公开(公告)号：CN106340441B

公开(公告)日：2019-11-12

申请号：CN201610256448.9

申请日：2016-04-22

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 赵南振 ,  金延泰 ,  朴基寿 ,  崔殷硕 ,  韩奎熙

IPC: H01L21/02 ,  C23C16/44 ,  C23C16/455 ,  C23C16/54

Abstract: 本公开提供了一种薄膜形成装置和形成半导体器件的方法。该薄膜形成装置包括注射器，该注射器包括：分配器，包括连接到第一进气口的第一分配部分以及连接到第二进气口的第二分配部分；以及引导件，连接到分配器，该引导件包括连接到第一分配部分的第一出口以及连接到第二分配部分的第二出口，其中第二出口设置在第一出口上方。

公开(公告)号：CN106340441A

公开(公告)日：2017-01-18

申请号：CN201610256448.9

申请日：2016-04-22

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 赵南振 ,  金延泰 ,  朴基寿 ,  崔殷硕 ,  韩奎熙

IPC: H01L21/02 ,  C23C16/44 ,  C23C16/455 ,  C23C16/54

Abstract: 本公开提供了一种薄膜形成装置和形成半导体器件的方法。该薄膜形成装置包括注射器，该注射器包括：分配器，包括连接到第一进气口的第一分配部分以及连接到第二进气口的第二分配部分；以及引导件，连接到分配器，该引导件包括连接到第一分配部分的第一出口以及连接到第二分配部分的第二出口，其中第二出口设置在第一出口上方。