公开(公告)号：CN101325174B

公开(公告)日：2011-06-15

申请号：CN200810086981.0

申请日：2005-04-08

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 多田国弘 ,  成嶋健索 ,  若林哲

IPC: H01L21/768 ,  H01L21/285 ,  H01L23/522 ,  H01L23/532 ,  C23C16/02 ,  C23C16/34

CPC classification number: H01L21/76846 ,  C23C16/0281 ,  C23C16/34 ,  H01J37/321 ,  H01L21/02063 ,  H01L21/28556 ,  H01L21/32051 ,  H01L21/76814 ,  H01L21/76856 ,  Y10S438/905 ,  Y10S438/906 ,  Y10S438/974

Abstract: 本发明提供一种Ti膜及TiN膜的成膜方法，其包括将衬底的硅化镍膜表面清洁化后，由使用Ti化合物气体的CVD进行膜厚2nm以上、不满10nm的Ti膜的成膜，氮化该Ti膜，再在氮化后的Ti膜上使用Ti化合物气体以及含有N及H的气体通过CVD进行TiN膜的成膜的工序。本发明还提供一种在由Si基板或基板上形成的金属硅化物膜构成的衬底上形成的接触结构。所述接触结构由在所述衬底上形成的Si或金属硅化物与Ti的反应层、和在所述反应层上形成的2层结构的TiN膜组成。

公开(公告)号：CN101397653B

公开(公告)日：2011-04-13

申请号：CN200810169541.1

申请日：2008-09-28

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 成嶋健索 ,  熊谷晃 ,  若林哲

IPC: C23C16/34 ,  C23C16/455 ,  H01L21/3205 ,  H01L21/768

Abstract: 本发明提供金属膜成膜方法和计算机能够读取的存储介质，仅是形成氮化钛膜的工序就能够容易地发生硅化反应，从而大幅提高处理能力。该金属膜成膜方法具有通过向晶片上供给钛化合物气体、还原气体和氮气并生成等离子体，在晶片上形成氮化钛膜的工序，在该工序中，氮气以从其开始供给直至达到规定的设定流量(时间Ts)逐渐增加其供给流量的方式进行供给，从而在含硅表面上形成硅化钛膜，并且在晶片上形成氮化钛膜。

公开(公告)号：CN101346802B

公开(公告)日：2010-06-02

申请号：CN200780000953.6

申请日：2007-08-07

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 成嶋健索 ,  天野文贵 ,  若林哲

IPC: H01L21/285 ,  C23C16/34 ,  C23C16/14 ,  H01L21/28

CPC classification number: C23C16/34 ,  C23C16/14 ,  C23C16/45512 ,  C23C16/4554 ,  C23C16/45542 ,  H01L21/28518 ,  H01L21/28562 ,  H01L21/67207 ,  H01L21/76814 ,  H01L21/76843

Abstract: 本发明提供一种成膜方法和基板处理装置，使得在低温下也能够高效率地形成含有优质的Ti膜的阻挡层，在该Ti膜与基底的界面区域能够形成自调整的TiSix膜。在形成上述TiSix膜(507)的工序中，不向处理室导入氩气地多次重复下述工序：向处理室导入钛化合物气体，使上述钛化合物气体吸附在Si基板(502)的Si表面上的第一工序；停止向处理室导入钛化合物气体，除去残留在处理室内的钛化合物气体的第二工序；和向处理室导入氢气，并在处理室内形成等离子体，对吸附于Si表面的钛化合物气体进行还原，同时使其与Si表面的硅反应，形成TiSix膜(507)的第三工序。

公开(公告)号：CN101443477A

公开(公告)日：2009-05-27

申请号：CN200780017194.4

申请日：2007-10-17

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 成嶋健索 ,  若林哲 ,  高山贵光

IPC: C23C16/44 ,  H01L21/28 ,  H01L21/285

CPC classification number: C23C16/4404 ,  C23C16/14 ,  C23C16/4405 ,  C23C16/45565 ,  C23C16/56 ,  H01L21/28556

Abstract: 本发明提供一种Ti类膜的成膜方法和存储介质，该Ti类膜的成膜方法包括：在基座上不存在晶片(W)的状态下向腔室内导入含氟的清洗气体而对腔室内进行清洗的工序(工序1)；在基座上不存在晶片(W)的状态下对基座进行加热，并从喷淋头向腔室内喷出含Ti的处理气体，至少在喷淋头的表面形成预敷膜的工序(工序2)；和之后，在已加热基座(2)的状态下将晶片载置于其上，通过向腔室(1)内供给处理气体而在晶片(W)上形成Ti类膜的工序(工序3)，其中，使基座的温度低于成膜工序时的温度进行预敷膜形成工序。

公开(公告)号：CN101298667A

公开(公告)日：2008-11-05

申请号：CN200810109994.5

申请日：2003-12-26

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 若林哲 ,  冈部真也 ,  村上诚志 ,  森嶋雅人 ,  多田国弘

IPC: C23C16/458 ,  C23C16/46 ,  H01L21/00 ,  H01L21/285

Abstract: 本发明提供一种半导体处理用的成膜方法，其具有：准备成膜装置的工序，该成膜装置具有处理容器、气体供给部、排气部、载置台、和激励机构；向处理容器内提供第一处理气体，通过等离子体CVD进行第一处理的工序，第一处理气体是通过电离主要产生第一极性的离子的气体；在第一处理后，进行稳定化处理容器内的状态的稳定化处理的工序，稳定化处理设定为，将通过电离主要产生与第一极性相反的第二极性的离子的稳定化处理气体，提供给处理容器内部，进行等离子体化；在稳定化处理后，将基板搬入处理容器内，在载置台的上面上载置基板的工序；和向处理容器内提供主处理气体，通过等离子体CVD进行主成膜处理，由此在载置台上的基板上形成膜的工序。

公开(公告)号：CN101689490B

公开(公告)日：2011-12-21

申请号：CN200880022486.1

申请日：2008-06-26

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 池田太郎 ,  若林哲 ,  成嶋健索 ,  波多野达夫 ,  水泽宁 ,  横山敦 ,  佐久间隆

IPC: H01L21/28 ,  C23C16/14 ,  H01L21/285 ,  H01L21/288 ,  H01L21/3205 ,  H01L23/52

CPC classification number: H01L23/53238 ,  C23C14/18 ,  C23C16/045 ,  C23C16/06 ,  H01L21/28556 ,  H01L21/76843 ,  H01L21/76873 ,  H01L2221/1089 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/09701 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明提供一种成膜方法和处理系统。该成膜方法在被处理体(W)上形成薄膜，该被处理体(W)在表面形成有具有凹部(6)的绝缘层(4)。该成膜方法依次实施如下的工序：阻挡层形成工序，在包括凹部内的表面的被处理体的表面形成含有Ti的阻挡层(12)；种子层形成工序，利用CVD，在阻挡层上形成含有Ru的种子层(16)；和辅助种子层形成工序，利用溅射，在种子层上形成含有Cu的辅助种子层(164)。由此，能够在被处理体的整个面上，对线宽或孔径小的凹部或者高深宽比的凹部进行充分的埋入。

公开(公告)号：CN101084327B

公开(公告)日：2010-12-22

申请号：CN200580043869.3

申请日：2005-12-12

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 石坂忠大 ,  五味淳 ,  若林哲

IPC: C23C16/44 ,  H01L21/285 ,  H01L21/3205

CPC classification number: C23C16/4404 ,  H01J37/32449 ,  H01L21/28562 ,  H01L21/76843

Abstract: 本发明提供一种成膜方法，该成膜方法利用下述成膜装置，该成膜装置包括：处理容器，其内部具备保持被处理基板的保持台；和喷头部，向上述处理容器内供给用于成膜的处理气体，向该处理容器内施加用于激发等离子体的高频电力。该成膜方法的特征在于，包括：成膜工序，在上述被处理基板上形成含有金属的薄膜；和保护膜形成工序，在上述成膜工序之前，在上述喷头部形成含有其它金属的保护膜。

公开(公告)号：CN1777694B

公开(公告)日：2010-05-12

申请号：CN200380100145.9

申请日：2003-12-04

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 多田国弘 ,  横井裕明 ,  若林哲 ,  成嵨健索

IPC: C23C16/455 ,  C23C16/08 ,  C23C16/34 ,  H01L21/28 ,  H01L21/285

CPC classification number: C23C16/45523 ,  C23C16/4408 ,  C23C16/50 ,  H01L21/28562

Abstract: 本发明涉及一种利用等离子体CVD在被处理基板(W)上形成规定薄膜的成膜方法，该方法至少交替各进行一次所述第一以及第二工序。第一工序中，一边将含有薄膜成份的化合物气体和还原气体供给到收纳基板(W)的处理腔室(51)内，一边在处理腔室(51)内生成第一等离子体。第二工序中，继第一工序之后，一边将所述还原气体供给到处理腔室(51)内，一边在处理腔室(51)内生成第二等离子体。

公开(公告)号：CN101689490A

公开(公告)日：2010-03-31

申请号：CN200880022486.1

申请日：2008-06-26

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 池田太郎 ,  若林哲 ,  成嶋健索 ,  波多野达夫 ,  水泽宁 ,  横山敦 ,  佐久间隆

IPC: H01L21/28 ,  C23C16/14 ,  H01L21/285 ,  H01L21/288 ,  H01L21/3205 ,  H01L23/52

CPC classification number: H01L23/53238 ,  C23C14/18 ,  C23C16/045 ,  C23C16/06 ,  H01L21/28556 ,  H01L21/76843 ,  H01L21/76873 ,  H01L2221/1089 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/09701 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明提供一种成膜方法和处理系统。该成膜方法在被处理体(W)上形成薄膜，该被处理体(W)在表面形成有具有凹部(6)的绝缘层(4)。该成膜方法依次实施如下的工序：阻挡层形成工序，在包括凹部内的表面的被处理体的表面形成含有Ti的阻挡层(12)；种子层形成工序，利用CVD，在阻挡层上形成含有Ru的种子层(16)；和辅助种子层形成工序，利用溅射，在种子层上形成含有Cu的辅助种子层(164)。由此，能够在被处理体的整个面上，对线宽或孔径小的凹部或者高深宽比的凹部进行充分的埋入。

公开(公告)号：CN101668878A

公开(公告)日：2010-03-10

申请号：CN200880013920.X

申请日：2008-04-15

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 成嶋健索 ,  若林哲 ,  善光哲

IPC: C23C16/52 ,  C23C16/08 ,  C23C16/509 ,  H01L21/28 ,  H01L21/285

CPC classification number: C23C16/14 ,  C23C16/505 ,  H01L21/28518 ,  H01L21/28556 ,  H01L21/76843

Abstract: 本发明提供一种Ti膜的成膜方法，其包括下述步骤：将具有Si部分的被处理基板配置在载置台上；对被处理基板进行加热；使腔室内成为规定的压力；向腔室内导入含有TiCl 4 气体和还原气体的处理气体；通过利用高频电场形成单元形成高频电场使处理气体等离子体化；和在被处理基板的表面使TiCl 4 气体和还原气体发生反应，当通过该反应在被处理基板的Si部分形成Ti膜时，对腔室内压力和施加的高频电功率进行控制，以抑制在被处理基板的Si部分的TiSi的生成反应。