公开(公告)号：CN102916018B

公开(公告)日：2016-12-14

申请号：CN201110350734.9

申请日：2011-11-08

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 林政贤 ,  杨敦年 ,  刘人诚 ,  王文德 ,  蔡双吉 ,  林月秋

IPC: H01L27/146

Abstract: 一种图像传感器器件包括：具有正面和背面的半导体衬底；位于半导体衬底正面上的第一介电层；位于第一介电层中的金属焊盘；位于第一介电层上方以及位于半导体衬底正面上的第二介电层；从半导体衬底的背面穿透半导体衬底的开口，其中该开口包括第一部分和第二部分，所述第一部分延伸以暴露一部分金属焊盘，所述第二部分延伸以暴露一部分第二介电层；以及在开口的第一部分和第二部分中形成的金属层。本发明还提供了一种在介电层中的双开口中形成的焊盘结构。

公开(公告)号：CN103715129B

公开(公告)日：2016-08-03

申请号：CN201310036529.4

申请日：2013-01-30

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 高敏峰 ,  杨敦年 ,  刘人诚 ,  许慈轩 ,  王文德 ,  许文义

IPC: H01L21/76 ,  H01L27/146

CPC classification number: H01L27/1463 ,  H01L21/2652 ,  H01L21/28017 ,  H01L21/761 ,  H01L21/76237 ,  H01L29/66575

Abstract: 本发明公开了一种器件，包括半导体衬底和从半导体衬底的顶面延伸至半导体衬底内且围绕有源区的注入隔离区。栅极介电层沉积在半导体衬底的有源区上方，其中所述栅极介电层在注入隔离区上方延伸。栅电极沉积在栅极介电层上方并且端盖介电层在注入隔离区上方的栅极介电层和栅电极之间。本发明还公开了注入隔离器件及其形成方法。

公开(公告)号：CN103681454B

公开(公告)日：2016-08-03

申请号：CN201210519773.1

申请日：2012-12-06

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 许文义 ,  高敏峰 ,  刘人诚 ,  杨敦年 ,  许慈轩 ,  王文德

IPC: H01L21/762 ,  H01L29/06

CPC classification number: H01L27/14689 ,  H01L21/761 ,  H01L21/76237 ,  H01L27/1463 ,  H01L27/14643 ,  H01L29/0649

Abstract: 半导体器件的隔离。本发明提供用于隔离半导体器件的系统和方法。实施例包括横向离开半导体器件的源极/漏极区域的隔离区域并且具有在源极/漏极区域之间的隔离区域上方延伸的介电材料。可以通过在衬底上方形成穿过层的开口；沿着开口的侧壁沉积介电材料；在沉积之后将离子注入到衬底内；以及用另一介电材料填充开口来形成隔离区域。

公开(公告)号：CN103531597B

公开(公告)日：2016-06-08

申请号：CN201210034271.X

申请日：2012-07-03

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 蔡双吉 ,  杨敦年 ,  刘人诚 ,  王文德 ,  曾晓晖

IPC: H01L27/146

Abstract: 本发明提供了一种图像传感器件。该图像传感器件包括基板，该基板具有正面、背面、以及侧壁，侧壁与正面和背面相连接。该图像传感器件包括多个辐射感测区域，位于基板中。每个辐射感测区域都能够感测穿过背面发射到辐射感测区域的辐射。该图像传感器件包括互连结构，该互连结构连接到基板的正面。该互连结构包括多个互连层，并且延展超过基板的侧壁。该图像传感器件包括接合焊盘，该接合焊盘与基板的侧壁间隔开。该接合焊盘电连接到互连结构中的一个互连层。

公开(公告)号：CN102867832B

公开(公告)日：2016-06-01

申请号：CN201210010832.2

申请日：2012-01-11

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 蔡双吉 ,  杨敦年 ,  林政贤 ,  刘人诚 ,  王文德 ,  林月秋

IPC: H01L27/146

CPC classification number: H01L24/05 ,  H01L21/76898 ,  H01L23/481 ,  H01L27/14623 ,  H01L27/14636 ,  H01L27/1464 ,  H01L2224/0345 ,  H01L2224/0362 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/04042 ,  H01L2224/05022 ,  H01L2224/05096 ,  H01L2224/05548 ,  H01L2224/05555 ,  H01L2224/05567 ,  H01L2224/05568 ,  H01L2224/05572 ,  H01L2224/05624 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/131 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/48624 ,  H01L2224/48647 ,  H01L2924/01322 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/12043 ,  H01L2924/15788 ,  H01L2924/3025 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明提供了半导体结构的一个实施例。该半导体结构包括具有正面和背面的器件衬底、被设置在该器件衬底正面上的互连结构、以及与该互连结构相连接的接合焊盘。接合焊盘包括位于介电材料层中的凹陷区域、介于凹陷区域之间的介电材料层的介电台、以及被设置在凹陷区域中和介电台上的金属层。本发明还提供了一种具有接合焊盘结构的背照式传感器及其制造方法。

公开(公告)号：CN102790059B

公开(公告)日：2016-05-25

申请号：CN201210008175.8

申请日：2012-01-10

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 蔡双吉 ,  杨敦年 ,  刘人诚 ,  王文德 ,  林政贤 ,  何承颖

IPC: H01L27/146 ,  H01L29/40

CPC classification number: H01L31/02005 ,  H01L24/03 ,  H01L24/05 ,  H01L24/06 ,  H01L27/14621 ,  H01L27/14623 ,  H01L27/14627 ,  H01L27/14632 ,  H01L27/14636 ,  H01L27/1464 ,  H01L27/14685 ,  H01L27/14687 ,  H01L27/14698 ,  H01L31/02327 ,  H01L2224/0345 ,  H01L2224/03831 ,  H01L2224/0391 ,  H01L2224/04042 ,  H01L2224/05567 ,  H01L2224/05624 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/05666 ,  H01L2224/05681 ,  H01L2224/05684 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01327 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/12043 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/15788 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/05552

Abstract: 一种半导体器件，包括：器件衬底，具有对应于半导体器件的正面和半导体器件的背面的正面和背面；金属部件，形成在器件衬底的正面上；接合焊盘，被设置在半导体器件的背面上，并且与金属部件电连通；以及屏蔽结构，被设置在器件衬底的背面上，其中，屏蔽结构和接合焊盘具有彼此不同的厚度。本发明还提供了具有接合焊盘和屏蔽结构的半导体器件及其制造方法。

公开(公告)号：CN103378114B

公开(公告)日：2016-04-20

申请号：CN201310020044.6

申请日：2013-01-18

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 林政贤 ,  杨敦年 ,  刘人诚 ,  许慈轩 ,  蔡双吉 ,  高敏峰

IPC: H01L27/146

CPC classification number: H01L27/1464 ,  H01L27/14621 ,  H01L27/14627 ,  H01L27/1463

Abstract: 一种用于减小图像传感器中的串扰的方法包括：提供背照式图像传感器晶圆，在该背照式图像传感器晶圆中形成隔离区域，其中，该隔离区域包围着光电有源区域，在该光电有源区域中从背照式图像传感器晶圆的背面形成开口，并且利用介电材料覆盖该开口的上端，从而形成了嵌在背照式图像传感器晶圆的隔离区域中的气隙。本发明还提供了一种减少图像传感器中的串扰的设备和方法。

公开(公告)号：CN102915991B

公开(公告)日：2015-08-26

申请号：CN201110353065.0

申请日：2011-11-09

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 林政贤 ,  杨敦年 ,  刘人诚 ,  王文德 ,  蔡双吉 ,  林月秋

IPC: H01L23/498 ,  H01L27/146

CPC classification number: H01L27/14636 ,  H01L21/76898 ,  H01L23/481 ,  H01L23/525 ,  H01L24/03 ,  H01L24/05 ,  H01L24/11 ,  H01L24/45 ,  H01L24/48 ,  H01L24/83 ,  H01L27/14623 ,  H01L27/1463 ,  H01L27/1464 ,  H01L27/14643 ,  H01L27/14683 ,  H01L27/14685 ,  H01L27/14689 ,  H01L2224/02166 ,  H01L2224/04042 ,  H01L2224/0557 ,  H01L2224/05571 ,  H01L2224/05572 ,  H01L2224/05624 ,  H01L2224/1134 ,  H01L2224/11916 ,  H01L2224/451 ,  H01L2224/45124 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/48453 ,  H01L2224/48463 ,  H01L2224/83359 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/3025 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/05552 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2924/207 ,  H01L2224/45099

Abstract: 一种集成电路结构包括：半导体衬底；以及介电焊盘，该介电焊盘从半导体衬底的底面向上延伸到半导体衬底中。低k介电层被设置在半导体衬底下方。第一非低k介电层位于低k介电层下方。金属焊盘位于第一非低k介电层下方。第二非低k介电层位于金属焊盘下方。开口从半导体衬底的顶面向下延伸，从而穿透半导体衬底、介电焊盘、以及低k介电层，其中，开口位于金属焊盘的顶面上方。钝化层的一部分位于开口的侧壁上，其中，位于开口的底部的钝化层的一部分被去除。本发明还提供了一种BSI图像传感器芯片中的焊盘结构。

公开(公告)号：CN104752382A

公开(公告)日：2015-07-01

申请号：CN201410848093.3

申请日：2014-12-29

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 何承颖 ,  王文德 ,  刘人诚 ,  杨敦年

IPC: H01L23/488 ,  H01L23/31 ,  H01L21/60 ,  H01L21/56

CPC classification number: H01L25/50 ,  H01L21/2855 ,  H01L21/2885 ,  H01L21/76251 ,  H01L21/76805 ,  H01L21/76898 ,  H01L23/481 ,  H01L23/5226 ,  H01L23/53214 ,  H01L23/53228 ,  H01L23/53242 ,  H01L23/53257 ,  H01L24/80 ,  H01L24/82 ,  H01L24/83 ,  H01L24/92 ,  H01L25/0657 ,  H01L2224/08145 ,  H01L2224/24145 ,  H01L2224/245 ,  H01L2224/80895 ,  H01L2224/80896 ,  H01L2224/82106 ,  H01L2224/83894 ,  H01L2224/9202 ,  H01L2224/9212 ,  H01L2225/06524 ,  H01L2225/06544 ,  H01L2225/06565 ,  H05K3/467 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01028 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01046 ,  H01L2224/8203 ,  H01L2224/821 ,  H01L2224/80001 ,  H01L2224/82

Abstract: 本发明提供了一种半导体器件及其制造方法。一种半导体器件包括第一半导体芯片、第二半导体芯片、导电材料和介电层，第一半导体芯片包括第一金属结构、顶面和底面；第二半导体芯片包括第二金属结构，其中，第二半导体芯片与第一半导体芯片在底面上相接合；导电材料连接第一金属结构和第二金属结构，其中，导电材料的一部分位于第一半导体芯片和第二半导体芯片的内部；介电层围绕导电材料的该一部分设置。

公开(公告)号：CN104425526A

公开(公告)日：2015-03-18

申请号：CN201410338457.3

申请日：2014-07-16

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 林政贤 ,  杨敦年 ,  刘人诚 ,  洪丰基

IPC: H01L27/146

CPC classification number: H01L27/1463 ,  H01L27/14623 ,  H01L27/14627 ,  H01L27/14636 ,  H01L27/1464 ,  H01L27/14643 ,  H01L27/14685 ,  H01L27/14689 ,  H01L31/18

Abstract: 本发明提供了形成图像传感器件的机制的实施例。该图像传感器件包括具有正面和背面的衬底。该图像传感器件还包括用来检测穿过背面进入衬底的入射辐射的可操作的辐射感测区。图像传感器件还包括形成在衬底中并且邻近辐射感测区的掺杂的隔离区。此外，该图像传感器件包括形成在掺杂的隔离区中的深沟槽隔离结构。深沟槽隔离结构包括从背面延伸的沟槽和覆盖沟槽的带负电荷的膜。本发明涉及形成具有深沟槽隔离结构的图像传感器件的机制。