半导体器件
    36.
    发明授权

    公开(公告)号:CN112242377B

    公开(公告)日:2024-06-18

    申请号:CN202010684555.8

    申请日:2020-07-16

    Abstract: 一种半导体器件包括:第一层间绝缘膜;在第一层间绝缘膜中的导电图案;在导电图案上的电阻图案;上蚀刻停止膜,与电阻图案间隔开,平行于电阻图案的顶表面延伸,并且包括第一金属;下蚀刻停止膜,在导电图案上,平行于第一层间绝缘膜的顶表面延伸,并且包括第二金属;以及在上蚀刻停止膜和下蚀刻停止膜上的第二层间绝缘膜,其中从第二层间绝缘膜的顶表面到上蚀刻停止膜的顶表面的距离小于从第二层间绝缘膜的顶表面到下蚀刻停止膜的顶表面的距离。

    半导体器件
    37.
    发明公开
    半导体器件 审中-实审

    公开(公告)号:CN116913965A

    公开(公告)日:2023-10-20

    申请号:CN202310362129.6

    申请日:2023-04-06

    Abstract: 提供了具有改善的性能和可靠性的半导体器件和用于形成其的方法。半导体器件包括在第一方向上延伸的有源图案、在有源图案上在第一方向上彼此间隔开的栅极结构、在有源图案上的源极/漏极图案、在源极/漏极图案上的源极/漏极接触、以及沿着源极/漏极接触的侧壁延伸的接触衬垫。接触衬垫的第一点处的接触衬垫的碳浓度不同于接触衬垫的第二点处的接触衬垫的碳浓度,第一点在距有源图案的上表面的第一高度处,第二点在距有源图案的上表面的第二高度处,第一高度小于第二高度。

    等离子体处理系统、电子束发生器及半导体器件制造方法

    公开(公告)号:CN109698109B

    公开(公告)日:2022-11-29

    申请号:CN201811228077.9

    申请日:2018-10-22

    Abstract: 腔室具有上壳体和下壳体并接收反应气体。第一等离子体源包括电子束源,电子束源将电子束提供到上壳体中以产生上部等离子体。第二等离子体源包括孔,孔在连接上壳体和下壳体的孔内产生下部等离子体。上部等离子体的自由基、下部等离子体的自由基和下部等离子体的离子通过所述孔被提供到下壳体,使得下壳体具有离子与自由基在浓度上的预定比率的自由基和离子。第二等离子体源将腔室分成上壳体和下壳体。晶片卡盘位于下壳体中以接收晶片。

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