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公开(公告)号:CN110867405A
公开(公告)日:2020-03-06
申请号:CN201910734464.8
申请日:2019-08-09
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L21/683 , H01L21/67
Abstract: 本发明提供一种静电吸盘、晶圆蚀刻装置和晶圆温度控制装置。根据实施例的静电吸盘包括:固定板,其上固定有晶圆;静电板,其位于固定板下方并且被构造为产生静电力以将晶圆固定于固定板上;多个加热元件,其位于静电板下方,并且被分离以局部地控制静电板的温度;以及冷却板,其位于多个分离的加热元件下方,并且被构造发散通过所述多个分离的加热元件传递的热量。
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公开(公告)号:CN107195568A
公开(公告)日:2017-09-22
申请号:CN201710145255.0
申请日:2017-03-13
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L21/67 , H01L21/683
CPC classification number: H01L21/6833 , H01J37/3211 , H01J37/3244 , H01J37/32532 , H01J37/32715 , H01J37/32724 , H01J2237/334 , H01L21/67103 , H01L21/67248 , H01L21/67011 , H01L21/683
Abstract: 一种衬底处理装置包括静电卡盘,该静电卡盘由底座、底座上的电介质板、电介质板中的卡盘电极和电介质板中的在卡盘电极与底座之间的第一加热器部分组成。第一加热器部分包括在第一方向上彼此分开的第一加热器,以及设置在第一加热器与底座之间的各个第一上板电极。第一上板电极在第一方向上彼此分开并且分别连接到第一加热器。
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公开(公告)号:CN109216251A
公开(公告)日:2019-01-15
申请号:CN201810620351.0
申请日:2018-06-15
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L21/683 , H01L21/67
Abstract: 一种静电吸盘、一种衬底处理装置以及一种制造半导体器件的方法。所述静电吸盘包括:吸盘基座、位于所述吸盘基座上的绝缘板、包括位于所述绝缘板中的单元加热器的第一加热器以及被配置成控制所述单元加热器的加热器控制器。所述加热器控制器获得所述单元加热器的电阻且将所述电阻与所述阈值进行比较以控制向所述单元加热器提供的加热电力。
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公开(公告)号:CN109216251B
公开(公告)日:2023-07-21
申请号:CN201810620351.0
申请日:2018-06-15
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L21/683 , H01L21/67
Abstract: 一种静电吸盘、一种衬底处理装置以及一种制造半导体器件的方法。所述静电吸盘包括:吸盘基座、位于所述吸盘基座上的绝缘板、包括位于所述绝缘板中的单元加热器的第一加热器以及被配置成控制所述单元加热器的加热器控制器。所述加热器控制器获得所述单元加热器的电阻且将所述电阻与所述阈值进行比较以控制向所述单元加热器提供的加热电力。
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公开(公告)号:CN107195568B
公开(公告)日:2021-11-30
申请号:CN201710145255.0
申请日:2017-03-13
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L21/67 , H01L21/683
Abstract: 一种衬底处理装置包括静电卡盘,该静电卡盘由底座、底座上的电介质板、电介质板中的卡盘电极和电介质板中的在卡盘电极与底座之间的第一加热器部分组成。第一加热器部分包括在第一方向上彼此分开的第一加热器,以及设置在第一加热器与底座之间的各个第一上板电极。第一上板电极在第一方向上彼此分开并且分别连接到第一加热器。
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