Ti膜的成膜方法
    1.
    发明授权

    公开(公告)号:CN101671813B

    公开(公告)日:2012-02-08

    申请号:CN200910173311.7

    申请日:2009-09-02

    Abstract: 本发明提供一种Ti类膜的成膜方法,其在成膜中,不产生预涂膜和喷淋头及基座的反应等不良情况,能够抑制处理膜厚的面间偏差。反复进行如下工序:在基座(2)上不存在晶片(W)的状态下,将基座(2)加热,利用含Ti的处理气体,至少在喷淋头(10)的表面形成预涂膜的工序;其后,在加热到规定温度的基座(2)上载置晶片(W),向腔室(1)内供给处理气体,在晶片(W)上成膜Ti膜的工序;在基座(2)上不存在晶片(W)的状态下,向腔室(1)内导入清洗气体,清洗腔室(1)内的工序。在预涂膜形成工序中,使基座(2)的温度成为比Ti膜成膜工序时的温度低的温度而形成低温预涂膜(71)之后,在Ti膜成膜时的温度下,形成高温预涂膜(72)。

    Ti类膜的成膜方法
    4.
    发明公开

    公开(公告)号:CN101671813A

    公开(公告)日:2010-03-17

    申请号:CN200910173311.7

    申请日:2009-09-02

    Abstract: 本发明提供一种Ti类膜的成膜方法,其在成膜中,不产生预涂膜和喷淋头及基座的反应等不良情况,能够抑制处理膜厚的面间偏差。反复进行如下工序:在基座(2)上不存在晶片(W)的状态下,将基座(2)加热,利用含Ti的处理气体,至少在喷淋头(10)的表面形成预涂膜的工序;其后,在加热到规定温度的基座(2)上载置晶片(W),向腔室(1)内供给处理气体,在晶片(W)上成膜Ti膜的工序;在基座(2)上不存在晶片(W)的状态下,向腔室(1)内导入清洗气体,清洗腔室(1)内的工序。在预涂膜形成工序中,使基座(2)的温度成为比Ti膜成膜工序时的温度低的温度而形成低温预涂膜(71)之后,在Ti膜成膜时的温度下,形成高温预涂膜(72)。

Patent Agency Ranking