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公开(公告)号：CN110870048A
公开(公告)日：2020-03-06
申请号：CN201880027819.3
申请日：2018-08-20
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01L21/285 , H01L21/324 , H01L21/768 , H01L21/02
Abstract: 用于形成半导体结构的设备与方法，包括：于高k介电层顶上沉积掺杂堆叠，所述掺杂堆叠具有第一表面，其中所述掺杂堆叠包括至少一个第一金属层、至少一个第二金属层、和至少一个第三金属层，所述第一金属层具有第一表面，所述第二金属层包括第一铝掺杂剂和第一表面，所述第三金属层位于所述第二金属层的所述第一表面顶上，其中所述第二金属层位于所述第一金属层的所述第一表面顶上；在所述掺杂堆叠的所述第一表面顶上沉积退火层；将所述结构退火，而使至少所述第一铝掺杂剂扩散进入所述高k介电层中；移除所述退火层；和在所述掺杂堆叠的所述第一表面顶上沉积至少一个功函数层。
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公开(公告)号：CN119855937A
公开(公告)日：2025-04-18
申请号：CN202380064517.4
申请日：2023-09-05
Applicant: 应用材料公司
Inventor： 徐翼 , 赵咸元 , 亓智敏 , 张爱西 , 杰拉尔丁·瓦斯奎兹 , 吴典晔 , 雷蔚 , 高兴尧 , 谢里什·派斯 , 侯文婷 , 杜超 , 杨宗翰 , 夫敬皓 , 林政汉 , 贾勒帕里·拉维 , 雷雨 , 汪荣军 , 唐先敏
Abstract: 提供了一种用于在半导体元件中形成钨特征的方法及设备。方法包括将在基板中形成的特征的顶部开口暴露于物理气相沉积(PVD)工艺以在特征内沉积钨衬垫层。PVD工艺在第一处理腔室的第一处理区域中执行并且钨衬垫层形成部分阻碍特征的顶部开口的悬垂部分。将基板从第一处理腔室的第一处理区域传送到第二处理腔室的第二处理区域而不破坏真空。将悬垂部分暴露于第二处理区域中的含氮自由基以抑制钨沿着悬垂部分的后续生长。将特征暴露于含钨前驱物气体以在特征内的钨衬垫层上方形成钨填充层。
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公开(公告)号：CN113678231B
公开(公告)日：2025-03-18
申请号：CN202080027926.3
申请日：2020-03-02
Applicant: 应用材料公司
Inventor： 岑羲 , 马飞越 , 吴凯 , 雷雨 , 大东和也 , 徐翼 , 维卡什·班西埃 , 张镁 , 任河 , 雷蒙德·霍曼·洪 , 姚雅宽 , 阿夫耶里诺斯·V·杰拉托斯 , 戴维·T·奥 , 周静 , 蹇国强 , 林志周 , 赖一鸣 , 叶佳 , 王振宇
IPC: H01L21/285 , C23C14/14 , C23C14/34 , C23C14/02 , H01L21/28 , H01L21/306 , H01L21/67 , C23C14/04
Abstract: 本公开内容一般涉及用于处理基板的方法，且更尤其涉及用于形成金属间隙填充物的方法。在一个实施方式中，该方法包括使用多步骤处理在开口中形成金属间隙填充物。多步骤处理包括：形成金属间隙填充物的第一部分，实行溅射处理以在一个或多个侧壁上形成一个或多个层，和使金属间隙填充物的第二部分生长以用金属间隙填充物来填充开口。通过多步骤处理形成的金属间隙填充物是无缝的，且形成在一个或多个侧壁上的一个或多个层密封在金属间隙填充物与侧壁之间的任何间隙或缺陷。由此，在后续处理中利用的流体不会扩散穿过金属间隙填充物。
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公开(公告)号：CN119497909A
公开(公告)日：2025-02-21
申请号：CN202380053394.4
申请日：2023-04-11
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01L21/768 , H01L21/67 , C23C16/02 , C23C16/04 , C23C16/06
Abstract: 提供用于在半导体装置中进行钨间隙填充的方法与设备。方法包含：执行梯度氧化工艺以氧化衬垫层的暴露部分，其中梯度氧化工艺优先氧化衬垫层的悬突部分，悬突部分阻碍或阻挡形成在基板的场区域内的一个或多个特征的顶部开口。方法进一步包含：执行回蚀工艺以去除或减少衬垫层的氧化悬突部分；将衬垫层暴露于化学气相传输（CVT）工艺以去除梯度氧化工艺和回蚀工艺残留的金属氧化物；和执行钨间隙填充工艺以填充或部分填充一个或多个特征。
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公开(公告)号：CN110998791A
公开(公告)日：2020-04-10
申请号：CN201880051523.5
申请日：2018-07-10
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01L21/02 , H01L21/56 , H01L21/324
Abstract: 一种用于在半导体处理腔室中于基板上形成膜的方法，包括使用等离子体增强工艺以及氯基气体、氢气、和惰性气体的气体混合物在基板上形成第一层。之后净化所述处理腔室，且以氢基前驱气体热浸泡所述第一层。之后再次净化所述处理腔室，且可用所述等离子体增强工艺或不用所述等离子体增强工艺重复上述处理，直到在基板上达到一定的膜厚度为止。
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