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公开(公告)号：CN110322917B
公开(公告)日：2021-12-31
申请号：CN201811007574.6
申请日：2018-08-31
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Abstract: 一种存储器电路包括：电压节点；多个存储器单元；位线，与多个存储器单元耦合；以及开关电路，耦合在电压节点与位线之间。开关电路配置为响应于位线上的电压电平将电压节点与位线耦合。本发明的实施例还提供了位线逻辑电路和存储器电路的位线偏置方法。
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公开(公告)号：CN110660416B
公开(公告)日：2021-10-15
申请号：CN201910293180.X
申请日：2019-04-12
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: G11C7/10
Abstract: 本发明的实施例描述了各个示例性存储装置。各个示例性存储装置可以选择各个控制线以将来自一个或多个存储单元的电子数据读取到数据线上和/或将来自这些数据线的电子数据写入一个或多个存储单元中。在一些情况下，在各个示例性存储装置将电子数据写入一个或多个存储单元之前，将这些数据线充电(也称为预充电)至第一逻辑值，诸如逻辑1。在这些数据线的预充电期间，各个示例性存储装置将这些数据线与这些示例性存储装置内的专用电路电隔离。该专用电路(也称为写入驱动器)在写入操作模式期间将电子数据写入这些数据线，以存储到一个或多个存储单元中。本发明的实施例还描述了存储装置的写入驱动器及其操作方法。
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公开(公告)号：CN110660416A
公开(公告)日：2020-01-07
申请号：CN201910293180.X
申请日：2019-04-12
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: G11C7/10
Abstract: 本发明的实施例描述了各个示例性存储装置。各个示例性存储装置可以选择各个控制线以将来自一个或多个存储单元的电子数据读取到数据线上和/或将来自这些数据线的电子数据写入一个或多个存储单元中。在一些情况下，在各个示例性存储装置将电子数据写入一个或多个存储单元之前，将这些数据线充电(也称为预充电)至第一逻辑值，诸如逻辑1。在这些数据线的预充电期间，各个示例性存储装置将这些数据线与这些示例性存储装置内的专用电路电隔离。该专用电路(也称为写入驱动器)在写入操作模式期间将电子数据写入这些数据线，以存储到一个或多个存储单元中。本发明的实施例还描述了存储装置的写入驱动器及其操作方法。
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公开(公告)号：CN110322917A
公开(公告)日：2019-10-11
申请号：CN201811007574.6
申请日：2018-08-31
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Abstract: 一种存储器电路包括：电压节点；多个存储器单元；位线，与多个存储器单元耦合；以及开关电路，耦合在电压节点与位线之间。开关电路配置为响应于位线上的电压电平将电压节点与位线耦合。本发明的实施例还提供了位线逻辑电路和存储器电路的位线偏置方法。
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公开(公告)号：CN108735260B
公开(公告)日：2020-12-25
申请号：CN201810345782.0
申请日：2018-04-18
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: G11C11/413 , G11C8/16
Abstract: 本发明的实施例公开了写入辅助电路，包括：存储器适配锁存器以及存储器适配第三和第四NMOS晶体管。锁存器包括：存储器适配第一PMOS晶体管和存储器适配第一NMOS晶体管，串联连接在电源电压与第一节点之间，第一节点选择性地连接至地电压；以及存储器适配第二PMOS晶体管和存储器适配第二NMOS晶体管，串联连接在电源电压与第二节点之间，第二节点选择性地连接至地电压。第三NMOS晶体管，串联连接在第一节点与地电压之间；以及第四NMOS晶体管，串联连接在第二节点与地电压之间。第三和第四晶体管中的每一个的栅极均连接至锁存使能信号线，由此用于控制存储器适配锁存器。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN111128282A
公开(公告)日：2020-05-08
申请号：CN201911062996.8
申请日：2019-10-31
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Abstract: 提供了写入辅助电路。写入辅助电路包括：晶体管开关，耦合在单元阵列的位线电压节点和接地节点之间。反相器用于响应于写入使能信号而接收升压信号。反相器的输出耦合至晶体管开关的栅极。写入辅助电路还包括金属电容器，金属电容器具有耦合至位线电压节点的第一端和耦合至栅极节点的第二端。电容器用于响应于升压信号将位线电压节点的位线电压从接地电压驱动至负值。本发明的实施例还涉及将位线电压负升压的方法。
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公开(公告)号：CN108735260A
公开(公告)日：2018-11-02
申请号：CN201810345782.0
申请日：2018-04-18
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: G11C11/413 , G11C8/16
Abstract: 本发明的实施例公开了写入辅助电路，包括：存储器适配锁存器以及存储器适配第三和第四NMOS晶体管。锁存器包括：存储器适配第一PMOS晶体管和存储器适配第一NMOS晶体管，串联连接在电源电压与第一节点之间，第一节点选择性地连接至地电压；以及存储器适配第二PMOS晶体管和存储器适配第二NMOS晶体管，串联连接在电源电压与第二节点之间，第二节点选择性地连接至地电压。第三NMOS晶体管，串联连接在第一节点与地电压之间；以及第四NMOS晶体管，串联连接在第二节点与地电压之间。第三和第四晶体管中的每一个的栅极均连接至锁存使能信号线，由此用于控制存储器适配锁存器。
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公开(公告)号：CN108631767B
公开(公告)日：2023-05-16
申请号：CN201710997126.4
申请日：2017-10-23
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H03K19/0185
Abstract: 本发明实施例涉及一种电平位移器，其包括：输入端，其在输入电压域中操作；及输出端，其用于在输出电压域中输出输出信号。所述电平位移器进一步包含反相器电路，所述反相器电路在所述输入电压域中操作用于使输入信号反相以产生经反相的输入信号。所述电平位移器还包含中间电路，所述中间电路在中间电压域中操作用于产生中间信号。输出缓冲器电路至少部分基于所述经反相的输入信号及所述中间信号而产生所述输出信号。
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公开(公告)号：CN111128282B
公开(公告)日：2022-03-25
申请号：CN201911062996.8
申请日：2019-10-31
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Abstract: 提供了写入辅助电路。写入辅助电路包括：晶体管开关，耦合在单元阵列的位线电压节点和接地节点之间。反相器用于响应于写入使能信号而接收升压信号。反相器的输出耦合至晶体管开关的栅极。写入辅助电路还包括金属电容器，金属电容器具有耦合至位线电压节点的第一端和耦合至栅极节点的第二端。电容器用于响应于升压信号将位线电压节点的位线电压从接地电压驱动至负值。本发明的实施例还涉及将位线电压负升压的方法。
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公开(公告)号：CN108631767A
公开(公告)日：2018-10-09
申请号：CN201710997126.4
申请日：2017-10-23
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H03K19/0185
CPC classification number: H03K19/018521
Abstract: 本发明实施例涉及一种电平位移器，其包括：输入端，其在输入电压域中操作；及输出端，其用于在输出电压域中输出输出信号。所述电平位移器进一步包含反相器电路，所述反相器电路在所述输入电压域中操作用于使输入信号反相以产生经反相的输入信号。所述电平位移器还包含中间电路，所述中间电路在中间电压域中操作用于产生中间信号。输出缓冲器电路至少部分基于所述经反相的输入信号及所述中间信号而产生所述输出信号。
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