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公开(公告)号：CN112687309B
公开(公告)日：2024-05-24
申请号：CN202010498605.3
申请日：2020-06-04
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Inventor： 吕士濂
IPC: G11C11/413 , G11C11/41
Abstract: 本发明的实施例提供了一种存储器器件及其复位方法。存储器器件包括具有多个单元的单元阵列，多个单元中的每个可操作的存储位值。存储器器件还包括连接至单元阵列的复位电路。复位电路是可操作的以将存储在多个单元中的每个中的位值并行地复位为预定位值。
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公开(公告)号：CN113079019B
公开(公告)日：2024-04-30
申请号：CN202110337813.X
申请日：2021-03-30
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H04L9/32
Abstract: 生成用于集成电路器件的安全密钥的系统和方法包括生成具有物理不可克隆功能(PUF)器件的多个密钥位。PUF可以包括可以创建随机位的随机数生成器。可以在非易失性存储器中存储随机位。存储在非易失性存储器中的随机位的数量允许多个质询和响应交互，以从PUF获得多个安全密钥。本申请的实施例还涉及集成电路器件。
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公开(公告)号：CN112414578B
公开(公告)日：2024-02-23
申请号：CN202010288378.1
申请日：2020-04-14
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: G01K7/16
Abstract: 公开了一种确定集成电路(IC)的温度是否在正常温度范围内的温度传感器。温度传感器包括低阈值监测电路和高阈值监测电路。低阈值监测电路感测IC的温度是高于还是低于最小温度阈值。高阈值监控器电路配置为感测IC的温度是高于还是低于最大温度阈值。低阈值监测电路包括第一对导线，每个导线具有彼此不同的电阻温度系数(TCR)；其中最小温度阈值由与第一对导线相关的第一TCR和第二TCR的交点确定。高阈值监测电路包括第二对导线，每个导线具有彼此不同的并且也不同于第一对导线的TCR。其中最大温度阈值由与第二对导线相关的第三TCR和第四TCR的交点确定。本发明的实施例还涉及集成电路以及确定集成电路是否在正常温度范围内操作的方法。
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公开(公告)号：CN114783502A
公开(公告)日：2022-07-22
申请号：CN202210442208.3
申请日：2017-06-28
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: G11C29/42
Abstract: 本发明的实施例提供了一种筛选存储器阵列中的弱比特的方法，包括：将第一组数据存储在存储器阵列的具有第一组存储器单元的第一存储器阵列中；至少对第一存储器阵列实施第一烘焙工艺，或者至少对第一存储器阵列施加第一磁场；确定存储在第一存储器阵列中的第一组数据的部分是否由第一烘焙工艺或第一磁场改变；以及如果第一组存储器单元的第一存储器单元存储改变的数据，则跟踪第一组存储器单元的至少第一存储器单元的地址，并且实施以下操作中的至少一个：(1)利用存储器阵列的第二存储器阵列中的对应存储器单元替换存储改变的数据的第一组存储器单元中的第一存储器单元，和(2)丢弃存储改变的数据的第一组存储器单元中的第一存储器单元。
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公开(公告)号：CN111627488B
公开(公告)日：2022-06-28
申请号：CN202010288375.8
申请日：2017-06-28
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: G11C29/42
Abstract: 本发明的实施例提供了一种校正存储器阵列中的错误的方法。该方法包括：配置具有第一纠错码(ECC)的第一存储器阵列以提供存储在所述第一存储器阵列中的一组数据的错误校正，从而生成第一组数据，所述第一存储器阵列包括布置为多行和多列的第一组存储器单元，所述第一组存储器单元中的一行存储器单元包括第一组存储器字，所述第一组存储器字中的每个字包括第一组比特；将第二组数据存储在第二存储器阵列中，所述第二组数据至少包括所述第一组数据的副本，所述第二存储器阵列包括布置为多行和多列的第二组存储器单元；对所述第一存储器阵列和所述第二存储器阵列实施回流工艺；基于所述第一组数据和所述第二组数据来恢复所述第一组数据的至少部分；以及基于ECC校正所述恢复的第一组数据中的错误。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN111125986A
公开(公告)日：2020-05-08
申请号：CN201911051433.9
申请日：2019-10-31
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: G06F30/392 , H01L27/02
Abstract: 物理不可复制功能(PUF)单元阵列包括在第一方向上布置在第一列中的第一PUF单元和在第一方向上布置在第二列中的第二PUF单元。第一PUF单元包括在第一和第二方向上延伸的第一组导电结构。第二PUF单元包括在第一和第二方向上延伸的第二组导电结构。第一PUF单元包括在第二方向上延伸的第一导电结构和第二导电结构。第二PUF单元包括在第二方向上延伸的第三导电结构和第四导电结构。第一与第三导电结构或者第二与第四导电结构关于在第二方向上延伸的至少第一或第二PUF单元的中心线彼此对称。本发明的实施例涉及PUF单元阵列及其制造方法、以及用于设计PUF单元阵列的系统。
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公开(公告)号：CN110781529A
公开(公告)日：2020-02-11
申请号：CN201910117301.5
申请日：2019-02-15
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Inventor： 吕士濂
IPC: G06F21/73
Abstract: 本揭露公开一种物理不可克隆功能生成器。在一个实施例中，物理不可克隆功能(PUF)生成器包含：物理不可克隆功能单元阵列，包括呈至少一个列以及至少一个行配置的多个位单元，其中多个位单元各自在至少一个列的两个对应位线上提供两个电压瞬态行为；以及至少两个负载控制电路，耦接到至少一个对应列的两个位线，其中至少两个负载控制电路各自配置成将至少一个放电路径提供到两个对应位线中的至少一个，其中至少一个放电路径配置成改变两个电压瞬态行为中的至少一个，以便确定物理不可克隆功能单元阵列的多个位单元中的每一个的稳定性。
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公开(公告)号：CN110363029A
公开(公告)日：2019-10-22
申请号：CN201811278752.9
申请日：2018-10-30
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Inventor： 吕士濂
IPC: G06F21/72
Abstract: 本发明实施例涉及用于去偏物理不可复制函数位的方法与电路。本发明实施例提供一种装置，所述装置包含：阵列，其包含布置成多个行及列的多个位产生单元；及PUF产生器。所述PUF产生器包含：多个列多路复用器，各列多路复用器耦合到来自所述阵列的多个所述列；多个感测放大器，各感测放大器与所述列多路复用器中的相应者相关联；及多个去偏电路，各去偏电路与相应列多路复用器相关联且耦合到所述感测放大器中的相应者的输出。各去偏电路可操作以取决于来自与耦合到所述去偏电路的相应列多路复用器的所述列相关联的所述位产生单元的一个以上所感测位来提供用于产生PUF签名的输出，借此减小所述去偏电路所耦合到的所述感测放大器的感测偏差。
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公开(公告)号：CN109580031A
公开(公告)日：2019-04-05
申请号：CN201811033139.0
申请日：2018-09-05
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Inventor： 吕士濂
IPC: G01K7/34
Abstract: 揭露一种配置以监测温度的温度感测装置。此温度感测装置包含：包含具有第一厚度的第一氧化层的第一电容；包含具有第二厚度的第二氧化层的第二电容，其中第二氧化层的第二厚度是不同于第一氧化层的第一厚度；以及控制逻辑电路。控制逻辑电路是耦接至第一电容与第二电容，且控制逻辑电路是配置以基于第一氧化层与第二氧化层的至少一者是否崩溃，来判断监测的温度是相等于或大于临界温度。
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公开(公告)号：CN107918743A
公开(公告)日：2018-04-17
申请号：CN201710777056.1
申请日：2017-08-31
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
CPC classification number: H04L9/3278 , G06F12/1408 , G06F21/44 , G06F21/73 , G06F2212/1052 , G06F2212/402 , G06F2221/2103
Abstract: 本揭露涉及基于静态随机存取存储器的认证电路。一种存储器装置包含：存储器块，其包含多个存储器位，其中每一位经配置以呈现第一逻辑状态；和认证电路，其耦合到所述多个存储器位，其中所述认证电路经配置以在经减小读取余裕条件或经减小写入余裕条件下存取第一位，以通过检测所述第一逻辑状态是否翻转到第二逻辑状态来确定所述第一位的稳定性，并基于至少所述第一位的所述经确定稳定性而产生物理不可复制功能PUF签名。
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