公开(公告)号：CN101233394A

公开(公告)日：2008-07-30

申请号：CN200680027408.1

申请日：2006-07-20

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 西和夫 ,  荒尾达也 ,  广濑笃志 ,  菅原裕辅 ,  楠本直人 ,  山田大干 ,  高桥秀和

IPC: G01J1/44 ,  H01L31/10 ,  H01L27/14

CPC classification number: H01L31/102 ,  G01J1/44 ,  H01L31/145 ,  H04N5/2351

Abstract: 本发明提供了一种能够探测从弱光到强光的光的光电转换器件，并且涉及一种光电转换器件，其具有：具有光电转换层的光电二极管；包括晶体管的放大器电路；以及开关，其中，当入射光的强度低于预定强度时，通过所述开关使所述光电二极管和所述放大器电路相互电连接，从而通过所述放大器电路将光电电流放大，以供输出，并且可以通过所述开关使所述光电二极管和部分或全部所述放大器电路电断开，从而按照放大系数降低光电电流，以供输出。根据这样的光电转换器件，能够探测从弱光到强光的光。

公开(公告)号：CN1881569A

公开(公告)日：2006-12-20

申请号：CN200610106032.5

申请日：2006-06-01

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 山田大干 ,  道前芳隆 ,  杉山荣二 ,  高桥秀和

IPC: H01L21/84 ,  H01L21/768

CPC classification number: H01L27/1266 ,  H01L27/124 ,  H01L27/1292 ,  H01L27/1296 ,  H01L29/78621 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2224/81001 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明的一个目的在于提供一种薄膜电路部分的结构和制造薄膜电路部分的方法，通过该方法可以在薄膜电路下方容易地形成用于连接外部部分的电极。形成一种叠置体，该叠置体包括第一绝缘膜、形成于第一绝缘膜一个表面上方的薄膜电路、形成于薄膜电路上方的第二绝缘膜、形成于第二绝缘膜上方的电极和形成于电极上方的树脂膜。邻接叠置体第一绝缘膜的另一表面形成导电膜以与电极重叠。用激光照射导电膜。

公开(公告)号：CN101471351B

公开(公告)日：2013-09-25

申请号：CN200810189707.6

申请日：2008-12-26

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 高桥秀和 ,  山田大干 ,  门马洋平 ,  安达广树 ,  山崎舜平

IPC: H01L27/144 ,  H01L21/78

CPC classification number: H01L27/1214 ,  H01L27/12 ,  H01L27/14687 ,  H01L27/14692

Abstract: 在衬底的第一面上设置半导体元件。在衬底的与第一面相反的第二面上和衬底的侧面的一部分上形成树脂层。在衬底的侧面中具有水平差。具有水平差的衬底的上方部分的宽度比具有水平差的衬底的下方部分的宽度窄。因此，衬底也可以是凸字形状。

公开(公告)号：CN102156901B

公开(公告)日：2013-05-08

申请号：CN201110071713.3

申请日：2007-06-19

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 道前芳隆 ,  青山智幸 ,  高桥秀和 ,  山田大干 ,  荻田香 ,  楠本直人

IPC: G06K19/077 ,  H01L23/498 ,  H01L27/12 ,  D21H21/48

CPC classification number: D21H21/48 ,  B32B29/00 ,  D21H27/32 ,  G06K19/07749 ,  H01L23/49855 ,  H01L27/1214 ,  H01L27/1255 ,  H01L27/1266 ,  H01L29/78603 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明涉及包括半导体器件的纸及具有该纸的物品。实现嵌有能无线通信的半导体器件的纸，其包括该半导体器件的部分的不均匀性不突出，且该纸是薄的，具有小于或等于130μm的厚度。半导体器件设置有电路部分和天线，且该电路部分包括薄膜晶体管。电路部分和天线与在制造期间所用的衬底分离，并介于柔性基片和密封层之间并被保护。该半导体器件可弯曲，且该半导体器件自身的厚度小于或等于30μm。该半导体器件在造纸工艺中被嵌入纸内。

公开(公告)号：CN102082189B

公开(公告)日：2012-11-28

申请号：CN201010571325.7

申请日：2007-04-17

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 笹川慎也 ,  长谷川真也 ,  高桥秀和 ,  荒尾达也

IPC: H01L31/0352 ,  H01L31/10 ,  H01L27/146

CPC classification number: H01L31/035281 ,  H01L21/32136 ,  H01L21/32137 ,  H01L27/14643 ,  Y02E10/50

Abstract: 一个目的是通过逐步进行光电转换层的蚀刻，提供侧表面带不同锥角的光电转换元件。与pn光敏二极管相比，pin光敏二极管具有高响应速度，但具有大的暗电流缺陷。暗电流的一个原因被认为是通过在蚀刻中生成并沉积在光电转换层侧表面上的蚀刻残余的导电。通过形成一种结构，其中常规具有均匀表面的侧表面具有两个不同锥形，以便光电转换层具有不在同一平面的p层侧表面和n层侧表面，降低了光电转换元件的泄露电流。

公开(公告)号：CN1964011B

公开(公告)日：2011-03-09

申请号：CN200610146346.8

申请日：2006-11-10

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 高桥秀和 ,  楠本直人

IPC: H01L21/603 ,  H01L21/00 ,  H01L21/66 ,  G06K19/077

CPC classification number: B32B41/00 ,  B32B2309/12 ,  B32B2309/72 ,  B32B2519/02 ,  H01L21/67144 ,  H01L21/6835 ,  H01L24/75 ,  H01L24/83 ,  H01L2221/6835 ,  H01L2221/68368 ,  H01L2224/2919 ,  H01L2224/838 ,  H01L2924/01004 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01012 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/01018 ,  H01L2924/01023 ,  H01L2924/01024 ,  H01L2924/01025 ,  H01L2924/01027 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/0103 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/0104 ,  H01L2924/01041 ,  H01L2924/01042 ,  H01L2924/01044 ,  H01L2924/01045 ,  H01L2924/01046 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01049 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01054 ,  H01L2924/0106 ,  H01L2924/01067 ,  H01L2924/01068 ,  H01L2924/0107 ,  H01L2924/01073 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01076 ,  H01L2924/01077 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/0132 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/04941 ,  H01L2924/04953 ,  H01L2924/0665 ,  H01L2924/0781 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/19043 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/01014 ,  H01L2924/01028

Abstract: 本发明的技术方案是：在压力检测薄膜上设置衬底；在衬底上选择性地设置元件组，以使提供在衬底上且用作天线的导电膜与提供在元件组且用作凸块的导电膜重叠；通过施加压力压合衬底和元件组，使形成在衬底上的导电膜和提供在元件组且用作凸块的导电膜电连接；以及当压合时，通过由压力检测薄膜检测施加到元件组的压力值和压力分布，并且基于检测的压力值和压力分布来控制当压合时施加的压力。

公开(公告)号：CN101438418B

公开(公告)日：2011-01-26

申请号：CN200780015170.5

申请日：2007-04-17

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 笹川慎也 ,  长谷川真也 ,  高桥秀和 ,  荒尾达也

IPC: H01L31/10 ,  H01L27/14 ,  H01L21/3065

CPC classification number: H01L31/035281 ,  H01L21/32136 ,  H01L21/32137 ,  H01L27/14643 ,  Y02E10/50

Abstract: 一个目的是通过逐步进行光电转换层的蚀刻，提供侧表面带不同锥角的光电转换元件。与pn光敏二极管相比，pin光敏二极管具有高响应速度，但具有大的暗电流缺陷。暗电流的一个原因被认为是通过在蚀刻中生成并沉积在光电转换层侧表面上的蚀刻残余的导电。通过形成一种结构，其中常规具有均匀表面的侧表面具有两个不同锥形，以便光电转换层具有不在同一平面的p层侧表面和n层侧表面，降低了光电转换元件的泄露电流。

公开(公告)号：CN101527270A

公开(公告)日：2009-09-09

申请号：CN200910118050.9

申请日：2005-05-31

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 渡边了介 ,  高桥秀和 ,  鹤目卓也

IPC: H01L21/56 ,  H01L21/58 ,  H01L21/60 ,  H01L27/12 ,  H01L29/786

CPC classification number: H01L21/56 ,  B32B37/20 ,  B32B2305/342 ,  B42D25/45 ,  B42D2033/46 ,  G06K19/07718 ,  G06K19/07749 ,  G06K19/0775 ,  H01L21/67126 ,  H01L21/67132 ,  H01L21/67144 ,  H01L21/6835 ,  H01L27/1214 ,  H01L27/1266 ,  H01L2221/68318 ,  H01L2221/68354 ,  H01L2221/68363 ,  H01L2924/0002 ,  Y10T156/1089 ,  Y10T156/1093 ,  Y10T156/1712 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明的目的在于提高在对薄膜集成电路进行密封过程中的生产效率，并且防止损失和破坏。还有，本发明的另外一个目的在于防止薄膜集成电路在运输过程中遭受损伤，并且使得易于搬运薄膜集成电路。本发明提供了一种层压系统，其中使用辊来供给密封用基底、接收IC芯片、分离以及密封。对大量的薄膜集成电路进行分离、密封和接收操作可以通过旋转所述辊来连续地进行；因此，可以极大地提高生产效率。还有，由于使用了相互对置的辊对，因此可以轻易地密封所述薄膜集成电路。

公开(公告)号：CN101479747A

公开(公告)日：2009-07-08

申请号：CN200780023459.1

申请日：2007-06-19

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 道前芳隆 ,  青山智幸 ,  高桥秀和 ,  山田大干 ,  荻田香 ,  楠本直人

IPC: G06K19/077 ,  G06K19/07 ,  D21H21/48 ,  H01L21/336 ,  H01L29/786

CPC classification number: D21H21/48 ,  B32B29/00 ,  D21H27/32 ,  G06K19/07749 ,  H01L23/49855 ,  H01L27/1214 ,  H01L27/1255 ,  H01L27/1266 ,  H01L29/78603 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 实现嵌有能无线通信的半导体器件的纸，其包括该半导体器件的部分的不均匀性不突出，且该纸是薄的，具有小于或等于130μm的厚度。半导体器件设置有电路部分和天线，且该电路部分包括薄膜晶体管。电路部分和天线与在制造期间所用的衬底分离，并介于柔性基片和密封层之间并被保护。该半导体器件可弯曲，且该半导体器件自身的厚度小于或等于30μm。该半导体器件在造纸工艺中被嵌入纸内。

公开(公告)号：CN1964011A

公开(公告)日：2007-05-16

申请号：CN200610146346.8

申请日：2006-11-10

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 高桥秀和 ,  楠本直人

IPC: H01L21/603 ,  H01L21/00 ,  H01L21/66 ,  G06K19/077

CPC classification number: B32B41/00 ,  B32B2309/12 ,  B32B2309/72 ,  B32B2519/02 ,  H01L21/67144 ,  H01L21/6835 ,  H01L24/75 ,  H01L24/83 ,  H01L2221/6835 ,  H01L2221/68368 ,  H01L2224/2919 ,  H01L2224/838 ,  H01L2924/01004 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01012 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/01018 ,  H01L2924/01023 ,  H01L2924/01024 ,  H01L2924/01025 ,  H01L2924/01027 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/0103 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/0104 ,  H01L2924/01041 ,  H01L2924/01042 ,  H01L2924/01044 ,  H01L2924/01045 ,  H01L2924/01046 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01049 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01054 ,  H01L2924/0106 ,  H01L2924/01067 ,  H01L2924/01068 ,  H01L2924/0107 ,  H01L2924/01073 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01076 ,  H01L2924/01077 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/0132 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/04941 ,  H01L2924/04953 ,  H01L2924/0665 ,  H01L2924/0781 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/19043 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/01014 ,  H01L2924/01028

Abstract: 本发明的技术方案是：在压力检测薄膜上设置衬底；在衬底上选择性地设置元件组，以使提供在衬底上且用作天线的导电膜与提供在元件组且用作凸块的导电膜重叠；通过施加压力压合衬底和元件组，使形成在衬底上的导电膜和提供在元件组且用作凸块的导电膜电连接；以及当压合时，通过由压力检测薄膜检测施加到元件组的压力值和压力分布，并且基于检测的压力值和压力分布来控制当压合时施加的压力。