可配置的半导体器件I-V特性测试装置及其测试方法

    公开(公告)号:CN111999626A

    公开(公告)日:2020-11-27

    申请号:CN202010764233.4

    申请日:2020-08-02

    Abstract: 本发明提供一种可配置的半导体器件I-V特性测试装置及其测试方法,由PCB基板、电源端口、悬空端口、接地端口、第一夹具、第二夹具、单刀三掷开关组和单刀双掷开关组组成;电源端口、悬空端口和接地端口通过PCB基板引出,所述电源端口连接图示仪的电源端;接地端口连接图示仪的接地端;第一夹具和第二夹具分别用于安装失效器件和正常器件。本发明采用通用的双列直插夹具,可以较为简单地实现双列直插封装的半导体器件I-V特性测试,同样能够针对可转换为双列直插的其它形式封装半导体器件的I-V特性进行测试;通过单刀三掷开关切换选择需要进行I-V特性测试的管脚,通过双掷开关组实现失效器件和正常器件的I-V特性曲线快速对比。

    一种数字信号处理电路辐照测试系统和辐照测试方法

    公开(公告)号:CN114966252A

    公开(公告)日:2022-08-30

    申请号:CN202111505888.0

    申请日:2021-12-10

    Abstract: 本发明提供了一种数字信号处理电路辐照测试系统,所述数字信号处理电路辐照测试系统包括FPGA母板电路、DSP子板电路、上位机和电源模块,所述数字信号处理电路辐照测试系统置于辐照室中进行辐照测试;所述上位机通过网口与FPGA母板电路连接,上位机通过控制FPGA母板电路来控制DSP子板电路的偏置状态;所述电源模块对FPGA母板电路和DSP子板电路进行供电,所述电源模块采用TPS54310芯片,输入电压为5V,输出电压在0.9V‑3.3V之间调节。本发明通过字母板的设计方案,可以同时对两块DSP进行配置,提高了辐射实验的效率,并且能够进行动态偏置和静态偏置两种偏置实验。

    一种浇注可逆元器件制样研磨方法

    公开(公告)号:CN114414322A

    公开(公告)日:2022-04-29

    申请号:CN202111504593.1

    申请日:2021-12-10

    Abstract: 本发明实施例提供了一种浇注可逆元器件制样研磨方法,其特征在于,包括步骤:步骤1:将在80℃熔化成液体的石蜡引流致放置有样品的模具中;步骤2:将冷却固化的石蜡连同其中的样品从模具中取下,开展研磨、抛光,对抛光后的制样进行镜检、拍照;步骤3:采用对样品无损的方式将石蜡熔化成液态,从液状石蜡中取出完成镜检、拍照流程的样品,并对样品进行清洗。

    一种数字信号处理电路辐照测试系统和辐照测试方法

    公开(公告)号:CN114966252B

    公开(公告)日:2024-07-02

    申请号:CN202111505888.0

    申请日:2021-12-10

    Abstract: 本发明提供了一种数字信号处理电路辐照测试系统,所述数字信号处理电路辐照测试系统包括FPGA母板电路、DSP子板电路、上位机和电源模块,所述数字信号处理电路辐照测试系统置于辐照室中进行辐照测试;所述上位机通过网口与FPGA母板电路连接,上位机通过控制FPGA母板电路来控制DSP子板电路的偏置状态;所述电源模块对FPGA母板电路和DSP子板电路进行供电,所述电源模块采用TPS54310芯片,输入电压为5V,输出电压在0.9V‑3.3V之间调节。本发明通过字母板的设计方案,可以同时对两块DSP进行配置,提高了辐射实验的效率,并且能够进行动态偏置和静态偏置两种偏置实验。

    可配置的半导体器件I-V特性测试装置

    公开(公告)号:CN213041950U

    公开(公告)日:2021-04-23

    申请号:CN202021568979.X

    申请日:2020-08-02

    Abstract: 本实用新型提供一种可配置的半导体器件I‑V特性测试装置,由PCB基板、电源端口、悬空端口、接地端口、第一夹具、第二夹具、单刀三掷开关组和单刀双掷开关组组成;电源端口、悬空端口和接地端口通过PCB基板引出,电源端口连接图示仪的电源端,接地端口连接图示仪的接地端;第一夹具和第二夹具分别用于安装失效器件和正常器件。本实用新型采用通用的双列直插夹具,可以较为简单地实现双列直插封装的半导体器件I‑V特性测试,同样能够针对可转换为双列直插的其它形式封装半导体器件的I‑V特性进行测试;通过单刀三掷开关选择需要进行I‑V特性测试的管脚,通过双掷开关组实现失效器件和正常器件的I‑V特性曲线快速对比。

Patent Agency Ranking