公开(公告)号：CN112335021A

公开(公告)日：2021-02-05

申请号：CN201980042226.9

申请日：2019-06-21

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 柳尚澔 ,  赛沙德利·甘古利 ,  尹炳勋 ,  陈伟民

IPC: H01L21/28 ,  H01L21/285 ,  H01L21/02 ,  C23C16/44 ,  H01L21/324

Abstract: 论述了沉积具有高纯度的金属膜的方法。一些实施方式利用包含烷基卤化物及金属前驱物的热ALD工艺。一些实施方式优先于介电表面而在金属表面上选择性沉积具有高纯度的金属膜。一些实施方式优先于金属表面而在介电表面上选择性沉积具有高纯度的金属膜。一些实施方式沉积具有在原子基础上大于99％的金属原子的金属膜。

公开(公告)号：CN112313783A

公开(公告)日：2021-02-02

申请号：CN201980039615.6

申请日：2019-06-10

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 吴凯 ,  陈伟民 ,  王佩奇 ,  P·马 ,  爱德华·布迪亚图 ,  徐坤 ,  托德·J·伊根

IPC: H01L21/66 ,  G01B7/06 ,  H01L21/67

Abstract: 一种用于确定沉积于晶片上的导电膜层的厚度的系统及方法，包括：至少两个涡流传感器，用来在由机器手臂运输所述晶片时对所述晶片上的所述导电膜层进行电阻率测量；温度传感器，用来在所述电阻率测量期间确定所述晶片的温度改变；及处理设备，用来基于所确定的所述温度改变来将所述电阻率测量的值调整一定量，及使用所述电阻率测量的调整过的所述值以及电阻率测量值与导电膜层的相应厚度之间的先前确定的相关性，来确定所述导电膜层的厚度。或者，可以在对所述导电膜层进行电阻率测量时将所述晶片保持在稳定的温度下，以确定所述导电膜层的厚度。

公开(公告)号：CN112335021B

公开(公告)日：2025-01-28

申请号：CN201980042226.9

申请日：2019-06-21

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 柳尚澔 ,  赛沙德利·甘古利 ,  尹炳勋 ,  陈伟民

IPC: H01L21/28 ,  H01L21/285 ,  H01L21/02 ,  C23C16/44 ,  H01L21/324

Abstract: 论述了沉积具有高纯度的金属膜的方法。一些实施方式利用包含烷基卤化物及金属前驱物的热ALD工艺。一些实施方式优先于介电表面而在金属表面上选择性沉积具有高纯度的金属膜。一些实施方式优先于金属表面而在介电表面上选择性沉积具有高纯度的金属膜。一些实施方式沉积具有在原子基础上大于99％的金属原子的金属膜。