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公开(公告)号：CN111683896A
公开(公告)日：2020-09-18
申请号：CN201880088213.0
申请日：2018-08-27
Applicant: 株式会社村田制作所
IPC: B81B3/00 , H03H9/24 , B81C3/00 , H01L41/047 , H01L41/053 , H01L41/09 , H01L41/113 , H01L41/187
Abstract: 本发明具备：压电膜；第一电极以及第二电极，它们夹着该压电膜；保护膜，其设置为覆盖第二电极的至少一部分，具有将第二电极的一部分开口的开口部；第三电极，其设置为至少在开口部与第二电极接触，且覆盖保护膜的至少一部分；以及第一布线层，其具有与第三电极接触的第一接触部。
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公开(公告)号：CN105210295B
公开(公告)日：2017-10-03
申请号：CN201480026898.8
申请日：2014-05-01
Applicant: 株式会社村田制作所
CPC classification number: H03H9/21 , H01L41/0478
Abstract: 本发明提供可进一步减小频率温度系数TCF的绝对值的振动装置。振动装置(1)是在基部(2)上，在X方向并排有向Y方向延伸的多个音叉臂(3～5)，音叉臂(3～5)具有在作为简并半导体的Si层(11)上层叠有氧化硅层(12)，在氧化硅层(12)上设置有激发部(13)的构造，在将Si层(11)的厚度的总和设为T1、将氧化硅层(12)的厚度的总和设为T2、将在Si层(11)上未设置有氧化硅层(12)的情况下的频率温度系数TCF设为x时，厚度比T2/(T1+T2)成为(‑0.0002x2‑0.0136x+0.0014)±0.05的范围内。
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公开(公告)号：CN106062238A
公开(公告)日：2016-10-26
申请号：CN201580011354.9
申请日：2015-03-02
Applicant: 株式会社村田制作所 , 独立行政法人产业技术综合研究所
IPC: C23C14/06 , H01L41/083 , H01L41/187 , H01L41/27 , H01L41/316 , H01L41/39 , H03H3/02 , H03H9/17
CPC classification number: H01L41/18 , C04B35/581 , C04B35/62218 , C04B2235/3865 , C04B2235/40 , C23C14/0042 , C23C14/0617 , C23C14/0641 , C23C14/14 , C23C14/3435 , C23C14/3464 , G10K9/125 , H01L41/0805 , H01L41/081 , H01L41/0831 , H01L41/0973 , H01L41/187 , H01L41/27 , H01L41/316 , H03H3/02 , H03H9/02015 , H03H9/588 , H03H2003/023
Abstract: 本发明提供一种氮化铝压电薄膜及其制造方法、压电材、压电部件。可得出呈氮极性且量产性优越的氮化铝压电薄膜。提供使含有锗的氮化铝压电薄膜(3)以及在基材(2)上通过溅射而含有锗的氮化铝压电薄膜生长的氮化铝压电薄膜的制造方法。
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公开(公告)号：CN105556840A
公开(公告)日：2016-05-04
申请号：CN201480051082.0
申请日：2014-09-11
Applicant: 株式会社村田制作所
CPC classification number: H03H9/171 , H03H3/0072 , H03H3/02 , H03H9/02448 , H03H9/2484 , H03H9/2489 , H03H2003/027 , H03H2009/02503 , H03H2009/02511 , H03H2009/241
Abstract: 本发明提供振动装置及其制造方法，能够抑制由于温度变化而产生的共振频率的偏差。振动装置(1)具备：支承部(2)；与上述支承部(2)连接，且具有作为简并半导体的n型Si层(11)的振动臂(3a、3b、3c)；以及被设置为使上述振动臂(3a、3b、3c)激振的电极(16、17)，以与上述n型Si层(11)的下表面接触的方式设置含有杂质的硅氧化膜(12、13)。
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公开(公告)号：CN105210295A
公开(公告)日：2015-12-30
申请号：CN201480026898.8
申请日：2014-05-01
Applicant: 株式会社村田制作所
CPC classification number: H03H9/21 , H01L41/0478
Abstract: 本发明提供可进一步减小频率温度系数TCF的绝对值的振动装置。振动装置(1)是在基部(2)上，在X方向并排有向Y方向延伸的多个音叉臂(3～5)，音叉臂(3～5)具有在作为简并半导体的Si层(11)上层叠有氧化硅层(12)，在氧化硅层(12)上设置有激发部(13)的构造，在将Si层(11)的厚度的总和设为T1、将氧化硅层(12)的厚度的总和设为T2、将在Si层(11)上未设置有氧化硅层(12)的情况下的频率温度系数TCF设为x时，厚度比T2/(T1+T2)成为(-0.0002x2-0.0136x+0.0014)±0.05的范围内。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN111264031B
公开(公告)日：2023-11-07
申请号：CN201880068819.8
申请日：2018-11-09
Applicant: 株式会社村田制作所
Abstract: 本发明提供一种能够减少产品高度的增加并且将振动空间保持为真空的谐振装置。上述谐振装置具备MEMS设备和CMOS设备，上述MEMS设备具有：谐振子，具有下部电极、上部电极以及形成于下部电极与上部电极之间的压电膜；上盖，与谐振子的上部电极对置而设置；以及下盖，与谐振子的下部电极对置而设置、并设置为与上盖一起密封谐振子，上述CMOS设备安装于上盖和下盖之中任一个盖的与朝向谐振子的一侧相反侧的面，CMOS设备具有CMOS层、和在该CMOS层的与朝向谐振子的一侧相反侧的面所设置的保护层，上盖和下盖之中的与CMOS设备接合的盖具有将该CMOS设备与谐振子电连接的贯通电极。
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公开(公告)号：CN112740550A
公开(公告)日：2021-04-30
申请号：CN201980061641.9
申请日：2019-10-17
Applicant: 株式会社村田制作所
IPC: H03H9/24
Abstract: 提供能够减少保持部的绝缘膜所带电的电荷给予谐振频率的影响的谐振装置。谐振装置(1)具备：谐振子(10)，包括振动部(120)和保持部(140)，上述保持部(140)配置于振动部(120)四周的至少局部且包括将振动部(120)保持为能够振动的保持体和形成在该保持体上的绝缘膜(235)；和下盖(20)，其包括形成振动部(120)的振动空间的至少局部的凹部(21)，绝缘膜235的内侧面相对于规定凹部(21)的侧壁(23)的内表面(23a)隔开第1距离D1配置。
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公开(公告)号：CN105556840B
公开(公告)日：2019-01-04
申请号：CN201480051082.0
申请日：2014-09-11
Applicant: 株式会社村田制作所
Abstract: 本发明提供振动装置及其制造方法，能够抑制由于温度变化而产生的共振频率的偏差。振动装置(1)具备：支承部(2)；与上述支承部(2)连接，且具有作为简并半导体的n型Si层(11)的振动臂(3a、3b、3c)；以及被设置为使上述振动臂(3a、3b、3c)激振的电极(16、17)，以与上述n型Si层(11)的下表面接触的方式设置含有杂质的硅氧化膜(12、13)。
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公开(公告)号：CN105659495B
公开(公告)日：2018-06-19
申请号：CN201480041241.9
申请日：2014-08-06
Applicant: 株式会社村田制作所
Inventor： 梅田圭一
CPC classification number: H03H9/17 , H03H3/02 , H03H9/0504 , H03H9/13 , H03H9/174 , H03H9/21 , H03H2003/0407
Abstract: 本发明涉及压电谐振器及其制造方法。提供一种抑制了基于Si的厚度偏差的谐振频率的偏差的压电谐振器。压电谐振器(1)具备单晶Si(5)、设置在上述单晶Si(5)上的由氮化铝构成的压电膜(8)、以及被设置成夹着上述压电膜(8)的第一电极和第二电极(6、7)，在由上述氮化铝构成的压电膜(8)掺杂有除了氮以及铝的元素，除了上述单晶Si(5)的部分的音速的合成音速实质上与上述单晶Si(5)的音速一致。
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公开(公告)号：CN108141196A
公开(公告)日：2018-06-08
申请号：CN201680057976.X
申请日：2016-10-31
Applicant: 株式会社村田制作所
CPC classification number: H03H3/0072 , H03H3/007 , H03H3/04 , H03H9/0561 , H03H9/24 , H03H2003/0435
Abstract: 本发明提供谐振装置及其制造方法。在封装化了的谐振装置中，实施对谐振频率的调整。谐振装置具备：下盖，其由未简并的硅构成；谐振子，其具有由简并了的硅构成且具有与下盖对置的下表面的基板、层叠于该基板的第一电极层和第二电极层、形成于第一电极层和第二电极层之间且具有隔着第一电极层与基板的上表面对置的面的压电膜；以及上盖，其与下盖对置，在上盖与下盖之间隔着谐振子，基板的下表面具有调整部，该调整部是形成于表面的凹凸的深度或高度都比该基板的下表面中的其它区域大的区域，或者是凹凸所占的面积比该基板的下表面中的其它区域大的区域。
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