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公开(公告)号：CN109807749A
公开(公告)日：2019-05-28
申请号：CN201810992219.2
申请日：2018-08-29
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: B24B53/017 , B24B37/10
Abstract: 本发明实施例涉及一种化学机械抛光设备及其操作方法。一种用于化学机械抛光的设备包含垫调节器。所述垫调节器包含具有第一表面的第一盘及具有第二表面的第二盘。所述第一表面含有具有第一平均粒径的多个第一磨粒且所述第二表面含有具有大于所述第一平均粒径的第二平均粒径的多个第二磨粒。
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公开(公告)号：CN104051419B
公开(公告)日：2017-06-06
申请号：CN201310463691.4
申请日：2013-10-08
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L23/528 , H01L21/768
Abstract: 本发明公开了一种堆叠式集成电路（IC）器件及方法。该堆叠式IC器件包括第一半导体元件。第一半导体元件包括第一衬底、第一衬底中的介电块以及形成在第一衬底上方的第一金属间介电层中的多个第一导电部件。该堆叠式IC器件还包括接合至第一半导体元件上的第二半导体元件。第二半导体元件包括第二衬底以及形成在第二衬底上方的第二金属间介电层中的多个第二导电部件。该堆叠式IC器件还包括连接在第一导电部件和第二导电部件之间的导电深互连插塞。导电深互连插塞通过介电块、第一金属间介电层和第二金属间介电层隔离。本发明还公开了用于堆叠式器件的互连结构。
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公开(公告)号：CN113809041B
公开(公告)日：2024-08-20
申请号：CN202011433089.2
申请日：2020-12-10
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L23/522 , H01L21/768 , H10B12/00 , H01L27/146
Abstract: 本公开提供一种金属‑绝缘体‑金属(MIM)电容器、一种具有金属‑绝缘体‑金属电容器的集成半导体装置以及其制造方法。所述金属‑绝缘体‑金属电容器包含第一金属层、第二金属层以及位于第二金属层与第一金属层之间的介电层。第一金属层、第二金属层以及介电层可形成梳状结构，其中所述梳状结构包含第一齿结构和至少一个第二齿结构。
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公开(公告)号：CN114765194A
公开(公告)日：2022-07-19
申请号：CN202111020894.7
申请日：2021-09-01
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L27/146
Abstract: 本公开的各种实施例是涉及一种具有包括与背侧表面相对的前侧表面的半导体衬底的图像传感器。多个光检测器设置在半导体衬底中。隔离结构自半导体衬底的背侧表面延伸到半导体衬底中且设置在相邻光检测器之间。隔离结构包含金属芯、设置在半导体衬底与金属芯之间的导电衬层以及设置在导电衬层与半导体衬底之间的第一介电衬层。金属芯包括第一金属材料，且导电衬层包括第一金属材料和与第一金属材料不同的第二金属材料。
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公开(公告)号：CN114664786A
公开(公告)日：2022-06-24
申请号：CN202110953825.5
申请日：2021-08-19
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L23/522 , H01L21/768
Abstract: 在一些实施例中，本公开涉及一种集成芯片及其形成方法。所述集成芯片包括设置在衬底上方的介电堆叠。所述介电堆叠具有交错在第二多个层之间的第一多个层。所述介电堆叠具有一个或多个表面，所述一个或多个表面界定在对应于所述第二多个层的不同垂直高度处凹入所述介电堆叠一侧中的多个凹口。电容器结构衬于所述介电堆叠的所述一个或多个表面上。所述电容器结构包括由电容器介电质分开的导电电极。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN114628257A
公开(公告)日：2022-06-14
申请号：CN202110418756.8
申请日：2021-04-19
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/50
Abstract: 一种形成半导体结构的方法包括可形成第一晶片与第二晶片的结合总成，第一晶片包括第一半导体衬底，第二晶片包括第二半导体衬底。可将第二半导体衬底薄化到第一厚度且可在结合总成的外围处形成晶片间壕沟沟槽。可在晶片间壕沟沟槽中以及在第二半导体衬底的后侧表面之上形成保护性材料层。可移除第二半导体衬底的位于晶片间壕沟沟槽外的外围部分，并且保护性材料层的圆柱形部分在侧向上环绕结合总成的其余部分。在保护性材料层的圆柱形部分保护结合总成的其余部分的同时，可通过执行至少一个薄化工艺将第二半导体衬底薄化到第二厚度。
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公开(公告)号：CN114335034A
公开(公告)日：2022-04-12
申请号：CN202110250032.7
申请日：2021-03-08
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L27/146
Abstract: 一种集成芯片，包括：第一图像感测元件及第二图像感测元件，布置在衬底之上。第一微透镜布置在第一图像感测元件之上，且第二微透镜布置在第二图像感测元件之上。复合深沟槽隔离结构布置在第一图像感测元件与第二图像感测元件之间。复合深沟槽隔离结构包括：下部部分，布置在衬底之上；以及上部部分，布置在下部部分之上。下部部分包含第一材料，且上部部分包含具有比第一材料低的反射率的第二材料。
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公开(公告)号：CN109822448A
公开(公告)日：2019-05-31
申请号：CN201810973334.5
申请日：2018-08-24
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Abstract: 本发明实施例涉及估计膜厚的化学机械平坦化装置及方法。本发明实施例涉及一种用于在CMP中估计膜厚的方法，所述方法包含以下操作。将其上形成有膜的衬底安置于抛光垫上方，其中在所述膜与所述抛光垫之间施配浆料。执行CMP操作以减小所述膜的厚度。在所述CMP操作期间通过电化学阻抗频谱EIS器件执行原位EIS测量以实时估计所述膜的所述厚度。当从第一等效电路模型的拟合参数获得的所述膜的所述估计厚度达到目标厚度时，结束所述CMP操作。
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公开(公告)号：CN108010926A
公开(公告)日：2018-05-08
申请号：CN201710661769.1
申请日：2017-08-04
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L27/146
CPC classification number: H01L27/1464 , H01L27/14625 , H01L27/1463 , H01L27/14636 , H01L27/14685 , H01L27/14687 , H01L27/14689 , H01L27/1462
Abstract: 本发明实施例涉及对CMOS图像传感器的选择性沉积与平坦化。此外，本发明实施例还涉及一种用以简化切割道开口填充工艺且进一步改进导电垫制作工艺的表面均匀性的方法。在半导体衬底上方形成钝化层，并穿过所述钝化层及所述半导体衬底形成切割道开口。为了填充所述切割道开口，在所述切割道开口内于导电垫上方形成第一介电层且所述第一介电层延伸于所述钝化层上方。所述第一介电层是通过选择性沉积工艺而形成，使得所述第一介电层以大于其形成所述钝化层上的沉积速率的沉积速率形成于所述导电垫上。
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公开(公告)号：CN110660902B
公开(公告)日：2022-11-18
申请号：CN201811190214.4
申请日：2018-10-12
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Abstract: 本发明实施例涉及一种存储器装置、集成电路及制造存储器装置的方法。所述存储器装置包括磁阻式随机存取存储器(MRAM)单元、侧壁间隙壁以及上部内连线。磁阻式随机存取存储器(MRAM)单元设置在衬底上。MRAM单元包括设置在下部电极与上部电极之间的磁性隧道结(MTJ)。侧壁间隙壁沿MRAM单元的相对侧壁排列。上部内连线沿从侧壁间隙壁的第一外边缘连续延伸到侧壁间隙壁的第二外边缘的界面与上部电极的上表面直接接触。
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