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公开(公告)号：CN110729288A
公开(公告)日：2020-01-24
申请号：CN201910639634.4
申请日：2019-07-16
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L27/02 , H01L27/11 , G11C5/02 , G11C11/412 , G11C11/417
Abstract: 本发明实施例提供一种静态随机存取存储器(SRAM)外围电路，包含设置在第一导电类型的第一阱区中的第一n型晶体管及第二n型晶体管，所述第一阱区占据行方向上等于静态随机存取存储器阵列的位单元间距的第一距离。所述静态随机存取存储器外围电路包含设置在第二导电类型的第二阱区中的第一p型晶体管及第二p型晶体管。所述第二阱区占据行方向上等于静态随机存取存储器阵列的位单元间距的第二距离。所述第二阱区设置成在行方向上邻近于第一阱区。
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公开(公告)号：CN104637517B
公开(公告)日：2018-01-05
申请号：CN201410020019.2
申请日：2014-01-16
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: G11C7/12
CPC classification number: G11C11/419 , G11C7/12
Abstract: 本发明的器件包括连接在位线电压节点和接地节点之间的晶体管开关，以及连接至晶体管开关的栅极节点的升压信号电路，其中，该升压信号电路提供响应于写入使能信号的升压信号。该器件还包括第一延迟元件和与该第一延迟元件串联的第一电容器。第一电容器具有连接至位线电压节点的第一端和通过第一延迟元件连接至栅极节点的第二端。本发明还包括用于SRAM写入辅助的负位线升压方案。
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公开(公告)号：CN103971727B
公开(公告)日：2017-09-26
申请号：CN201310156471.7
申请日：2013-04-28
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: G11C11/404
CPC classification number: H03K17/284 , G11C7/00 , G11C11/417 , H03K17/04123
Abstract: 本发明提供了用于控制分压器的一种或者多种技术或者系统。在一些实施方式中，控制电路配置成使用模拟信号偏置分压器的上拉单元，从而使得所述分压器是电平可调的。换句话说，所述控制电路使所述分压器输出多电压电平。另外，所述控制电路配置成基于与所述分压器的下拉单元关联的偏置定时偏置所述上拉单元。例如，在所述下拉单元开启之后开启所述上拉单元。采用这种方法，所述控制电路提供了时间增加，从而能使所述分压器更快地稳定。本发明还提供了一种分压器控制电路。
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公开(公告)号：CN102799211B
公开(公告)日：2015-04-08
申请号：CN201110317859.1
申请日：2011-10-18
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: G06F1/04
CPC classification number: G06F1/3287 , G06F1/3237 , Y02D10/128 , Y02D10/171
Abstract: 内部时钟门控装置包括：静态逻辑模块和多米诺逻辑模块。将静态逻辑模块配置为接收时钟信号和时钟使能信号。将多米诺逻辑模块配置为从静态逻辑模块的输出接收时钟信号和控制信号。状态逻辑模块和多米诺逻辑模块进一步被配置为，使得当时钟使能信号具有逻辑高状态时，多米诺逻辑模块的输出生成相位与时钟信号类似的信号。另一方面，当时钟使能信号具有逻辑低状态时，多米诺逻辑模块的输出生成逻辑低信号。此外，静态逻辑模块和多米诺逻辑模块可以分别减少内部时钟门控装置的设置时间和延迟时间。
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公开(公告)号：CN117040523A
公开(公告)日：2023-11-10
申请号：CN202310759064.9
申请日：2023-06-26
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H03K19/0175 , H03K19/00 , H03K17/687
Abstract: 一种电压供应选择电路，包括控制电路，控制电路被配置为接收在第一电压域内转换的选择信号；以及基于选择信号生成在不同于第一电压域的第二电压域内转换的第一控制信号。电压供应选择电路还包括开关电路，开关电路可操作地耦接到控制电路并且包括第一头部晶体管，第一头部晶体管耦接到在第二电压域内转换的第一电压供应并且由第一控制信号选通；以及第二头部晶体管，耦接到在第一电压域内转换的第二电压供应，并且由与第一控制信号逻辑反相的第二控制信号选通。第一头部晶体管和第二头部晶体管互补地导通，以便提供等于第一电压供应或第二电压供应的输出电压。本申请的实施例还公开了一种选择电压供应的方法。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN116434793A
公开(公告)日：2023-07-14
申请号：CN202310146345.7
申请日：2023-02-21
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: G11C5/14 , G11C11/412 , G11C11/417
Abstract: 一种电源控制器件，包括第一开关和第二开关。第一开关的第一端子被配置为接收第一电压域中的第一电压信号，第二开关的第一端子被配置为接收不同于第一电压域的第二电压域中的第二电压信号。第二开关的第二端子耦接第一开关的第二端子，控制电路耦接第一开关和第二开关的控制端子。控制电路被配置为响应于第一电压信号的电压电平的降低而接通第一开关。本申请的实施例还涉及电源控制电路以及方法。
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公开(公告)号：CN110322917B
公开(公告)日：2021-12-31
申请号：CN201811007574.6
申请日：2018-08-31
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Abstract: 一种存储器电路包括：电压节点；多个存储器单元；位线，与多个存储器单元耦合；以及开关电路，耦合在电压节点与位线之间。开关电路配置为响应于位线上的电压电平将电压节点与位线耦合。本发明的实施例还提供了位线逻辑电路和存储器电路的位线偏置方法。
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公开(公告)号：CN108231098B
公开(公告)日：2021-08-03
申请号：CN201710761821.0
申请日：2017-08-30
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Abstract: 本发明的实施例提供了一种可在第一电压和第二电压下工作的双轨存储器。双轨存储器包括：存储器阵列，在第一电压下工作；字线驱动器电路，被配置为将存储器阵列的字线驱动至第一电压；数据路径，被配置为传输输入数据信号或输出数据信号，其中，数据路径包括用于将输入数据信号从第二电压转换至第一电压的第一电平转换器；以及控制电路，被配置为向存储器阵列、字线驱动器电路和数据路径提供控制信号，其中，控制电路包括用于将输入控制信号从第二电压转换至第一电压的第二电平转换器；其中，数据路径和控制电路被配置为在第一电压和第二电压两者下工作。本发明的实施例还提供了一种存储器宏以及一种用于将双轨存储器配置为在第一电压和第二电压下工作的混合供电方法。
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公开(公告)号：CN113190071A
公开(公告)日：2021-07-30
申请号：CN202110126509.0
申请日：2021-01-29
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: G05F1/56
Abstract: 本发明公开了一种用于调节电源电压的集成电路。在一个方面，集成电路包括金属轨，金属轨，包括连接第一功能电路的第一点和连接第二功能电路的第二点。在一个方面，集成电路包括耦合在金属轨的第一点和金属轨的第二点之间的电压调节器。在一个方面，电压调节器感测金属轨的第二点处的电压，根据在金属轨的第二点处感测的电压，调节金属轨的第一点处的电源电压。本发明的实施例还涉及一种调节电源电压的方法。
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公开(公告)号：CN104599700A
公开(公告)日：2015-05-06
申请号：CN201410014016.8
申请日：2014-01-13
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
CPC classification number: G11C11/419 , G11C7/18
Abstract: 半导体存储器包括多个子存储体，每个子存储体包括连接至局部位线组的一行或多行存储器位单元，其中，子存储体共享相同的全局位线组，以用于从子存储体的存储器位单元读取数据和/或将数据写入子存储体的存储器位单元。半导体存储芯片还包括用于每个子存储体的多个开关元件，其中，每个开关元件连接子存储体中的相应的一个存储器位单元的局部位线和全局位线，以用于在局部位线和全局位线之间进行数据传输。半导体存储芯片还包括多个存储体选择信号线，每个存储体选择信号线与相应的一个子存储体中的开关元件连接，其中，存储体选择信号线承载多个存储体选择信号以选择一个子存储体，从而用于在局部位线和全局位线之间进行数据传输。本发明还包括高密度存储器结构。
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