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公开(公告)号：CN107808684A
公开(公告)日：2018-03-16
申请号：CN201710664687.2
申请日：2017-08-04
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: G11C16/34
CPC classification number: H04L9/3278 , G06F12/1408 , G06F2212/1052 , G06F2212/402 , G11C7/20 , G11C8/12 , G11C11/417 , G11C2029/4402 , H04L9/0866 , H04L9/3247 , G11C16/34
Abstract: 本揭露涉及一种基于静态随机存取存储器的验证电路。一种存储器装置包括：存储器块，其包含多个位，其中每当所述多个位中的至少一第一位被通电时，所述至少第一位呈现初始逻辑状态；起动电路，其经配置以给所述存储器块通电并断电N次，其中N是大于1的奇数，且其中在所述存储器块的每一相应电力循环之后所述至少第一位呈现初始状态；及验证电路，其耦合到所述存储器块且包含选取引擎，所述选取引擎经配置以选取在由所述起动电路执行的N个电力循环之后出现(N+l)/2次或多于(N+l)/2次的初始状态作为所述第一位的多数初始逻辑状态。
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公开(公告)号：CN119028396A
公开(公告)日：2024-11-26
申请号：CN202411051979.5
申请日：2024-08-01
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: G11C11/408 , G11C11/4094 , G11C11/418 , G11C11/419
Abstract: 一种存储器电路包括阵列和多个电压控制电路，阵列包括跨过多个列布置的多个存储器单元，多个电压控制电路中的每个可操作地耦接到多个列中的对应列的存储器单元。多个电压控制电路中的每个包括第一部分和第二部分，第一部分被配置为在电源电压耦接到对应列的存储器单元时提供第一电压降，第二部分被配置为在电源电压耦接到对应列的存储器单元时提供第二电压降。第一电压降基本上小于第二电压降。本申请的实施例还提供了操作存储器电路的方法。
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公开(公告)号：CN118317594A
公开(公告)日：2024-07-09
申请号：CN202410300661.X
申请日：2024-03-15
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H10B10/00 , H01L23/528 , H01L27/092 , H01L27/02
Abstract: 一种集成电路(IC)器件，包括多个存储器区段。每个存储器区段包括多个存储器单元，以及电耦合到多个存储器单元并布置在IC器件的第一侧上的局部位线。IC器件还包括全局位线，全局位线电耦合到多个存储器区段，并且布置在IC器件的第二侧上。第二侧在集成电路器件的厚度方向上与第一侧相对。本申请的实施例还提供了存储器单元和操作存储器器件的方法。
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公开(公告)号：CN113744773A
公开(公告)日：2021-12-03
申请号：CN202110507456.7
申请日：2021-05-10
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Abstract: 提供了一种操作存储器件的方法。接收时钟信号。时钟信号的每个时钟循环启动存储器件中的写入操作或读取操作。然后确定功率小憩周期。将功率小憩周期与时钟循环周期进行比较，以确定功率小憩周期小于时钟信号的时钟循环。响应于确定功率小憩周期小于时钟循环周期而产生标头控制信号。标头控制信号关闭存储器件的组件的标头。本发明的实施例还提供了一种存储装置和存储器件。
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公开(公告)号：CN109215702B
公开(公告)日：2021-08-24
申请号：CN201810689927.9
申请日：2018-06-28
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: G11C7/10
Abstract: 本发明公开了用于可配置的存储器存储系统的各个实施例。可配置的存储器从多个工作电压信号中选择性地选择工作电压信号以动态地控制各个工作参数。例如，可配置的存储器存储从多个工作电压信号中选择性地选择最大工作电压信号以最大化读取/写入速度。作为另一实例，可配置的存储器存储从多个工作电压信号中选择性地选择最小工作电压信号以控制使功耗最小化。本发明还提供了选择电路，及可配置的存储器存储系统的操作方法。
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公开(公告)号：CN113257295A
公开(公告)日：2021-08-13
申请号：CN202110178972.X
申请日：2021-02-09
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Abstract: 提供用于存储器电路的系统和方法，该存储器电路包括响应于位线信号线和位线条信号线且被配置为存储数据位的位单元。预充电电路被配置为在读取操作之前对位线和位线条信号线之一进行充电，其中预充电电路包括第一预充电组件和第二预充电组件，第一和第二预充电组件可单独控制以对位线和位线条信号线充电。本发明的实施例还涉及存储器电路及控制多级预充电电路的方法。
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公开(公告)号：CN109215702A
公开(公告)日：2019-01-15
申请号：CN201810689927.9
申请日：2018-06-28
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: G11C7/10
Abstract: 本发明公开了用于可配置的存储器存储系统的各个实施例。可配置的存储器从多个工作电压信号中选择性地选择工作电压信号以动态地控制各个工作参数。例如，可配置的存储器存储从多个工作电压信号中选择性地选择最大工作电压信号以最大化读取/写入速度。作为另一实例，可配置的存储器存储从多个工作电压信号中选择性地选择最小工作电压信号以控制使功耗最小化。本发明还提供了选择电路，及可配置的存储器存储系统的操作方法。
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公开(公告)号：CN107918742A
公开(公告)日：2018-04-17
申请号：CN201710662782.9
申请日：2017-08-04
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
CPC classification number: G11C11/419 , G11C7/20 , G11C7/24 , G11C11/413 , G11C11/418 , G11C2029/4402 , H04L9/3278 , G06F21/73 , G06F21/79
Abstract: 本发明实施例涉及一种基于静态随机存取存储器的认证电路，具体而言，本发明实施例提供一种存储器装置，其包含：存储器单元阵列，其包括多个存储器单元，其中所述多个存储器单元中的每一者经配置以处于数据状态中；及物理不可复制功能PUF产生器。所述PUF产生器进一步包含耦合到所述多个存储器单元的第一感测放大器，其中当存取所述多个存储器单元时，所述第一感测放大器经配置以比较所述多个存储器单元中的第一存储器单元及第二存储器单元的存取速度，且基于所述比较而提供第一输出信号以用于产生第一PUF签名。
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