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公开(公告)号：CN110957267A
公开(公告)日：2020-04-03
申请号：CN201910921677.1
申请日：2019-09-27
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/768 , H01L21/336
Abstract: 提供内连线结构及其形成方法。形成介电层及其中的开口于基底之上。形成导电晶种层于介电层的顶面之上、以及沿着开口的底端和侧壁。形成导电填充层于晶种层之上。可透过表面预处理还原/移除晶种层表面上的金属氧化物。在清洁表面未暴露于氧的情况下，透过沉积填充材料于晶种层之上覆盖清洁表面。表面处理可包含使用氢自由基的反应性远程等离子体清洁。如果使用电镀沉积填充层，则表面处理可包含在开启电镀电流之前将基底浸至于电解质中。其他表面处理可包含使用氢自由基的主动预处理；或使用MCxT设备的Ar溅射。
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公开(公告)号：CN110875247A
公开(公告)日：2020-03-10
申请号：CN201910806473.3
申请日：2019-08-29
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/768 , C23C14/18 , C23C14/34
Abstract: 本公开涉及一种半导体装置的形成方法，该方法包括将晶圆置于晶圆支架上；沉积膜于晶圆的正面上；以及在沉积该膜时，同时经由重分布器中的多个端将气体吹至晶圆的背面上。气体是氮气、氦气、氖气、或上述的组合。
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公开(公告)号：CN110649155A
公开(公告)日：2020-01-03
申请号：CN201910309884.1
申请日：2019-04-17
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Abstract: 本发明的实施例描述了一种可以防止或减少Cu从互连层向磁隧道结(MTJ)结构向外扩散的示例性方法。该方法包括在衬底上形成互连层，该互连层包括其中具有开口的层间介电叠层；在开口中设置金属以形成相应的导电结构；以及选择性地在金属上沉积扩散阻挡层。在该方法中，选择性地沉积扩散阻挡层包括对金属表面进行预处理；设置前体以在金属上选择性地形成部分分解的前体层；以及将部分分解的前体层暴露于等离子体以形成扩散阻挡层。方法还包括在扩散阻挡层上方的互连层上形成MTJ结构，其中MTJ结构的底部电极与扩散阻挡层对准。本发明的实施例还涉及半导体结构及其形成方法。
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公开(公告)号：CN108242412A
公开(公告)日：2018-07-03
申请号：CN201611215254.0
申请日：2016-12-26
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/67 , H01L21/3105 , C23C16/48
Abstract: 一种半导体元件固化装置、基材处理系统以及半导体元件固化方法。半导体元件固化装置包含壳体以及多个灯头组件。壳体具有通气开口以及多个灯头盖体。灯头盖体由通气开口的边缘延伸至壳体中，且各具有至少一穿孔。灯头组件设置于壳体中，且配置以朝实质上远离通气开口的方向发出紫外线。灯头盖体分别至少部分覆盖于灯头组件上。
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公开(公告)号：CN117832188A
公开(公告)日：2024-04-05
申请号：CN202311705064.7
申请日：2023-12-12
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L23/488 , H01L21/60
Abstract: 方法包括：在衬底上方形成导电焊盘；在导电焊盘上形成多层钝化结构；图案化多层钝化结构的顶部部分以形成第一开口；在多层钝化结构的图案化顶部部分的侧壁表面上形成掩模膜；在形成掩模膜之后，实施第一蚀刻工艺以去除多层钝化结构的位于第一开口正下方的部分，以形成第二开口；在实施第一蚀刻工艺之后，选择性去除掩模膜；实施第二蚀刻工艺以去除多层钝化结构的位于第二开口正下方的部分；从而形成暴露导电焊盘的第三开口；以及在第三开口中形成接合结构，其中，第二蚀刻工艺的蚀刻剂与第一蚀刻工艺的蚀刻剂不同。本申请的实施例还涉及半导体结构及其形成方法。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN115663006A
公开(公告)日：2023-01-31
申请号：CN202211439745.9
申请日：2017-02-10
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L27/146
Abstract: 本发明的实施例公开了半导体图像传感器件及其制造方法。半导体图像传感器件包括衬底、第一像素和第二像素、以及隔离结构。第一像素和第二像素设置在衬底中，其中，第一和第二像素为相邻像素。隔离结构设置在衬底中并且介于第一和第二像素之间，其中，隔离结构包括介电层，并且介电层包括碳氧氮化硅(SiOCN)。
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公开(公告)号：CN115527851A
公开(公告)日：2022-12-27
申请号：CN202210663652.8
申请日：2022-06-10
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/316 , H01L21/318 , H01L21/67 , H01L43/08 , H01L43/12 , C23C14/22 , C23C14/34 , C23C14/50 , C23C16/44 , C23C16/455 , C23C16/458
Abstract: 一种操作半导体工艺系统的方法和半导体工艺系统，包括工艺腔室。工艺腔室包括晶圆支撑件其配置为支撑晶圆。此系统包括钟形罩其配置为在半导体工艺期间位在晶圆上方。钟形罩的内表面以粗糙涂层涂覆。粗糙涂层可以包括锆。
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公开(公告)号：CN110649155B
公开(公告)日：2022-11-29
申请号：CN201910309884.1
申请日：2019-04-17
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Abstract: 本发明的实施例描述了一种可以防止或减少Cu从互连层向磁隧道结(MTJ)结构向外扩散的示例性方法。该方法包括在衬底上形成互连层，该互连层包括其中具有开口的层间介电叠层；在开口中设置金属以形成相应的导电结构；以及选择性地在金属上沉积扩散阻挡层。在该方法中，选择性地沉积扩散阻挡层包括对金属表面进行预处理；设置前体以在金属上选择性地形成部分分解的前体层；以及将部分分解的前体层暴露于等离子体以形成扩散阻挡层。方法还包括在扩散阻挡层上方的互连层上形成MTJ结构，其中MTJ结构的底部电极与扩散阻挡层对准。本发明的实施例还涉及半导体结构及其形成方法。
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公开(公告)号：CN109728091A
公开(公告)日：2019-05-07
申请号：CN201810201183.1
申请日：2018-03-12
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L29/78 , H01L29/417 , H01L23/535
Abstract: 半导体元件包含：位于基材上的鳍片结构；横跨鳍片结构以覆盖鳍片结构的中心部分的栅极特征；沿着鳍片结构且配置于栅极特征的相对侧的一对源极/漏极特征；以及由钨形成的多个接触结构，其中栅极特征的栅极电极及此对源极/漏极特征各自直接与对应的接触结构之一耦合。
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公开(公告)号：CN109578581A
公开(公告)日：2019-04-05
申请号：CN201810343907.6
申请日：2018-04-17
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: F16J15/00
Abstract: 一种包含金属覆盖的密封件、其制造方法及其使用方法。密封件包括主体及设置于主体的至少一表面上的覆盖层。主体包括聚合弹性体，例如全氟化弹性体或氟化弹性体。覆盖层包括至少一金属。密封件可以是密封口、垫圈、O型密封圈、T型密封圈或任何合适的产品。密封件对紫外光和电浆具有耐受性，且可以用于密封半导体制程室。
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