公开(公告)号：CN117832188A

公开(公告)日：2024-04-05

申请号：CN202311705064.7

申请日：2023-12-12

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 黄星源 ,  李锦思 ,  何宜臻

IPC: H01L23/488 ,  H01L21/60

Abstract: 方法包括：在衬底上方形成导电焊盘；在导电焊盘上形成多层钝化结构；图案化多层钝化结构的顶部部分以形成第一开口；在多层钝化结构的图案化顶部部分的侧壁表面上形成掩模膜；在形成掩模膜之后，实施第一蚀刻工艺以去除多层钝化结构的位于第一开口正下方的部分，以形成第二开口；在实施第一蚀刻工艺之后，选择性去除掩模膜；实施第二蚀刻工艺以去除多层钝化结构的位于第二开口正下方的部分；从而形成暴露导电焊盘的第三开口；以及在第三开口中形成接合结构，其中，第二蚀刻工艺的蚀刻剂与第一蚀刻工艺的蚀刻剂不同。本申请的实施例还涉及半导体结构及其形成方法。

公开(公告)号：CN115527851A

公开(公告)日：2022-12-27

申请号：CN202210663652.8

申请日：2022-06-10

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 谢孟君 ,  蔡宗佑 ,  黄星源 ,  吴志昌 ,  吴思桦 ,  李锦思

IPC: H01L21/316 ,  H01L21/318 ,  H01L21/67 ,  H01L43/08 ,  H01L43/12 ,  C23C14/22 ,  C23C14/34 ,  C23C14/50 ,  C23C16/44 ,  C23C16/455 ,  C23C16/458

Abstract: 一种操作半导体工艺系统的方法和半导体工艺系统，包括工艺腔室。工艺腔室包括晶圆支撑件其配置为支撑晶圆。此系统包括钟形罩其配置为在半导体工艺期间位在晶圆上方。钟形罩的内表面以粗糙涂层涂覆。粗糙涂层可以包括锆。

公开(公告)号：CN118919502A

公开(公告)日：2024-11-08

申请号：CN202410900654.3

申请日：2024-07-05

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 黄星源 ,  何宜臻

IPC: H01L23/373 ,  H01L23/31 ,  H01L21/56

Abstract: 本公开实施例提供了具有改进的热导率和翘曲控制的伪管芯。伪管芯包括形成在半导体衬底上方的调整层。调整层具有在约30W/mK和约100W/mK之间范围内的热导率。调整层可以包括氮化硅或碳化硅。本申请的实施例还涉及半导体封装件及其形成方法和形成伪管芯的方法。