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公开(公告)号：CN111264031A
公开(公告)日：2020-06-09
申请号：CN201880068819.8
申请日：2018-11-09
Applicant: 株式会社村田制作所
Abstract: 本发明提供一种能够减少产品高度的增加并且将振动空间保持为真空的谐振装置。上述谐振装置具备MEMS设备和CMOS设备，上述MEMS设备具有：谐振子，具有下部电极、上部电极以及形成于下部电极与上部电极之间的压电膜；上盖，与谐振子的上部电极对置而设置；以及下盖，与谐振子的下部电极对置而设置、并设置为与上盖一起密封谐振子，上述CMOS设备安装于上盖和下盖之中任一个盖的与朝向谐振子的一侧相反侧的面，CMOS设备具有CMOS层、和在该CMOS层的与朝向谐振子的一侧相反侧的面所设置的保护层，上盖和下盖之中的与CMOS设备接合的盖具有将该CMOS设备与谐振子电连接的贯通电极。
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公开(公告)号：CN111264031B
公开(公告)日：2023-11-07
申请号：CN201880068819.8
申请日：2018-11-09
Applicant: 株式会社村田制作所
Abstract: 本发明提供一种能够减少产品高度的增加并且将振动空间保持为真空的谐振装置。上述谐振装置具备MEMS设备和CMOS设备，上述MEMS设备具有：谐振子，具有下部电极、上部电极以及形成于下部电极与上部电极之间的压电膜；上盖，与谐振子的上部电极对置而设置；以及下盖，与谐振子的下部电极对置而设置、并设置为与上盖一起密封谐振子，上述CMOS设备安装于上盖和下盖之中任一个盖的与朝向谐振子的一侧相反侧的面，CMOS设备具有CMOS层、和在该CMOS层的与朝向谐振子的一侧相反侧的面所设置的保护层，上盖和下盖之中的与CMOS设备接合的盖具有将该CMOS设备与谐振子电连接的贯通电极。
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公开(公告)号：CN111683896B
公开(公告)日：2023-11-10
申请号：CN201880088213.0
申请日：2018-08-27
Applicant: 株式会社村田制作所
Abstract: 本发明具备：压电膜；第一电极以及第二电极，它们夹着该压电膜；保护膜，其设置为覆盖第二电极的至少一部分，具有将第二电极的一部分开口的开口部；第三电极，其设置为至少在开口部与第二电极接触，且覆盖保护膜的至少一部分；以及第一布线层，其具有与第三电极接触的第一接触部。
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公开(公告)号：CN115176415A
公开(公告)日：2022-10-11
申请号：CN202080097565.X
申请日：2020-11-11
Applicant: 株式会社村田制作所
Abstract: 本发明提供一种能够提高器件部的对准精度的集合基板的制造方法以及集合基板。集合基板(100)的制造方法包含：在第一基板(330)上形成第一标记(A1)的工序(S302)、接合第一基板(330)的上表面和第二基板(350)的下表面的工序(S304)、在第二基板(350)形成开口(OP)以使得第一标记(A1)露出的工序(S305)、以及以第一标记(A1)为基准在第二基板(350)的上表面形成器件部(DP)的工序(S306)。
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公开(公告)号：CN111683896A
公开(公告)日：2020-09-18
申请号：CN201880088213.0
申请日：2018-08-27
Applicant: 株式会社村田制作所
IPC: B81B3/00 , H03H9/24 , B81C3/00 , H01L41/047 , H01L41/053 , H01L41/09 , H01L41/113 , H01L41/187
Abstract: 本发明具备：压电膜；第一电极以及第二电极，它们夹着该压电膜；保护膜，其设置为覆盖第二电极的至少一部分，具有将第二电极的一部分开口的开口部；第三电极，其设置为至少在开口部与第二电极接触，且覆盖保护膜的至少一部分；以及第一布线层，其具有与第三电极接触的第一接触部。
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