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公开(公告)号:CN109390210A
公开(公告)日:2019-02-26
申请号:CN201810828662.6
申请日:2018-07-25
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L21/02 , H01L21/768
CPC classification number: H01L23/53295 , H01L21/02126 , H01L21/02203 , H01L21/02211 , H01L21/02216 , H01L21/02271 , H01L21/02274 , H01L21/02348 , H01L21/76814 , H01L21/76826 , H01L21/76831 , H01L21/76834 , H01L23/5329 , H01L21/76825 , H01L21/02134
Abstract: 本发明概念的实施例提供形成超低介电常数介电层的方法及由所述方法形成的超低介电常数介电层。所述方法可包括:通过供应包含硅、氧、碳及氢的前驱体来形成第一层;对所述第一层执行第一紫外线工艺,以将所述第一层转换成第二层;以及在不同于所述第一紫外线工艺的工艺条件下对所述第二层执行第二紫外线工艺。本发明概念的实施例可提供形成同时具有低介电常数及优异的机械强度的超低介电常数介电层的方法。
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公开(公告)号:CN107665855A
公开(公告)日:2018-02-06
申请号:CN201710610070.2
申请日:2017-07-25
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L21/764 , H01L21/768
CPC classification number: H01L21/76883 , H01L21/76802 , H01L21/7682 , H01L21/76829 , H01L23/528 , H01L21/764
Abstract: 本公开涉及制造半导体器件的方法。一种制造半导体器件的方法包括:在衬底上形成第一绝缘夹层;图案化第一绝缘夹层以形成多个第一开口;在被图案化的第一绝缘夹层中的第一开口内形成牺牲图案;图案化牺牲图案和被图案化的第一绝缘夹层以在牺牲图案和被图案化的第一绝缘夹层中形成多个第二开口;形成多个金属线,金属线在各自的第二开口中;去除牺牲图案的剩余部分中的至少一些以在金属线中的至少一些之间形成空隙;以及在金属线的顶表面、被图案化的第一绝缘夹层的顶表面、以及金属线的和被图案化的第一绝缘夹层的暴露的侧表面上共形地形成衬垫层。
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公开(公告)号:CN106340441A
公开(公告)日:2017-01-18
申请号:CN201610256448.9
申请日:2016-04-22
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L21/02 , C23C16/44 , C23C16/455 , C23C16/54
Abstract: 本公开提供了一种薄膜形成装置和形成半导体器件的方法。该薄膜形成装置包括注射器,该注射器包括:分配器,包括连接到第一进气口的第一分配部分以及连接到第二进气口的第二分配部分;以及引导件,连接到分配器,该引导件包括连接到第一分配部分的第一出口以及连接到第二分配部分的第二出口,其中第二出口设置在第一出口上方。
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公开(公告)号:CN110275389B
公开(公告)日:2024-06-25
申请号:CN201811327993.8
申请日:2018-11-08
Applicant: 三星电子株式会社 , 成均馆大学校产学协力团
IPC: G03F7/00
Abstract: 一种制造集成电路(IC)器件的方法包括:曝光在衬底的主表面上形成的光致抗蚀剂膜的部分区域以产生酸;以及,使酸在光致抗蚀剂膜的部分区域中扩散。使酸扩散可以包括:使用面向衬底的电极通过填充在光致抗蚀剂膜和电极之间的电场透过层在与衬底的主表面延伸的方向垂直的方向上对光致抗蚀剂膜施加电场。电场透过层可以包括含离子层或导电聚合物层。
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公开(公告)号:CN112242377B
公开(公告)日:2024-06-18
申请号:CN202010684555.8
申请日:2020-07-16
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L23/522 , H01L23/528 , H10N97/00
Abstract: 一种半导体器件包括:第一层间绝缘膜;在第一层间绝缘膜中的导电图案;在导电图案上的电阻图案;上蚀刻停止膜,与电阻图案间隔开,平行于电阻图案的顶表面延伸,并且包括第一金属;下蚀刻停止膜,在导电图案上,平行于第一层间绝缘膜的顶表面延伸,并且包括第二金属;以及在上蚀刻停止膜和下蚀刻停止膜上的第二层间绝缘膜,其中从第二层间绝缘膜的顶表面到上蚀刻停止膜的顶表面的距离小于从第二层间绝缘膜的顶表面到下蚀刻停止膜的顶表面的距离。
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公开(公告)号:CN116913965A
公开(公告)日:2023-10-20
申请号:CN202310362129.6
申请日:2023-04-06
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L29/78 , H01L29/06 , H01L29/423
Abstract: 提供了具有改善的性能和可靠性的半导体器件和用于形成其的方法。半导体器件包括在第一方向上延伸的有源图案、在有源图案上在第一方向上彼此间隔开的栅极结构、在有源图案上的源极/漏极图案、在源极/漏极图案上的源极/漏极接触、以及沿着源极/漏极接触的侧壁延伸的接触衬垫。接触衬垫的第一点处的接触衬垫的碳浓度不同于接触衬垫的第二点处的接触衬垫的碳浓度,第一点在距有源图案的上表面的第一高度处,第二点在距有源图案的上表面的第二高度处,第一高度小于第二高度。
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公开(公告)号:CN110711738B
公开(公告)日:2022-12-20
申请号:CN201910118974.2
申请日:2019-02-18
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 提供了一种等离子体发生器、清洗液处理设备和处理方法、清洗设备。该清洗液处理设备包括:气泡形成部,被构造为降低通过使液体和气体混合获得的混合液体的压力,以在混合液体中形成气泡;等离子体发生器,连接到气泡形成部并且被构造为向混合液体施加电压以在形成在混合液体中的气泡中形成等离子体;混合部,连接到等离子体发生器并且被构造为使包括在等离子体中的自由基溶解到混合液体中;以及排出喷嘴,连接到混合部并且被构造为将混合液体排出到晶圆。
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公开(公告)号:CN109698109B
公开(公告)日:2022-11-29
申请号:CN201811228077.9
申请日:2018-10-22
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01J37/32
Abstract: 腔室具有上壳体和下壳体并接收反应气体。第一等离子体源包括电子束源,电子束源将电子束提供到上壳体中以产生上部等离子体。第二等离子体源包括孔,孔在连接上壳体和下壳体的孔内产生下部等离子体。上部等离子体的自由基、下部等离子体的自由基和下部等离子体的离子通过所述孔被提供到下壳体,使得下壳体具有离子与自由基在浓度上的预定比率的自由基和离子。第二等离子体源将腔室分成上壳体和下壳体。晶片卡盘位于下壳体中以接收晶片。
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公开(公告)号:CN112543901A
公开(公告)日:2021-03-23
申请号:CN201980052410.1
申请日:2019-08-07
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G06F3/01 , G06F3/00 , G06F3/0346 , G06F3/0481 , G06K9/00 , G06T13/40 , G06T7/20
Abstract: 提供了一种电子装置。该电子装置包括:相机;显示器;传感器;存储器;以及处理器,被配置为:通过显示器显示与在使用相机获取的一个或多个图像中包括的外部对象相对应的替身,通过相机和传感器中的至少一个识别外部对象相对于电子装置的位置的改变,基于位置的改变来确定与显示的替身有关的视点,以及通过显示器,基于确定的视点来显示替身。
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