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公开(公告)号:CN101671813B
公开(公告)日:2012-02-08
申请号:CN200910173311.7
申请日:2009-09-02
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Abstract: 本发明提供一种Ti类膜的成膜方法,其在成膜中,不产生预涂膜和喷淋头及基座的反应等不良情况,能够抑制处理膜厚的面间偏差。反复进行如下工序:在基座(2)上不存在晶片(W)的状态下,将基座(2)加热,利用含Ti的处理气体,至少在喷淋头(10)的表面形成预涂膜的工序;其后,在加热到规定温度的基座(2)上载置晶片(W),向腔室(1)内供给处理气体,在晶片(W)上成膜Ti膜的工序;在基座(2)上不存在晶片(W)的状态下,向腔室(1)内导入清洗气体,清洗腔室(1)内的工序。在预涂膜形成工序中,使基座(2)的温度成为比Ti膜成膜工序时的温度低的温度而形成低温预涂膜(71)之后,在Ti膜成膜时的温度下,形成高温预涂膜(72)。
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公开(公告)号:CN101346802A
公开(公告)日:2009-01-14
申请号:CN200780000953.6
申请日:2007-08-07
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/285 , C23C16/34 , C23C16/14 , H01L21/28
CPC classification number: C23C16/34 , C23C16/14 , C23C16/45512 , C23C16/4554 , C23C16/45542 , H01L21/28518 , H01L21/28562 , H01L21/67207 , H01L21/76814 , H01L21/76843
Abstract: 本发明提供一种成膜方法和基板处理装置,使得在低温下也能够高效率地形成含有优质的Ti膜的阻挡层,在该Ti膜与基底的界面区域能够形成自调整的TiSix膜。在形成上述TiSix膜(507)的工序中,不向处理室导入氩气地多次重复下述工序:向处理室导入钛化合物气体,使上述钛化合物气体吸附在Si基板(502)的Si表面上的第一工序;停止向处理室导入钛化合物气体,除去残留在处理室内的钛化合物气体的第二工序;和向处理室导入氢气,并在处理室内形成等离子体,对吸附于Si表面的钛化合物气体进行还原,同时使其与Si表面的硅反应,形成TiSix膜(507)的第三工序。
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公开(公告)号:CN101346802B
公开(公告)日:2010-06-02
申请号:CN200780000953.6
申请日:2007-08-07
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/285 , C23C16/34 , C23C16/14 , H01L21/28
CPC classification number: C23C16/34 , C23C16/14 , C23C16/45512 , C23C16/4554 , C23C16/45542 , H01L21/28518 , H01L21/28562 , H01L21/67207 , H01L21/76814 , H01L21/76843
Abstract: 本发明提供一种成膜方法和基板处理装置,使得在低温下也能够高效率地形成含有优质的Ti膜的阻挡层,在该Ti膜与基底的界面区域能够形成自调整的TiSix膜。在形成上述TiSix膜(507)的工序中,不向处理室导入氩气地多次重复下述工序:向处理室导入钛化合物气体,使上述钛化合物气体吸附在Si基板(502)的Si表面上的第一工序;停止向处理室导入钛化合物气体,除去残留在处理室内的钛化合物气体的第二工序;和向处理室导入氢气,并在处理室内形成等离子体,对吸附于Si表面的钛化合物气体进行还原,同时使其与Si表面的硅反应,形成TiSix膜(507)的第三工序。
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公开(公告)号:CN101671813A
公开(公告)日:2010-03-17
申请号:CN200910173311.7
申请日:2009-09-02
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Abstract: 本发明提供一种Ti类膜的成膜方法,其在成膜中,不产生预涂膜和喷淋头及基座的反应等不良情况,能够抑制处理膜厚的面间偏差。反复进行如下工序:在基座(2)上不存在晶片(W)的状态下,将基座(2)加热,利用含Ti的处理气体,至少在喷淋头(10)的表面形成预涂膜的工序;其后,在加热到规定温度的基座(2)上载置晶片(W),向腔室(1)内供给处理气体,在晶片(W)上成膜Ti膜的工序;在基座(2)上不存在晶片(W)的状态下,向腔室(1)内导入清洗气体,清洗腔室(1)内的工序。在预涂膜形成工序中,使基座(2)的温度成为比Ti膜成膜工序时的温度低的温度而形成低温预涂膜(71)之后,在Ti膜成膜时的温度下,形成高温预涂膜(72)。
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