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公开(公告)号：CN1630031A
公开(公告)日：2005-06-22
申请号：CN200410101310.9
申请日：2004-12-16
Applicant: 株式会社东芝
CPC classification number: G03F1/36 , G03F7/70441
Abstract: 本发明提供一种半导体器件用图形的制作方法，它包括：从图形布局中提取部分区域的步骤；对此部分区域中所含图形给予扰动的生成扰动图形的步骤；校正上述扰动图形的步骤；根据上述校正后的扰动图形预测晶片上形成的第一图形的步骤；求出上记扰动图形与上述第一图形的第一差异的步骤；和存储有关包含上述第一差异相关信息的上述扰动图形的信息的步骤。
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公开(公告)号：CN1510732A
公开(公告)日：2004-07-07
申请号：CN200310123916.8
申请日：2003-12-22
IPC: H01L21/66
CPC classification number: G01B21/30 , G01B11/306 , H01L22/12 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 揭示了晶片平坦度评价方法。在该晶片平坦度评价方法中，测量晶片的表面形状及其背面形状。将测量的晶片表面划分为段。然后，根据评价的段的位置来选择平坦度的计算方法，从而获得晶片面内的平坦度。
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公开(公告)号：CN1396494A
公开(公告)日：2003-02-12
申请号：CN02121807.2
申请日：2002-04-26
Applicant: 株式会社东芝
IPC: G03F7/20 , H01L21/027
CPC classification number: G03F7/70125 , G01J1/26 , G03F7/70133
Abstract: 一种曝光装置的照度不匀度的测定方法，向光掩膜照射从照明光学系统射出的照明光，对于通过投影光学系统而在感光衬底上的有限区域内投影并曝光通过该光掩膜的光的曝光装置，进行所述投影光学系统引起的、在所述感光衬底上的有限区域内的照度不匀度的测定，其特征在于，包括：按在所述感光衬底上的有限区域内的多个成像点的每一个，计算从所述光掩膜的一点射出并到达成像点的光线的、在所述投影光学系统的透射率的平均值，根据按所述成像点求出的透射率的平均值，算出所述感光衬底上的有限区域内的照度不匀度。
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公开(公告)号：CN100468623C
公开(公告)日：2009-03-11
申请号：CN01120876.7
申请日：2001-06-08
Applicant: 株式会社东芝
IPC: H01L21/027 , H01L21/30 , H01L21/31 , G03F7/20
CPC classification number: G03F7/70633 , G03F9/7076 , H01L2223/54453
Abstract: 在用第1、第2光掩模21、22，与器件图形一起，在晶片1上边依次形成对准标记41和第1、第2套刻偏差检查用标记42、43的情况下，这些标记都形成为具有器件图形的一部分或相同的尺寸、形状，因此，不论是对准标记41还是套刻偏差检查用标记42、43，都与器件图形同程度地具有起因于在器件图形复制时使用的曝光光学系统的象差的影响的位置偏差误差和起因于其后加工的位置偏差误差，其结果是可以正确地把握位置偏差量，可以实现高精度的对准和位置修正。
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公开(公告)号：CN1288508C
公开(公告)日：2006-12-06
申请号：CN03147290.7
申请日：2003-07-11
Applicant: 株式会社东芝
CPC classification number: G03F7/70566 , G03F7/706
Abstract: 本发明提供一种投影光学系统的高精度的检查方法。通过经偏振的第1曝光光，在涂敷于晶片(10)上的抗蚀剂上转印光掩模(33)的曝光标记，并求出投影光学系统(9)的光学特性。接着，通过其偏光状态与第1曝光光不同的第2曝光光，在涂敷于晶片(10)上的抗蚀剂上转印光掩模(33)的曝光标记，并求出投影光学系统(9)的光学特性。然后，计算通过第1和第2曝光光求出的光学特性之差，进行投影光学系统(9)的性能检查。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1254848C
公开(公告)日：2006-05-03
申请号：CN200310115276.6
申请日：2003-11-26
Applicant: 株式会社东芝
IPC: H01L21/027 , H01L21/00 , G03F1/00
Abstract: 本发明提供一种能够适当选取判定光掩模好坏时所用管理部位的光掩模制造方法。该方法具备：准备应在掩模基板上形成的掩模图形数据的工序；根据所述数据，分别对所述掩模图形中包括的多个图形，计算边缘移动灵敏度的工序，其中，该边缘移动灵敏度对应于，从图形边缘变动时应设定的适宜曝光量偏移的偏移量；根据所述计算出的边缘移动灵敏度，决定所述掩模基板上应形成的掩模图形的管理部位的工序；在所述掩模基板上形成掩模图形的工序；取得与所述掩模基板上形成的掩模图形的所述管理部位对应的区域中所包括的图形的尺寸的工序；以及根据所述取得的尺寸，判定所述掩模基板上形成的掩模图形的曝光裕度是否满足预定条件的工序。
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公开(公告)号：CN1242452C
公开(公告)日：2006-02-15
申请号：CN02118390.2
申请日：2002-04-26
Applicant: 株式会社东芝
IPC: H01L21/00 , H01L21/027 , G03F7/00
CPC classification number: G03F1/36 , G03F7/70433 , G03F7/70441
Abstract: 该图案形成方法，通过第1处理，将多个存储单元的单元图案分别分离成位于单元的最边缘部分的内侧的预定位置的第1图案群和除此以外的第2图案群。通过第2处理，为所述第2图案群对所给予的尺寸和尺寸精度能确保充分的处理余量，将决定所述第2图案群的掩模尺寸。通过第3处理，在所述的条件下，为使所述第1图案群加工成所希望的尺寸，将按照周边图案环境使该第1图案群的掩模尺寸最佳化。通过第4处理，按照所述第2图案群的掩模尺寸和所述第1图案群的掩模尺寸形成所述存储单元的掩模图案，通过第5处理，使用所述掩模图案、在半导体晶片上形成所述单元图案。
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公开(公告)号：CN1505102A
公开(公告)日：2004-06-16
申请号：CN200310115276.6
申请日：2003-11-26
Applicant: 株式会社东芝
IPC: H01L21/027 , H01L21/00 , G03F1/00
Abstract: 本发明提供一种能够适当选取判定光掩模好坏时所用管理部位的光掩模制造方法。该方法具备：准备在掩模基板上应形成的掩模图形的数据的工序；按照数据，分别对所述掩模图形中包括的多个图形变动图形边缘时，计算与应该设定曝光量的适宜曝光量的偏移量对应的边缘移动灵敏度的工序；按照计算的边缘移动灵敏度，特定在掩模基板上应形成的掩模图形的管理部位的工序；在掩模基板上实际形成掩模图形的工序；取得与掩模基板上形成掩模图形的管理部位对应的区域中包括的图形尺寸的工序；以及按照取得的尺寸，判定掩模基板上形成的掩模图形是否满足规定条件的工序。
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公开(公告)号：CN1493923A
公开(公告)日：2004-05-05
申请号：CN03147290.7
申请日：2003-07-11
Applicant: 株式会社东芝
IPC: G03F7/20 , G03F9/00 , G02B27/28 , G01M11/02 , H01L21/027
CPC classification number: G03F7/70566 , G03F7/706
Abstract: 本发明提供一种投影光学系统的高精度的检查方法。通过经偏振的第1曝光光，在涂敷于晶片(10)上的抗蚀剂上转印光掩模(33)的曝光标记，并求出投影光学系统(9)的光学特性。接着，通过其偏光状态与第1曝光光不同的第2曝光光，在涂敷于晶片(10)上的抗蚀剂上转印光掩模(33)的曝光标记，并求出投影光学系统(9)的光学特性。然后，计算通过第1和第2曝光光求出的光学特性之差，进行投影光学系统(9)的性能检查。
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公开(公告)号：CN1447194A
公开(公告)日：2003-10-08
申请号：CN03121354.5
申请日：2003-03-26
Applicant: 株式会社东芝
IPC: G03F9/00 , G03F7/20 , G03F7/26 , H01L21/027
CPC classification number: G03F7/70625 , G03F7/70633
Abstract: 提供一种监测方法，可以高精度地测定微细图形加工尺寸。该监测方法包括以下步骤：在衬底膜(2)上形成至少一边有对衬底膜(2)的表面倾斜的倾斜侧壁(20)的监测抗蚀剂图形(13)，测定与倾斜侧壁(20)和衬底膜相交方向垂直的方向上的监测抗蚀剂图形(13)的宽度；以监测抗蚀剂图形(13)作为掩模，选择性腐蚀衬底膜(2)来形成监测衬底膜图形(12)，测定与倾斜侧壁(20)和衬底膜相交方向垂直的方向上的所述监测衬底膜图形(12)的宽度；以及根据监测抗蚀剂图形(13)的宽度和监测衬底膜图形(12)的宽度之差，获得偏移宽度Δs。
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