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公开(公告)号：CN104517905A
公开(公告)日：2015-04-15
申请号：CN201410490549.3
申请日：2014-09-23
Applicant: 英飞凌科技股份有限公司
IPC: H01L21/98
CPC classification number: H01L24/96 , H01L21/561 , H01L21/568 , H01L21/76838 , H01L23/31 , H01L23/3114 , H01L23/48 , H01L24/03 , H01L24/05 , H01L24/11 , H01L24/13 , H01L24/19 , H01L24/48 , H01L24/85 , H01L2224/02317 , H01L2224/02331 , H01L2224/02379 , H01L2224/03462 , H01L2224/0347 , H01L2224/03828 , H01L2224/0401 , H01L2224/04042 , H01L2224/04105 , H01L2224/05008 , H01L2224/05147 , H01L2224/05548 , H01L2224/05553 , H01L2224/05655 , H01L2224/1132 , H01L2224/1134 , H01L2224/11849 , H01L2224/12105 , H01L2224/13024 , H01L2224/131 , H01L2224/96 , H01L2924/00014 , H01L2924/10161 , H01L2924/181 , H01L2924/19107 , H01L2924/00 , H01L2224/03 , H01L2224/11 , H01L2924/014 , H01L2224/45099 , H01L2224/45015 , H01L2924/207
Abstract: 本公开涉及用于模塑衬底的金属重分布层。通过在支撑衬底上放置多个半导体裸片、以及采用模塑化合物覆盖半导体裸片以形成模塑结构而封装集成电路，每一个半导体裸片在朝向支撑衬底的侧部上具有多个端子。随后从模塑结构移除支撑衬底以暴露具有端子的半导体裸片的侧部，以及形成在模塑结构上并且与半导体裸片的端子以及模塑化合物直接接触的金属重分布层。形成重分布层而不首先在具有半导体裸片的端子的模塑结构的侧部上形成电介质层。也公开了对应的模塑结构和单独模塑半导体封装。
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公开(公告)号：CN104112741A
公开(公告)日：2014-10-22
申请号：CN201410150407.2
申请日：2014-04-15
Applicant: 英飞凌科技股份有限公司
Inventor： G·贝尔 , D·迈尔 , G·梅茨格-布吕克尔 , R·洛伊施纳
IPC: H01L27/02
CPC classification number: G06F17/5077 , G06F17/5081
Abstract: 通过测量在第一衬底上制造的无源部件的电感或电容值，存储无源部件和无源部件各自的测定值之间的个体关联，并且基于无源部件和无源部件各自的测定值之间的个体关联为无源部件确定电连接，来调整电学电路的电容或电感。相应的系统包括：测试器，可操作为测量在第一衬底上制造的无源部件的电感或电容值；存储系统，可操作为存储无源部件和无源部件各自的测定值之间的个体关联；和处理电路，可操作为基于无源部件和无源部件各自的测定值之间的个体关联为无源部件确定电连接。
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公开(公告)号：CN113451280A
公开(公告)日：2021-09-28
申请号：CN202110735342.8
申请日：2017-02-16
Applicant: 英飞凌科技股份有限公司
IPC: H01L23/66 , H01L23/31 , H01L23/367 , H01L23/498 , H01Q1/22 , H01L21/56
Abstract: 一种半导体装置包括半导体芯片和位于半导体芯片的第一侧上的再分布层。所述再分布层电耦合到半导体芯片。所述半导体装置还包括介电层和位于介电层上的天线。介电层位于天线与半导体芯片之间。
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公开(公告)号：CN105810595B
公开(公告)日：2019-01-22
申请号：CN201610042137.2
申请日：2016-01-21
Applicant: 英飞凌科技股份有限公司
Abstract: 一种用于处理产品衬底的方法包括将承载体粘结至产品衬底。将永久性粘合剂的层施加到承载体的表面上。提供结构化的中间层。所施加的永久性粘合剂将承载体粘结至产品衬底。结构化的中间层布置在产品衬底与承载体之间。结构化的中间层的表面和永久性粘合剂的表面与产品衬底的表面直接接触。结构化的中间层减小产品衬底与承载体之间的粘合强度。
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公开(公告)号：CN107093598A
公开(公告)日：2017-08-25
申请号：CN201710083163.4
申请日：2017-02-16
Applicant: 英飞凌科技股份有限公司
CPC classification number: H01L23/49822 , H01L21/56 , H01L23/3114 , H01L23/3672 , H01L23/49816 , H01L2223/6677 , H01L2223/6683 , H01L2224/04105 , H01L2224/12105 , H01L2224/73267 , H01L2924/18162 , H01L23/66 , H01Q1/2283
Abstract: 一种半导体装置包括半导体芯片和位于半导体芯片的第一侧上的再分布层。所述再分布层电耦合到半导体芯片。所述半导体装置还包括介电层和位于介电层上的天线。介电层位于天线与半导体芯片之间。
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公开(公告)号：CN110498385B
公开(公告)日：2024-08-30
申请号：CN201910395404.8
申请日：2019-05-13
Applicant: 英飞凌科技股份有限公司
Abstract: 本公开涉及MEMS传感器，包括传感器壳体和布置在传感器壳体中的膜，其中传感器壳体的第一子容积与膜的第一主侧面相邻，并且传感器壳体的第二子容积与膜的第二主侧面相邻，其中第二主侧面与第一主侧面相对地布置。该MEMS传感器包括传感器壳体中的第一开口，该第一开口将第一子容积与传感器壳体的外部环境透声地连接。该MEMS传感器包括传感器壳体中的第二开口，该第二开口将第二子容积与传感器壳体的外部环境透声地连接。
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公开(公告)号：CN118138972A
公开(公告)日：2024-06-04
申请号：CN202311626323.7
申请日：2023-11-30
Applicant: 英飞凌科技股份有限公司
Abstract: 本公开涉及一种用于制造具有混合集成环境屏障结构(150)的MEMS压力换能器芯片(100)的方法，该方法包括以下步骤：提供包括至少一个膜(120)的基板(110)；向基板(110)中构造阶梯状凹陷结构(130)，阶梯状凹陷结构(130)包括具有第一横向宽度(W1)的第一凹部(131)和具有较大的第二横向宽度(W2)的相邻的第二凹部(132)，其中阶梯状凹陷结构(130)在膜(120)与与膜(120)相对的基板表面(142)之间延伸；以及在第二凹部(132)内部布置环境屏障结构(150)。本公开还涉及一种能够通过上述方法获取的设备。
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公开(公告)号：CN108100985B
公开(公告)日：2022-02-11
申请号：CN201711099535.9
申请日：2017-11-09
Applicant: 英飞凌科技股份有限公司
Abstract: 一种半导体封装体包括：具有设置在所述半导体芯片的第一侧处的传感器结构的半导体芯片和从所述第一侧穿过所述半导体芯片延伸到所述半导体芯片的与所述第一侧相反的第二侧的第一端口，以便提供到外部环境的链路。还提供了相应的制造方法。
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