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公开(公告)号：CN111048132B
公开(公告)日：2021-12-21
申请号：CN201910963803.X
申请日：2019-10-11
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: G11C11/412 , G11C11/417 , G11C5/14 , H03K17/687
Abstract: 电源开关控制电路包括配置为向存储器阵列供电的电源轨。第一头部开关将电源轨耦合到与第一电源域对应的第一电源。第二头部开关将电源轨耦合到与第二电源域对应的第二电源。控制电路配置为接收选择信号和关闭信号，并且响应于选择信号和关闭信号向第一头部开关和第二头部开关输出控制信号以选择性地将第一头部开关和第二头部开关分别耦合到第一电源和第二电源。控制电路配置为响应于关闭信号并且不考虑选择信号，将控制信号输出到第一头部开关和第二头部开关，以将第一头部开关和第二头部开关与第一电源和第二电源断开。本发明的实施例还涉及存储器器件和控制电源开关的方法。
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公开(公告)号：CN113782080A
公开(公告)日：2021-12-10
申请号：CN202110476757.8
申请日：2021-04-29
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: G11C11/418
Abstract: 一种存储器件包括：多个存储器单元；字线，连接到多个存储器单元中的一个，字线被配置为提供第一WL脉冲，第一WL脉冲具有限定第一WL脉冲的脉冲宽度的上升沿和下降沿；第一跟踪WL，形成为与存储器单元相邻，第一跟踪WL被配置为通过物理地或可操作地耦合到被配置为将逻辑状态写入存储器单元的位线(BL)而提供具有上升沿的第二WL脉冲，上升沿具有减小的斜率；以及第一跟踪BL，被配置为模拟BL，第一跟踪BL耦合到第一跟踪WL，使得基于第二WL脉冲的上升沿的减小的斜率而增加第一WL脉冲的脉冲宽度。本发明的实施例还涉及操作存储器件的方法。
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公开(公告)号：CN115494904A
公开(公告)日：2022-12-20
申请号：CN202210351107.5
申请日：2022-04-02
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: G05F1/56 , H03K17/687
Abstract: 本揭示文件描述用于选择电压供应的选择电路、选择系统以及选择方法。此选择电路包含第一控制开关、第一电压供应开关、第二控制开关以及第二电压供应开关。第一控制开关用以接收控制信号以及第一电压供应。第一电压供应开关电性耦合至第一控制开关，且用以接收第二电压供应。第二控制开关用以接收控制信号以及第二电压供应。第二电压供应开关电性耦合至第二控制开关，且用以接收第一电压供应。第一以及第二电压供应开关用以基于控制信号选择性地输出第一以及第二电压供应。
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公开(公告)号：CN114708890A
公开(公告)日：2022-07-05
申请号：CN202210186367.1
申请日：2022-02-28
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: G11C5/14 , G11C11/417
Abstract: 本申请提供了电源管理电路、片上系统设备、以及电源管理方法。一种电路包括功率检测器和逻辑电路。功率检测器被配置为根据状态信号和来自第一电源的第一电源信号来输出第一功率管理信号。电路被配置为响应于状态信号而在不同模式下工作。逻辑电路被配置为根据第一功率管理信号和状态信号来输出第二功率管理信号。
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公开(公告)号：CN110660416B
公开(公告)日：2021-10-15
申请号：CN201910293180.X
申请日：2019-04-12
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: G11C7/10
Abstract: 本发明的实施例描述了各个示例性存储装置。各个示例性存储装置可以选择各个控制线以将来自一个或多个存储单元的电子数据读取到数据线上和/或将来自这些数据线的电子数据写入一个或多个存储单元中。在一些情况下，在各个示例性存储装置将电子数据写入一个或多个存储单元之前，将这些数据线充电(也称为预充电)至第一逻辑值，诸如逻辑1。在这些数据线的预充电期间，各个示例性存储装置将这些数据线与这些示例性存储装置内的专用电路电隔离。该专用电路(也称为写入驱动器)在写入操作模式期间将电子数据写入这些数据线，以存储到一个或多个存储单元中。本发明的实施例还描述了存储装置的写入驱动器及其操作方法。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN110660416A
公开(公告)日：2020-01-07
申请号：CN201910293180.X
申请日：2019-04-12
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: G11C7/10
Abstract: 本发明的实施例描述了各个示例性存储装置。各个示例性存储装置可以选择各个控制线以将来自一个或多个存储单元的电子数据读取到数据线上和/或将来自这些数据线的电子数据写入一个或多个存储单元中。在一些情况下，在各个示例性存储装置将电子数据写入一个或多个存储单元之前，将这些数据线充电(也称为预充电)至第一逻辑值，诸如逻辑1。在这些数据线的预充电期间，各个示例性存储装置将这些数据线与这些示例性存储装置内的专用电路电隔离。该专用电路(也称为写入驱动器)在写入操作模式期间将电子数据写入这些数据线，以存储到一个或多个存储单元中。本发明的实施例还描述了存储装置的写入驱动器及其操作方法。
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公开(公告)号：CN117040523A
公开(公告)日：2023-11-10
申请号：CN202310759064.9
申请日：2023-06-26
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H03K19/0175 , H03K19/00 , H03K17/687
Abstract: 一种电压供应选择电路，包括控制电路，控制电路被配置为接收在第一电压域内转换的选择信号；以及基于选择信号生成在不同于第一电压域的第二电压域内转换的第一控制信号。电压供应选择电路还包括开关电路，开关电路可操作地耦接到控制电路并且包括第一头部晶体管，第一头部晶体管耦接到在第二电压域内转换的第一电压供应并且由第一控制信号选通；以及第二头部晶体管，耦接到在第一电压域内转换的第二电压供应，并且由与第一控制信号逻辑反相的第二控制信号选通。第一头部晶体管和第二头部晶体管互补地导通，以便提供等于第一电压供应或第二电压供应的输出电压。本申请的实施例还公开了一种选择电压供应的方法。
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公开(公告)号：CN114825884A
公开(公告)日：2022-07-29
申请号：CN202210055325.4
申请日：2022-01-18
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Abstract: 一种位元线预充电电路以及对位元线预充电的方法。当一位元线预充电范围落在预定预充电规定范围内时，以位元线预充电电路内部的时脉信号为基准，对位元线进行预充电。当一位元线预充电范围落在预定预充电规定范围外时，以位元线预充电电路外部的时脉信号为基准，对位元线进行预充电。
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公开(公告)号：CN113190071A
公开(公告)日：2021-07-30
申请号：CN202110126509.0
申请日：2021-01-29
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: G05F1/56
Abstract: 本发明公开了一种用于调节电源电压的集成电路。在一个方面，集成电路包括金属轨，金属轨，包括连接第一功能电路的第一点和连接第二功能电路的第二点。在一个方面，集成电路包括耦合在金属轨的第一点和金属轨的第二点之间的电压调节器。在一个方面，电压调节器感测金属轨的第二点处的电压，根据在金属轨的第二点处感测的电压，调节金属轨的第一点处的电源电压。本发明的实施例还涉及一种调节电源电压的方法。
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公开(公告)号：CN113176872A
公开(公告)日：2021-07-27
申请号：CN202011635161.X
申请日：2020-12-31
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Abstract: 一种存储器器件包括多个位线、多个字线和存储器单元阵列，该存储器单元阵列包括耦合到位线和字线的多个位单元。位单元中的每一个配置为在位线上呈现初始逻辑状态。电源端子耦合到存储器单元阵列。控制器耦合到字线和位线，并且配置为在RNG阶段期间将位线预充电到低于第一电压电平的第二电压电平，并且确定多个位单元的初始逻辑状态以生成随机数。第一电压电平是用于在SRAM阶段期间操作存储器单元阵列的电压电平。本发明的实施例还涉及随机数发生器及其操作方法。
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