-
公开(公告)号：CN114981952A
公开(公告)日：2022-08-30
申请号：CN202180008308.9
申请日：2021-05-05
Applicant: 应用材料公司
Inventor： 岑羲 , 姚雅宽 , 赖一鸣 , 吴凯 , 阿夫耶里诺斯·V·杰拉托斯 , 戴维·T·奥 , 凯文·卡舍菲 , 雷雨 , 董琳 , 任河 , 徐翼 , 梅裕尔·奈克 , 陈浩 , 凌芒芒
IPC: H01L21/768 , H01L21/67 , H01J37/32
Abstract: 描述了用于预清洁具有金属和电介质表面的基板的方法。基板暴露于强还原剂中，以从金属表面移除污染物并损坏电介质表面。基板接着暴露于氧化处理，以修复对电介质表面的损坏并氧化金属表面。基板接着暴露于弱还原剂以将金属氧化物还原为纯金属表面，而基本上不影响电介质表面。还描述了用于实施该方法的处理工具和计算机可读介质。
-
公开(公告)号：CN112313783A
公开(公告)日：2021-02-02
申请号：CN201980039615.6
申请日：2019-06-10
Applicant: 应用材料公司
Abstract: 一种用于确定沉积于晶片上的导电膜层的厚度的系统及方法，包括：至少两个涡流传感器，用来在由机器手臂运输所述晶片时对所述晶片上的所述导电膜层进行电阻率测量；温度传感器，用来在所述电阻率测量期间确定所述晶片的温度改变；及处理设备，用来基于所确定的所述温度改变来将所述电阻率测量的值调整一定量，及使用所述电阻率测量的调整过的所述值以及电阻率测量值与导电膜层的相应厚度之间的先前确定的相关性，来确定所述导电膜层的厚度。或者，可以在对所述导电膜层进行电阻率测量时将所述晶片保持在稳定的温度下，以确定所述导电膜层的厚度。
-
公开(公告)号：CN102265383B
公开(公告)日：2014-06-11
申请号：CN200980152590.7
申请日：2009-12-15
Applicant: 应用材料公司
Inventor： 吴凯 , 阿米特·卡恩德尔沃尔 , 阿维格尼诺斯·V·格拉托斯
IPC: H01L21/205
CPC classification number: H01L21/76876 , C23C16/02 , C23C16/045 , C23C16/14 , C23C16/45523 , H01L21/28556 , H01L21/76861 , H01L21/76877
Abstract: 本发明提供一种控制钨膜的电阻率与形态的方法，该方法包含：在第一沉积阶段期间，通过下列步骤在基板上沉积块材钨层的第一膜：(i)将连续流动的还原气体与脉冲式流动的含钨化合物导入工艺腔室，以在该基板的表面上沉积钨；(ii)使该还原气体而不使该含钨化合物流入该工艺腔室，以净化该工艺腔室；以及(iii)重复步骤(i)～(ii)，直到该第一膜填满了该基板的表面中的介层洞为止；增加该工艺腔室中的压力；以及在该第一沉积阶段之后的第二沉积阶段期间，通过提供还原气体与含钨化合物流到该工艺腔室而直到已沉积第二期望厚度为止，以沉积该块材钨层的第二膜。
-
公开(公告)号：CN119487235A
公开(公告)日：2025-02-18
申请号：CN202380049915.9
申请日：2023-04-10
Applicant: 应用材料公司
IPC: C23C16/455 , C23C16/08 , C23C16/44 , C23C16/448 , C23C16/458 , H01L21/285
Abstract: 一种在基板之上形成含钨层的方法，包括a)将基板定位在处理腔室的处理容积中的基板支撑件上；b)向处理腔室的处理容积提供前驱物气体达第一持续时间；和c)通过打开含钨气体递送管线上的脉冲阀来向处理腔室的处理容积提供含钨气体达第二持续时间以在基板之上形成含钨层，第二持续时间发生在第一持续时间之后。含钨气体递送管线包括连接至脉冲阀的入口的第一区段和连接至脉冲阀的出口的第二区段，第一区段将脉冲阀的入口连接至含钨气体的贮存器，第二区段将脉冲阀的出口连接至处理腔室的入口。
-
公开(公告)号：CN110622283B
公开(公告)日：2024-12-13
申请号：CN201880028707.X
申请日：2018-11-20
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01L21/285 , H01L21/02 , H01L21/762
Abstract: 本文公开了用于减少和消除钨膜中的缺陷的方法和设备。在本公开内容中，公开了减少或消除设置在基板上和多个沟槽内的具有预定第一厚度的钨膜的第一表面的氧化的步骤。多个沟槽包括预定深度及小于20纳米的宽度。当第一表面与空气或氧气接触时，钨膜的预定第一厚度在整个多个沟槽中基本均匀，从而钨膜的预定第一厚度基本上不变为第二厚度。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN118140301A
公开(公告)日：2024-06-04
申请号：CN202280064026.5
申请日：2022-07-25
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01L21/768 , H01L21/285
Abstract: 提供了一种包括含钨层的基板的结构，所述含钨层包括成核层和填充层。所述成核层是沿着所述开口的侧壁设置的。所述成核层包括硼和钨。所述填充层设置在所述开口内的所述成核层之上。所述含钨层包括约16μΩ·cm或更小的电阻率。所述含钨层具有约#imgabs0#至约#imgabs1#的厚度。所述含钨层的厚度是设置在所述开口的相对侧壁部分之间的所述开口内的所述含钨层的宽度的一半。
-
公开(公告)号：CN117529797A
公开(公告)日：2024-02-06
申请号：CN202280043388.6
申请日：2022-04-08
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01L21/285
Abstract: 本文的实施方式大致上针对在半导体器件中形成高深宽比金属接触件和/或互连特征(例如，钨特征)的方法。通常，在高深宽比开口中进行钨的共形沉积在从开口的一个或多个壁向外生长的钨相遇的位置处造成接缝和/或空隙。因此，本文阐述的方法提供期望的自下而上的钨块体填充，以避免在所得互连特征中形成接缝和/或空隙，并且提供改善的接触金属结构及形成该结构的方法。在一些实施方式中，改善的覆盖层或覆盖层结构形成在基板的场区域上方，以使得能够形成与以传统方式形成的接触件或互连结构相比具有改进的特性的接触件或互连结构。
-
公开(公告)号：CN108538715B
公开(公告)日：2023-03-14
申请号：CN201810259666.7
申请日：2013-08-20
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01L21/205 , H01L21/20
Abstract: 在此揭示一种在催化体CVD沉积期间选择性控制催化材料的沉积速率的方法。所述方法可包括以下步骤：将基板定位在处理腔室中，所述基板包括表面区域和间隙区域二者；将包含钨的第一成核层保形地沉积于所述基板的暴露表面上；用活化氮处理所述第一成核层的至少一部分，其中所述活化氮优先沉积于所述表面区域上；使包含钨卤化物的第一沉积气体与含氢气体反应，以优先沉积钨填充层于所述基板的间隙区域中；使包含钨卤化物的成核气体反应，以形成第二成核层；以及使包含钨卤化物的第二沉积气体与含氢气体反应，以沉积钨场层。
-
公开(公告)号：CN110622283A
公开(公告)日：2019-12-27
申请号：CN201880028707.X
申请日：2018-11-20
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01L21/285 , H01L21/02 , H01L21/762
Abstract: 本文公开了用于减少和消除钨膜中的缺陷的方法和设备。在本公开内容中，公开了减少或消除设置在基板上和多个沟槽内的具有预定第一厚度的钨膜的第一表面的氧化的步骤。多个沟槽包括预定深度及小于20纳米的宽度。当第一表面与空气或氧气接触时，钨膜的预定第一厚度在整个多个沟槽中基本均匀，从而钨膜的预定第一厚度基本上不变为第二厚度。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
36
records
(took 0.027 seconds)
