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公开(公告)号：CN108181521A
公开(公告)日：2018-06-19
申请号：CN201711226250.7
申请日：2017-11-29
Applicant: 上海精密计量测试研究所 , 上海航天信息研究所
IPC: G01R31/00
Abstract: 本发明提供了一种用于CMOS图像传感器单粒子效应检测的设备及检测方法，本发明采用脉冲激光单粒子微束试验，可以准确定位到不同功能模块。根据器件版图工艺结构，对CMOS图像传感器不同子电路逐点扫描，实时监测、记录、识别器件不同区域发生单粒子效应时图像异常表现形式，获得单粒子效应异常图像特征库，建立CMOS图像传感器单粒子效应表征技术；本发明实现了在线实时识别不同的CMOS图像传感器单粒子效应，可在线实时检测CMOS图像传感器的单粒子瞬态、单粒子翻转、单粒子功能中断和单粒子锁定；本发明可实现图像实时无损传输，解决图像在传输过程中诸如噪声干扰、卡屏等问题。
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公开(公告)号：CN109633467A
公开(公告)日：2019-04-16
申请号：CN201811547730.8
申请日：2018-12-18
Applicant: 上海精密计量测试研究所 , 上海航天信息研究所
IPC: G01R31/385
Abstract: 本发明一种宇航用锂电池管理芯片可靠性验证方法，步骤如下：步骤一、设计评价指标体系，对宇航用锂电池管理芯片可靠性关键参数进行分析；步骤二、根据评价指标体系设计评价验证试验项目；步骤三、开展结构分析工作；步骤四、开展电特性一致性分析；步骤五、开展极限性能评估；步骤六、开展抗辐射性能评估；步骤七、开展电特性适应性验证；步骤八、开展力学环境和热学环境适应性验证。本发明为获取元器件的应用特性数据，并降低锂离子蓄电池管理芯片在航天器应用电路内的风险，可有效对宇航用锂电池管理芯片开展相关可靠性验证，以评估其宇航应用适应性。
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公开(公告)号：CN108226748A
公开(公告)日：2018-06-29
申请号：CN201711268879.8
申请日：2017-12-05
Applicant: 上海精密计量测试研究所 , 上海航天信息研究所
Abstract: 本发明提供了一种用于SoC片上系统的单粒子效应测试方法，本发明包括对SoC处理器内部CPU单元、存储器单元、用户定义逻辑单元以及AD和DA、串行接口电路等外设单元单粒子效应的测试，可以对SoC处理器内部不同结构单元的单粒子效应进行有效测试，实现对SoC处理器单粒子效应的全面、合理评估。
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公开(公告)号：CN106686065A
公开(公告)日：2017-05-17
申请号：CN201611121520.3
申请日：2016-12-08
Applicant: 上海精密计量测试研究所 , 上海航天信息研究所
IPC: H04L29/08
CPC classification number: H04L67/12
Abstract: 本发明提供一种用于辐射效应自动化采集的通信管理装置，包括工业机箱，还包括：通信板，每一通信板具有六路串行接口及MAX系列通信芯片，每一MAX通信芯片支持至少两种通信方式，所述通信板用于辐射效应测试系统的通信数据采集；后台监控系统，用于向通信板发出指令，接收并显示来自通信板的数据，监控通信板的状态；总线板，与每一通信板以及后台监控系统电连接，将电源板的电信号提供给通信板及后台监控系统。本发明能够实现不同自动化设备的通信集成，实现数据共享的同时，具有较高的实时性。
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公开(公告)号：CN108226748B
公开(公告)日：2020-01-31
申请号：CN201711268879.8
申请日：2017-12-05
Applicant: 上海精密计量测试研究所 , 上海航天信息研究所
Abstract: 本发明提供了一种用于SoC片上系统的单粒子效应测试方法，本发明包括对SoC处理器内部CPU单元、存储器单元、用户定义逻辑单元以及AD和DA、串行接口电路等外设单元单粒子效应的测试，可以对SoC处理器内部不同结构单元的单粒子效应进行有效测试，实现对SoC处理器单粒子效应的全面、合理评估。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN108267298A
公开(公告)日：2018-07-10
申请号：CN201711223104.9
申请日：2017-11-29
Applicant: 上海精密计量测试研究所 , 上海航天信息研究所
IPC: G01M11/02
CPC classification number: G01M11/00
Abstract: 本发明提供了一种CMOS图像传感器光谱响应空间辐射损伤的测试设备及其方法：利用溴钨灯等卤素灯光源发出光，经过积分球无数次反射后输出均匀光，均匀光通过滤波轮上不同的滤光片变成不同波长的单色光，调整放置在三维样品调整台上的待测CMOS图像传感器，使不同波长的单色光照射在光敏面上，根据所采集的图像信息得出CMOS图像传感器的光谱响应，再将CMOS图像传感器受高能粒子辐照后，再进行一次测试，得到器件的光谱响应辐射损伤。本发明能够对CMOS图像传感器光谱响应的辐射损伤进行定量的分析评价，为星用CMOS图像传感器的选型、抗辐射加固设计以及器件受辐照后光响应性能退化的机理研究提供检测手段。
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公开(公告)号：CN114355228B
公开(公告)日：2024-12-31
申请号：CN202111512529.8
申请日：2021-12-11
Applicant: 上海精密计量测试研究所
IPC: G01R31/40
Abstract: 本发明涉及光纤通信模块单粒子效应测试系统和方法，移动靶、重离子枪、FPGA和第二中继器均置于真空辐照室内；被测光纤通信模块安装在移动靶上；SMA接头设置在真空辐照室舱壁上；被测光纤通信模块一路通道连接至SMA接头，再连接至误码仪；被测光纤通信模块其余通道连接FPGA，FPGA通过DB9串口连接至数据采集计算机；电源为被测光纤通信模块和FPGA提供直流稳定电压；主控计算机与电源连接；主控计算机、通讯板、第一中继器依次连接，第一中继器又通过DB9串口第二中继器与被测光纤通信模块内部寄存器连接。本发明涉及光纤通信模块单粒子效应测试系统和方法，能够对光纤通信模块的单粒子效应进行测试。
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公开(公告)号：CN117810668A
公开(公告)日：2024-04-02
申请号：CN202311797555.9
申请日：2023-12-26
Applicant: 上海精密计量测试研究所
Abstract: 本发明提出一种可3D集成毫米波双腔滤波装置和耦合方法。与现有技术相比，本发明解决了传统开放式传输线构建的毫米波器件在自由空间内易辐射和损耗高的问题；同时基于将二维电路堆叠成三维滤波装置的方法，与传统金属波导滤波装置相比较，降低了制备成本，准圆波导谐振腔的可调谐参数更丰富，适用于灵活构建耦合窗口。采用了多种隔离方法来降低高密度SIP集成中的电磁波互耦合问题，激励了正交模式的准TE和TM模，构建了独立的正负耦合路径。本滤波装置的双零点灵活可调，端口适配于多种电磁波传输和耦合，既可以单独构建器件，也可用于毫米波器件的测试，或直接与SIP器件集成。
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公开(公告)号：CN111060796B
公开(公告)日：2022-06-24
申请号：CN201911262362.7
申请日：2019-12-11
Applicant: 上海精密计量测试研究所 , 上海航天控制技术研究所
IPC: G01R31/26
Abstract: 本发明实施例提供了一种用于光敏三级管空间位移效应检测方法，其特征在于，包括步骤：步骤1：将辐照电路单元送入位于质子加速器束流出口处；其中，辐照电路单元包括：光电转换单元、电压采集单元、偏置电路以及至少两个光敏三级管；步骤2：加工作电压对辐照电路单元进行辐照前通电测试，确保其能正常工作；步骤3：开始质子辐照试验，试验过程中通过路径选通切换单元实时记录采样电压；步骤4：改变试验条件，测试光敏三级管质子辐射下的测试数据。
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公开(公告)号：CN118131020A
公开(公告)日：2024-06-04
申请号：CN202410398464.6
申请日：2024-04-03
Applicant: 上海精密计量测试研究所
IPC: G01R31/28
Abstract: 本发明提供一种预测BGA塑封器件焊球温度循环寿命的方法，包括：选取通过车规级AEC认证的BGA塑封器件，获得温度循环失效器件序数和失效周期；定位BGA焊球失效区域，结合X射线和剖面研磨确定其失效模式；计算特定次数温度循环试验条件下发生失效的器件数量；给出通过车规级AEC认证的BGA塑封器件温度循环本征寿命区间[Bmin，Bmax]；计算通过车规级AEC认证的BGA塑封器件温度循环本征平均寿命区间[Pmin，Pmax]；比较后给出未经AEC认证试验器件是否能满足AEC温度循环试验可靠性的结论。本发明解决了传统方法无法基于有限的实验数据准确预测特定置信度下BGA塑封器件温度循环寿命的问题。
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