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公开(公告)号：CN113985130B
公开(公告)日：2024-04-12
申请号：CN202110880766.3
申请日：2021-08-02
Applicant: 上海精密计量测试研究所
Abstract: 本发明提供了一种带线电连接器直流电阻测试自动测试系统及测试方法。所述系统包括：计算机(1)；测试控制主机(2)，包括多路测试单元(5)与运动控制单元(6)；配对转接工装(3)，包括测试电缆一(21)、转接电缆(22)，所述测试电缆一(21)一端与多通道测试接口(16)相连，另一端与转接电缆(22)相连；夹持装置(4)，包括正反牙丝杆滑台(23)、步进电机(20)、齿形刀片组合(24)、测试电缆二(25)、送线夹具(26)，所述齿形刀片组合(24)为具有多个齿尖刃口的上、下刀片，上刀片(31)与下刀片(32)齿尖与齿尖相对安装固定。本发明可通过一次装夹，简单、高效、准确地实现带线电连接器各接点的直流电阻测试。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN113985130A
公开(公告)日：2022-01-28
申请号：CN202110880766.3
申请日：2021-08-02
Applicant: 上海精密计量测试研究所
Abstract: 本发明提供了一种带线电连接器直流电阻测试自动测试系统及测试方法。所述系统包括：计算机(1)；测试控制主机(2)，包括多路测试单元(5)与运动控制单元(6)；配对转接工装(3)，包括测试电缆一(21)、转接电缆(22)，所述测试电缆一(21)一端与多通道测试接口(16)相连，另一端与转接电缆(22)相连；夹持装置(4)，包括正反牙丝杆滑台(23)、步进电机(20)、齿形刀片组合(24)、测试电缆二(25)、送线夹具(26)，所述齿形刀片组合(24)为具有多个齿尖刃口的上、下刀片，上刀片(31)与下刀片(32)齿尖与齿尖相对安装固定。本发明可通过一次装夹，简单、高效、准确地实现带线电连接器各接点的直流电阻测试。
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公开(公告)号：CN116090190A
公开(公告)日：2023-05-09
申请号：CN202211630676.X
申请日：2022-12-19
Applicant: 上海精密计量测试研究所
IPC: G06F30/20 , G06F119/04
Abstract: 本发明提供一种元器件加速寿命预测模型评估方法，包括如下步骤：S1、利用所有数据建立可靠度模型R*(t)；设T1,T2,T3,…,TS为产品的加速应力；S2、将加速应力以S‑1：1的比例进行划分，将数据划分为训练数据和测试数据；S3、根据每个组合中的训练数据建立可靠度模型，推导测试数据对应应力的可靠度函数，记为R(t)；利用测试数据单独进行可靠度建模，将所得的可靠度函数定为标准可靠度函数，记为R0(t)；S4、将所有组合的R(t)与R0(t)进行比较，若误差均在给定的阈值范围内，即模型R*(t)准确。本发明为加速寿命预测模型的准确性评估问题提供了一种新的思路。
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公开(公告)号：CN116990650A
公开(公告)日：2023-11-03
申请号：CN202310537408.1
申请日：2023-05-15
Applicant: 上海精密计量测试研究所
IPC: G01R31/26
Abstract: 本发明实施例提供了一种瞬态热阻曲线优化TSV转接板散热性能的结构分析方法包括：制备TSV结构单元中心点间距不同的TSV转接板；测试TSV转接板击穿电压曲线；将二极管芯片封装在TSV转接板上，获得TSV结构单元中心点间距不同的二极管器件；采用瞬态热阻法测试二极管器件微分结构函数曲线，获得TSV结构单元中心点间距与热阻参数关系；根据TSV转接板击穿电压曲线和热阻曲线，确定最佳TSV结构单元中心点间距范围。本发明采用瞬态热阻法将TSV转接板的散热性能从二极管器件的散热性能中孤立出来，结合TSV转接板的绝缘性能，确定了TSV结构单元中心点安全间距范围，解决了传统方法无法从实验角度量化TSV转接板内硅通孔密度对二极管器件散热性能和绝缘性能的影响。
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公开(公告)号：CN115900985A
公开(公告)日：2023-04-04
申请号：CN202211113585.9
申请日：2022-09-14
Applicant: 上海精密计量测试研究所
Abstract: 本发明提供了一种结构差异法获取LED荧光胶最高温度的方法，其特征在于，包括下述步骤：S1，制备三种封装结构的LED器件，LED器件I芯片裸露，LED器件II芯片表面覆盖硅胶，LED器件III芯片表面覆盖荧光胶；S2，与三种器件对应分别建立三种光学和热学结构不同的模型；S3，积分球分别测试LED器件II和LED器件III的光辐射功率，分别获得LED器件III的芯片发热功率和荧光胶发热功率；S4：使用瞬态热阻法测试三种器件的芯片结温和芯片PN结‑环境整体热阻；S5，根据结构差异法，获得LED器件III的荧光胶最高温度。本发明获得LED器件III的荧光胶最高温度，解决了传统方法无法测试LED芯片表面荧光胶最高温度的不足，避免了荧光胶温度过高对LED发光效率和封装可靠性的影响。
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公开(公告)号：CN115219870A
公开(公告)日：2022-10-21
申请号：CN202210746556.X
申请日：2022-06-28
Applicant: 上海精密计量测试研究所
Abstract: 本发明实施例提供了一种利用荧光胶温度计算高温老化LED芯片结温的方法，包括步骤：通过热电偶测试的LED荧光胶温度校准红外法测试的LED荧光胶温度，确定校准P系数；确定LED芯片的温度敏感参数K系数；采用热电偶P系数校准后的红外法重新测定荧光胶温度，采用瞬态热阻法测试芯片结温；单独改变恒温炉温度，确定其对校准红外法荧光胶温度‑瞬态热阻法芯片结温曲线的影响；单独改变加热电流，确定其对校准红外法荧光胶温度‑瞬态热阻法芯片结温曲线的影响；将LED接入老化电路，采用校准红外法测试荧光胶温度，结合荧光胶温度‑芯片结温曲线，计算LED芯片结温。本发明无需测试荧光胶发射率，解决了传统方法不能快速精确测定高温老化LED芯片结温的不足。
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