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公开(公告)号：CN102082189A
公开(公告)日：2011-06-01
申请号：CN201010571325.7
申请日：2007-04-17
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L31/0352 , H01L31/10 , H01L27/146
CPC classification number: H01L31/035281 , H01L21/32136 , H01L21/32137 , H01L27/14643 , Y02E10/50
Abstract: 一个目的是通过逐步进行光电转换层的蚀刻，提供侧表面带不同锥角的光电转换元件。与pn光敏二极管相比，pin光敏二极管具有高响应速度，但具有大的暗电流缺陷。暗电流的一个原因被认为是通过在蚀刻中生成并沉积在光电转换层侧表面上的蚀刻残余的导电。通过形成一种结构，其中常规具有均匀表面的侧表面具有两个不同锥形，以便光电转换层具有不在同一平面的p层侧表面和n层侧表面，降低了光电转换元件的泄露电流。
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公开(公告)号：CN102082189B
公开(公告)日：2012-11-28
申请号：CN201010571325.7
申请日：2007-04-17
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L31/0352 , H01L31/10 , H01L27/146
CPC classification number: H01L31/035281 , H01L21/32136 , H01L21/32137 , H01L27/14643 , Y02E10/50
Abstract: 一个目的是通过逐步进行光电转换层的蚀刻，提供侧表面带不同锥角的光电转换元件。与pn光敏二极管相比，pin光敏二极管具有高响应速度，但具有大的暗电流缺陷。暗电流的一个原因被认为是通过在蚀刻中生成并沉积在光电转换层侧表面上的蚀刻残余的导电。通过形成一种结构，其中常规具有均匀表面的侧表面具有两个不同锥形，以便光电转换层具有不在同一平面的p层侧表面和n层侧表面，降低了光电转换元件的泄露电流。
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公开(公告)号：CN101438418B
公开(公告)日：2011-01-26
申请号：CN200780015170.5
申请日：2007-04-17
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L31/10 , H01L27/14 , H01L21/3065
CPC classification number: H01L31/035281 , H01L21/32136 , H01L21/32137 , H01L27/14643 , Y02E10/50
Abstract: 一个目的是通过逐步进行光电转换层的蚀刻，提供侧表面带不同锥角的光电转换元件。与pn光敏二极管相比，pin光敏二极管具有高响应速度，但具有大的暗电流缺陷。暗电流的一个原因被认为是通过在蚀刻中生成并沉积在光电转换层侧表面上的蚀刻残余的导电。通过形成一种结构，其中常规具有均匀表面的侧表面具有两个不同锥形，以便光电转换层具有不在同一平面的p层侧表面和n层侧表面，降低了光电转换元件的泄露电流。
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公开(公告)号：CN101438418A
公开(公告)日：2009-05-20
申请号：CN200780015170.5
申请日：2007-04-17
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L31/10 , H01L27/14 , H01L21/3065
CPC classification number: H01L31/035281 , H01L21/32136 , H01L21/32137 , H01L27/14643 , Y02E10/50
Abstract: 一个目的是通过逐步进行光电转换层的蚀刻，提供侧表面带不同锥角的光电转换元件。与pn光敏二极管相比，pin光敏二极管具有高响应速度，但具有大的暗电流缺陷。暗电流的一个原因被认为是通过在蚀刻中生成并沉积在光电转换层侧表面上的蚀刻残余的导电。通过形成一种结构，其中常规具有均匀表面的侧表面具有两个不同锥形，以便光电转换层具有不在同一平面的p层侧表面和n层侧表面，降低了光电转换元件的泄露电流。
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