申请日：2021-12-14
Applicant: 上海精密计量测试研究所
Abstract: 本发明提供了一种基于CMOS图像传感器暗电流来定量质子电离损伤的方法，包括第一步，选取2只同晶圆批的CMOS图像传感器，分为A组、B组，第二步，对A组的CMOS图像传感器进行70MeV质子辐照试验；第三步，对A组CMOS图像传感器进行结构分析；第四步，采用粒子输运软件Geant4计算非电离能损，计算出位移损伤剂量；第五步，采用粒子输运软件Geant4计算非电离能损，根据位移损伤剂量计算出对应的中子注量Fni；第六步，对B组的CMOS图像传感器进行反应堆中子辐照试验；第七步，计算空间质子电离损伤△μi，△μi＝μAi‑μBi；第八步，拟合△μi‑Fpi的变化曲线。本发明消除位移损伤的影响、定量评价质子电离损伤，精准预判器件在轨性能退化趋势，提前做好防护措施，对航天器在轨安全运行具有重要意义。
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公开(公告)号：CN108226748A
公开(公告)日：2018-06-29
申请号：CN201711268879.8
申请日：2017-12-05
Applicant: 上海精密计量测试研究所 , 上海航天信息研究所
Abstract: 本发明提供了一种用于SoC片上系统的单粒子效应测试方法，本发明包括对SoC处理器内部CPU单元、存储器单元、用户定义逻辑单元以及AD和DA、串行接口电路等外设单元单粒子效应的测试，可以对SoC处理器内部不同结构单元的单粒子效应进行有效测试，实现对SoC处理器单粒子效应的全面、合理评估。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN108226748B
公开(公告)日：2020-01-31
申请号：CN201711268879.8
申请日：2017-12-05
Applicant: 上海精密计量测试研究所 , 上海航天信息研究所
Abstract: 本发明提供了一种用于SoC片上系统的单粒子效应测试方法，本发明包括对SoC处理器内部CPU单元、存储器单元、用户定义逻辑单元以及AD和DA、串行接口电路等外设单元单粒子效应的测试，可以对SoC处理器内部不同结构单元的单粒子效应进行有效测试，实现对SoC处理器单粒子效应的全面、合理评估。
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公开(公告)号：CN108267298A
公开(公告)日：2018-07-10
申请号：CN201711223104.9
申请日：2017-11-29
Applicant: 上海精密计量测试研究所 , 上海航天信息研究所
IPC: G01M11/02
CPC classification number: G01M11/00
Abstract: 本发明提供了一种CMOS图像传感器光谱响应空间辐射损伤的测试设备及其方法：利用溴钨灯等卤素灯光源发出光，经过积分球无数次反射后输出均匀光，均匀光通过滤波轮上不同的滤光片变成不同波长的单色光，调整放置在三维样品调整台上的待测CMOS图像传感器，使不同波长的单色光照射在光敏面上，根据所采集的图像信息得出CMOS图像传感器的光谱响应，再将CMOS图像传感器受高能粒子辐照后，再进行一次测试，得到器件的光谱响应辐射损伤。本发明能够对CMOS图像传感器光谱响应的辐射损伤进行定量的分析评价，为星用CMOS图像传感器的选型、抗辐射加固设计以及器件受辐照后光响应性能退化的机理研究提供检测手段。
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公开(公告)号：CN108181521A
公开(公告)日：2018-06-19
申请号：CN201711226250.7
申请日：2017-11-29
Applicant: 上海精密计量测试研究所 , 上海航天信息研究所
IPC: G01R31/00
Abstract: 本发明提供了一种用于CMOS图像传感器单粒子效应检测的设备及检测方法，本发明采用脉冲激光单粒子微束试验，可以准确定位到不同功能模块。根据器件版图工艺结构，对CMOS图像传感器不同子电路逐点扫描，实时监测、记录、识别器件不同区域发生单粒子效应时图像异常表现形式，获得单粒子效应异常图像特征库，建立CMOS图像传感器单粒子效应表征技术；本发明实现了在线实时识别不同的CMOS图像传感器单粒子效应，可在线实时检测CMOS图像传感器的单粒子瞬态、单粒子翻转、单粒子功能中断和单粒子锁定；本发明可实现图像实时无损传输，解决图像在传输过程中诸如噪声干扰、卡屏等问题。
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公开(公告)号：CN106855613A
公开(公告)日：2017-06-16
申请号：CN201510887314.2
申请日：2015-12-07
Applicant: 上海精密计量测试研究所
IPC: G01R31/40
CPC classification number: G01R31/40
Abstract: 本发明公开了一种用于二次电源模块单粒子辐射效应测试的装置包括：数字示波器、测温单元、PCB板、夹具；所述夹具安装于PCB板，所述夹具底部具有第一通孔，所述测温单元安装于所述第一通孔，二次电源模块安装于夹具时，二次电源模块的底部与测温单元的测温部件接触；所述数字示波器采集测温部件的输出。
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公开(公告)号：CN106644111A
公开(公告)日：2017-05-10
申请号：CN201610972829.7
申请日：2016-11-07
Applicant: 上海精密计量测试研究所 , 上海航天探维传媒科技有限公司
Abstract: 本发明提供一种真空测温装置，包括温度传感器、数据采集装置和数据处理装置；所述温度传感器为铂薄膜热敏电阻。本发明提供的真空测温装置灵敏度高、工作温度范围宽、使用方便且稳定性好，在真空元件的测温领域取得了良好的效果。
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