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发明公开
用于形成低电阻率钨特征的方法审中-实审

公开(公告)号：CN118140301A

公开(公告)日：2024-06-04

申请号：CN202280064026.5

申请日：2022-07-25

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 王珮琪 , 程诚 , 吴凯 , 河仁守 , 李相进

IPC: H01L21/768 , H01L21/285

Abstract: 提供了一种包括含钨层的基板的结构，所述含钨层包括成核层和填充层。所述成核层是沿着所述开口的侧壁设置的。所述成核层包括硼和钨。所述填充层设置在所述开口内的所述成核层之上。所述含钨层包括约16μΩ·cm或更小的电阻率。所述含钨层具有约#imgabs0#至约#imgabs1#的厚度。所述含钨层的厚度是设置在所述开口的相对侧壁部分之间的所述开口内的所述含钨层的宽度的一半。

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