静电吸盘、晶圆蚀刻装置以及晶圆温度控制装置

    公开(公告)号:CN110867405A

    公开(公告)日:2020-03-06

    申请号:CN201910734464.8

    申请日:2019-08-09

    Abstract: 本发明提供一种静电吸盘、晶圆蚀刻装置和晶圆温度控制装置。根据实施例的静电吸盘包括:固定板,其上固定有晶圆;静电板,其位于固定板下方并且被构造为产生静电力以将晶圆固定于固定板上;多个加热元件,其位于静电板下方,并且被分离以局部地控制静电板的温度;以及冷却板,其位于多个分离的加热元件下方,并且被构造发散通过所述多个分离的加热元件传递的热量。

    等离子体处理装置
    3.
    发明公开

    公开(公告)号:CN110867363A

    公开(公告)日:2020-03-06

    申请号:CN201910519648.2

    申请日:2019-06-14

    Abstract: 等离子体处理装置包括处理室、设置在处理室中的基板卡盘和温度控制器。基板卡盘被配置为容纳基板,并且包括冷却剂流过的冷却通道。温度控制器被配置为控制供应给冷却通道的冷却剂的温度。温度控制器包括:冷却器,被配置为对供应给冷却通道的冷却剂进行冷却;加热器,被配置为对供应给冷却通道的冷却剂进行加热;以及三通阀,被配置为调节冷却剂通过冷却器的第一流速和冷却剂通过加热器的第二流速。

    等离子体处理装置
    4.
    发明授权

    公开(公告)号:CN110867363B

    公开(公告)日:2025-04-08

    申请号:CN201910519648.2

    申请日:2019-06-14

    Abstract: 等离子体处理装置包括处理室、设置在处理室中的基板卡盘和温度控制器。基板卡盘被配置为容纳基板,并且包括冷却剂流过的冷却通道。温度控制器被配置为控制供应给冷却通道的冷却剂的温度。温度控制器包括:冷却器,被配置为对供应给冷却通道的冷却剂进行冷却;加热器,被配置为对供应给冷却通道的冷却剂进行加热;以及三通阀,被配置为调节冷却剂通过冷却器的第一流速和冷却剂通过加热器的第二流速。

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